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公开(公告)号：CN115902313A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211375646.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01R1/04 , G01R31/36 , G01R31/385 , G01R31/378
Abstract: 本发明涉及测试装置技术领域，且公开了一种锂离子动力电池参数性能测试装置，包括分容柜和安装在分容柜上的多个电池综合测试仪，电池综合测试仪包括主机、安装在主机一侧的正极板和负极板，主机的一侧设有两个限位柱，两个限位柱外活动套设有放置架组，放置架组的上表面开设有多个与正极板和负极板上触脚对应的放置槽，该发明通过将测试的锂电池放置在放置槽内，将放置架组放置套在限位柱上，放置架组使负极板上的触脚下压，直至该触脚穿至插槽内将放置在放置槽内的电池顶起，使电池抬升其上端与正极板上的触脚接触使电池形成通路，可一次同时将多个电池放置在对立的正负极触脚之间进行测试，方便使用，增加工作效率，减少工作量。
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公开(公告)号：CN111081762B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911323134.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/34 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 一种HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN115406584A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210949248.7
申请日：2022-08-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01M3/02
Abstract: 本发明公开了一种锂离子动力电池验漏装置，涉及电池加工技术领域。该锂离子动力电池验漏装置，包括承重板、夹持机构和验漏机构，夹持机构包括设置于承重板上的纵向调整组件和设置于纵向调整组件上的限位组件，限位组件上设置有吸盘，验漏机构包括设置于承重板上的密封组件和设置于密封组件上的抽气组件。该装置可以对不同型号尺寸大小的电池进行夹持固定，一方面可以避免在抽气过程中，由于吸力影响导致电池晃动且堵塞抽气孔，导致真空抽气泵无法继续往外抽气电池无法处于真空状态，从而导致验漏工作正常运作的情况出现，同时限位组件与验漏机构组合使用可以使得电池处于密封的状态，利于对夹持在限位组件上的电池进行验漏。
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公开(公告)号：CN114032576A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111310489.9
申请日：2021-11-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/065 , C25B11/075 , C25B11/031 , C25B3/26 , C25B3/07 , C25B3/03 , C25B1/23
Abstract: 本发明涉及一种缺陷纳米纤维碳载体耦合铁单原子催化剂的制备方法，属于新能源纳米材料领域及催化技术领域。主旨在于解决现有催化剂比表面积低，而导致的CO2RR反应活性较低的问题。主要方案包括采用Fe掺杂的金属有机骨架、聚丙烯腈、N，N‑二甲基甲酰胺通过静电纺丝反应制备具有一维纳米纤维材料，然后通过保护气氛下的高温热处理制备Fe单原子负载在氮掺杂碳载体上，随后在二氨腈的辅助下，1100℃二次热处理移除掉碳骨架中不稳定的吡啶氮和吡咯氮，得到具有本征缺陷的碳载体负载的Fe单原子催化剂，所制备的具有本征缺陷的碳载体负载的Fe单原子纳米纤维材料具有较高催化活性和稳定性，可应用于电催化CO2还原反应的电极材料。
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公开(公告)号：CN112965829A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110197392.5
申请日：2021-02-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种在并行任务分组调度下使用锁协议的方法通过P‑FP调度将子任务固定地分配到具体的每个核上，实现子任务之间可近似地被看做串行任务，然后再通过将共享资源lq划分为局部资源和全局资源，并设置子任务的优先级和处理器的优先级等，本发明通过以上设置，再具体结合对子任务和共享资源以及处理器之间的分配以及锁协议的使用，解决了现有技术在并行任务调度技术领域使用串行任务的锁协议的技术需求，实现了串行任务的锁协议可适应性地迁移到并行任务的调度中，降低了并行任务出现死锁、阻塞链等的问题，同时降低了优先级翻转造成的调度损失，提高了并行任务调度的效率等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111241667A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010011304.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于图像识别及信号分析技术领域，公开了一种基于图像处理和探针数据处理识别等离子体位形方法，同步采集得到连续时刻下的等离子体放电视频信号及探针密度曲线；从等离子体图像信息中通过算法提取等离子体边界信息并从快速探针中提取有等离子体密度的时间段，通过时间与加速度的运算得出射流的半径；获取图像和快速探针识别等离子体射流的直径信息；确定图-像和快速探针权重因子，以图像为主，根据权重因子计算出第二条激光L2经过的光程；根据第二条激光的光程计算第一条激光的光程。本发明提高了等离子体边界的精确度，为HCN诊断射流电子密度提供了一个可靠的光程，提高了电子密度的准确性。
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公开(公告)号：CN105784156A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610340822.3
申请日：2016-05-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/00
CPC classification number: G01K7/00
Abstract: 本发明涉及集成电路和传感器领域，具体涉及一种集成温度传感器。包括TCO，片上参考时钟电路以及FDC。本发明利用片上振荡器电路来为集成温度传感器提供时钟信号，以解决现有的集成温度传感器均需求片外时钟源而导致的无法全片上集成的问题，从而降低了集成温度传感器的使用成本。针对电源电压和集成电路制作工艺对片上振荡器的影响，本发明提出采用相同结构的振荡器来实现集成温度传感器中的片上时钟源电路以及AFC，从而利用频率相比的方法来改善集成温度传感器对抗电源电压以及工艺变化的能力。本发明不仅拓展了集成温度传感器的应用范围，还提高了集成温度传感器芯片制作的成品率，为进一步降低其使用成本奠定基础。
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公开(公告)号：CN104021420A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410222172.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及集成电路和神经网络领域，特别涉及可编程离散霍普菲尔德网络电路，目的是为了用硬件电路来实现单层反馈式霍普菲尔德神经网络模型，实现模拟神经记忆功能。本发明提出了一种基于硬件电路的霍普菲尔德单层网络模型，主要通过可编程阈值电路来模拟神经元，反馈电容的电压记忆特性实现反馈功能。本发明通过数字时钟脉冲来控制各个传输门开关的开启与关闭，从而实现离散型霍普菲尔德网络的功能。霍普菲尔德网络的功能：先给网络中的每个反馈电容一个初始的状态，然后通过其余的开关控制整个霍普菲尔德电路工作，最终实现给定一个初始态，通过霍普菲尔德网络电路寻找到一个最终的稳定状态的目标。本发明适用于模拟神经元。
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公开(公告)号：CN120016823A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510081304.3
申请日：2025-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种带锁定检测模块的低失配低功耗电荷泵电路。本发明在实现电荷泵正常功能的前提下，通过在传统电荷泵结构中引入负反馈电路控制充放电电流大小，以及通过引入电流复制电路提高电荷泵的开关速度，提高了对锁相环杂散的抑制能力；同时通过在电荷泵结构中引入锁定检测模块，控制电荷泵充放电电流大小，极大程度降低了电荷泵电路的功耗。最终本发明有效解决了现有电荷泵电路噪声、杂散性能以及功耗相对不佳的问题。
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公开(公告)号：CN119785852A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510279125.0
申请日：2025-03-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，具体为一种带有限流保护的忆阻器读写电路。本发明包含忆阻器及其连接的读写电路部分。该电路在写入过程中采用并联电阻阵列和运算放大器的负反馈机制，实现对忆阻器的有效限流保护，防止击穿现象，确保数据的准确存储；在擦除时，电路调整参考电压，无需限流保护，通过改变顶底电极电压来恢复忆阻器的状态；而在读取时，通过选择合适的并联电阻支路，确保电压信号的准确采集，从而获取忆阻器的电导值。本发明提高了忆阻器的安全性和可靠性，实现更高效的忆阻器精确写入与读取；通过限制电流，减少了元件在高负载下的发热，延长了使用寿命；通过将限流保护集成到读写电路中，提高了系统的集成度。
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