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公开(公告)号：CN112582386B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910925754.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN112993006A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911276730.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN112582386A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910925754.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN111261710A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811466031.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及功率半导体芯片技术领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该晶体管中包括衬底，衬底上设有集电极层和器件层，器件层在衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与集电极层在衬底上投影的边缘具有设定距离，器件层外表面包覆有介质层，介质层背离器件层一侧形成有发射极键合金属层，集电极层背离衬底一侧位于器件层以外区域内设有集电极键合金属层。上述晶体管中，当对晶体管通电时，电子依次经过发射极键合金属层、器件层、集电极层、集电极键合金属层，实现电流导通，从而电流的通过路径不经过衬底，使得晶体管中可以采用较厚的衬底来承载超薄器件层，不需要采用超薄的减薄工艺和相关的复杂步骤，降低了制造成本以及制造难度。
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公开(公告)号：CN106646176A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610912329.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 廖勇波
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/129
Abstract: 本发明公开了一种筛选晶体管的方法及装置，该方法中，确定大于晶体管的额定漏电电流值的第一漏电电流值，并获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，再根据第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。通过本发明实施例以筛选出合格率较高的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947139A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411917791.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件、一种半导体器件的制备方法和一种芯片，该半导体器件包括：N+型衬底，具有高掺杂浓度，从而具有较低的电阻率，能够提供低电阻的电流路径；N型外延层，包括N型外延层本体和第一沟槽，N型外延层本体设于N+型衬底一侧的表面，第一沟槽设于N型外延层本体中，可以降低导通电阻，同时保持较高的电学性能，提高了半导体器件的效率；第一P+区，设于N型外延层本体的第一沟槽中，用于提供空穴；第二沟槽，形成于第一P+区，用于填充欧姆接触金属，从而增大欧姆金属接触面积，提高半导体器件的抗浪涌能力，减小反向漏电；第二P+区，设于第二沟槽下方，用于增加半导体器件的抗浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN119905967A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906650.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种过压保护电路和电子设备，该过压保护电路包括：第一开关管，包括第一电极、第二电极和第三电极；第一电极用于接收输入电压；第二电极接地连接；分压模块，分压模块的一端与第一开关管的第一电极连接；信号处理模块，信号处理模块的一端与分压模块的另一端连接；驱动模块，驱动模块的一端与信号处理模块的另一端连接，驱动模块的另一端与第一开关管的第三电极连接；信号处理模块，用于采集分压模块输出的第一电压信号，将第一电压信号转换为第二电压信号，并将第二电压信号输入至驱动模块；驱动模块，用于通过第二电压信号驱动第一开关管的第三电极。减少了实现过压保护的成本，降低了过压保护电路的复杂度。
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公开(公告)号：CN119689198A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411827421.1
申请日：2024-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路和方法，智能功率模块包括绝缘栅双极型晶体管，测试电路包括电压表、第一快速二极管、第一开关和电流输入电路，电压表、第一快速二极管和第一开关串联；绝缘栅双极型晶体管与电压表、第一快速二极管和第一开关的串联电路并联；电流输入电路与电压表、第一快速二极管和第一开关的串联电路连接。在智能功率模块从工作状态切换为测试状态的情况下，通过第一快速二极管延迟导通以影响电压表测量绝缘栅双极型晶体管的正向压降的延迟时间，从而滤除了智能功率模块从工作状态切换为测试状态导致的噪音，使得测试结果更加准确。
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公开(公告)号：CN114975128B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110212995.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN119486220A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411504314.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅二极管及碳化硅二极管的制备方法，本申请提供的碳化硅二极管包括依次层叠的基底层、第一外延层、第二外延层和阳极金属层；第一外延层的第一表面包括至少一个第一掺杂区；第一表面为第一外延层中与第二外延层的第二表面层叠的表面；第二外延层中与第二表面相对的第三表面包括间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，且第二沟槽与所述第一掺杂区一一对应；第二外延层中包括所述第一沟槽的底部对应的第二掺杂区。本申请实施例实现了对碳化硅二极管的反向耐压特性和正向导通特性的同时优化，提高了碳化硅二极管的可靠性。
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