一种无人机群任务意图预测与路径推荐方法

    公开(公告)号:CN119440059A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411580295.4

    申请日:2024-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种无人机群任务意图预测与路径推荐方法,包括以下步骤:步骤1、构建场景模型;步骤2、场景公式化;步骤3、模糊数据融合与场景任务意图预测;步骤4、设计基于任务区域的延迟近似算法来优化无人机完成区域内所有用户任务的总延迟。本发明利用模糊理论将多传感器的数据进行融合,对隶属度函数集合、模糊规则等历史场景经验进行学习和利用,预测捕捉关键的数据趋势和热点区域。随后根据产生的任务预测模型进行无人机群路径推荐并智能决策。这种预测性路径规划使得系统能够提前优化路径,使系统具有一定的通用性,更具自主决策和应变能力。

    一种权重固定式的二维脉动阵列结构

    公开(公告)号:CN118193450A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410350872.4

    申请日:2024-03-26

    Abstract: 本发明属于集成电路领域,具体为一种权重固定式的二维脉动阵列结构,包括多个脉动阵列单元;多个脉动阵列单元采用矩阵排布,形成二维脉动阵列结构;且该结构中每列最后一个脉动阵列单元均连接一个末级加法器。通过改进脉动阵列单元结构和脉动阵列单元间连接关系,使得乘法运算和加法运算能够在不同的流水线层运算,减少了最大组合逻辑延时,提高了对应电路所能支持的最高时钟频率,从而实现运算速率的提升。通过在在脉动阵列单元中引入权重存储器,将整个脉动阵列结构变为权重固定式,使其能够预先存入权重,在保证功能正确的情况下减少了数据的载入时间,且因为权重预先存入至脉动阵列单元中,降低了运算调度要求,提高了权重的复用性。

    集成多晶硅电阻及二极管的场效应充电式半导体启动器件

    公开(公告)号:CN111244087B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202010066926.6

    申请日:2020-01-20

    Inventor: 胡浩 朱斌 陈荣昕

    Abstract: 一种集成多晶硅电阻及二极管的场效应管充电式半导体启动器件,包括场效应管、多晶硅电阻、电容、反馈控制模块和电子开关,其中,场效应管包括半导体衬底,位于衬底之上的轻掺杂外延层,以及位于轻掺杂外延层之内的元胞结构、终端结构和隔离结构。本发明半导体启动器件通过场效应管的栅极控制其通、断,仅需较小的驱动电流就能降低电阻功耗和发热量;并且电阻通过多晶硅二极管连接到启动电路的输入端,可有效防止场效应管由于输入电压的波动而误开启,造成不必要的功耗。当输出电压到达预设值后,反馈控制模块控制电子开关导通,使场效应管的栅极接地,场效应管关断,停止充电,只有很小的漏电电流,达到降低损耗、提高电源效率的目的。

    一种基于3D CutMix-Transformer的高光谱图像分类方法及系统

    公开(公告)号:CN114494777A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210082474.X

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于3D CutMix‑Transformer的高光谱图像分类方法及系统,将高光谱数据划分为有标签训练数据集和有标签验证数据集;通过CNN预训练3D CutMix;利用训练数据集进行3D CutMix得到的增强数据训练区域级老师模型和样本级老师模型;利用两个老师模型以及少量有标签数据集共同训练学生模型。本发明利用CNN进行3D CutMix进行预训练,接着采用3D CutMix对原始标签数据集进行数据增强,并优化两个老师模型各自的自监督损失和相互的交叉伪监督损失,使得共同训练的学生模型鲁棒性更好,增强和提高了现有高光谱图像分类技术中小样本下模型的泛化能力和准确率,可用于高光谱图像分类。

    一种基于Transformer和数据增强的轴承故障诊断方法及系统

    公开(公告)号:CN114036978A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111267128.0

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于Transformer和数据增强的轴承故障诊断方法及系统,获取轴承运行过程中的数据;对获取的数据进行数据增强处理,将增强处理后的数据划分为训练数据集X和验证数据集Y;构建基于Transformer的特征提取网络;搭建网络训练与验证框架,按批次选取训练数据集X和验证数据集Y的数据送入搭建的特征提取网络中,得到特征提取网络输出结果;对特征提取网络输出结果进行分析,得出轴承的故障诊断类型,完成轴承故障诊断。本发明通过使用数据重采样的增强方法来泛化网络性能,同时使用Transformer作为特征提取器,使得本发明的故障诊断验证准确率达到95%。

    一种横向半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111244157B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202010066930.2

    申请日:2020-01-20

    Inventor: 胡浩 朱斌 陈荣昕

    Abstract: 一种横向半导体器件及其制造工艺,属于半导体器件领域。包括第一导电类型半导体衬底、第二种导电类型掺杂区、第一种半导体类型掺杂区、第一种导电类型重掺杂区、第二种导电类型重掺杂源区、第二种导电类型重掺杂漏区、源极S、栅极G和漏极D,在第二种导电类型掺杂区的内部设置有多个位于同一水平面上的、条形的第一种导电类型掺杂区,所述第一种导电类型掺杂区的一侧与所述第一导电类型半导体衬相连接,另一侧位于第二种导电类型掺杂区的内部。本发明提供的一种横向半导体器件,降低了器件的局部表面电场强度,提高了器件的耐压,且具有更小的比导通电阻及更大的导通电流密度。

    基于软硬件协同实现的交换机验证测试的方法及装置

    公开(公告)号:CN104253723B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201410513629.6

    申请日:2014-09-29

    Abstract: 该发明公开了一种基于软硬件协同实现的交换机验证测试的方法及装置,属于通信网络领域。该发明将软件配置的灵活性和硬件设计的高速特性结合,首先由软件产生不同流量模型下的数据包大小、目的端口地址和数据包发送时间间隔配置信息;由硬件根据软件产生的配置信息生成交换机测试所需的数据流;通过硬件对发送到交换机和从交换机接收到的数据包进行包数和数据量统计,以及对接收到的数据包进行正确性检测、时间延迟统计;由软件通过硬件上传的各检测统计结果,完成被测交换机的功能验证、吞吐量和时延性能的测试。该交换机验证测试方法及装置,与现有的验证测试方案相比,具有成本低廉、实现简单、配置灵活、功能验证充分、测试结果准确的优点。

    一种软硬件协同实现用于交换机验证测试的流量生成器

    公开(公告)号:CN104168162B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201410412512.9

    申请日:2014-08-20

    Abstract: 该发明公开了一种软硬件协同实现用于交换机验证测试的流量生成器,涉及通信系统,尤指一种软硬件协同产生数据流,用于交换机验证测试的装置,包括:软件部分的微处理器模块、硬件部分的数据包生成模块和网络接口模块,微处理器模块通过总线与数据包生成模块连接,采用C语言对软件部分进行设计,根据用户配置的流量模型产生流量模型控制信息;对硬件部分进行模块化设计,根据微处理器模块的控制信息,产生符合被测交换机协议标准和能够模拟真实网络环境的数据流,用于交换机的功能验证和性能测试。该流量生成器根据用户配置,产生符合被测交换机协议和用户配置的流量模型的数据流,具有灵活性高、成本低、数据流线速率高和可扩展性好等优点。

    一种低功耗的并串转换电路

    公开(公告)号:CN114401014B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202210001806.7

    申请日:2022-01-04

    Abstract: 本发明属于数字通信集成电路领域,具体涉及一种低功耗的并串转换电路。本发明将传统并串转换电路拆分为驱动电路和输出电路,采用触发器实现,通过调整触发器的连接方式、使能信号和增加三态门,降低了并行数据在转为串行输出时要经过的触发器数量,减小了数据传递出错的概率,从而降低了并串转换电路的功耗;并且提出将三态门和触发器进一步集成的方式,降低整个集成电路的面积,从功耗和面积两方面提高电路的性能。

    一种基于结终端的RC-IGBT器件

    公开(公告)号:CN109192773B

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN201811034070.3

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于结终端的RC‑IGBT器件,基于传统的RC‑IGBT器件结构,在结终端区设置了结终端扩展区(5),并在结终端扩展区设置了N+型集电区(7),用互联线将底部P型集电极与结终端区的N型集电极连接起来,在器件刚开始正向导通时,由于N+型集电区(7)与结终端扩展区(5)构成的PN结反偏,从而使器件直接工作在IGBT模式,不工作在MOSFET模式,因而在导通过程中不会出现Snapback现象;在续流二极管模式下,P型基区(4)、P型结终端扩展区(5)和N+型集电区(7)构成PN二极管,当压降超过PN二极管的开启电压后器件导通,可以传导电流。因此,本发明提供的基于结终端的RC‑IGBT,完全消除了传统RC‑IGBT正向导通过程中的Snapback现象。

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