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公开(公告)号：CN116978994A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310952858.7
申请日：2023-07-31
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层为氮极性ScαYβAlγGa1‑α‑β‑γN层，其中，0.1≤α≤0.9，0≤β≤0.2，0.1≤γ≤0.9。本发明提供的发光二极管外延片能提高量子阱层的空穴浓度，提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN116936631A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311188656.6
申请日：2023-09-15
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/205 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L21/335
摘要： 本发明提供一种氮化镓基晶体管的外延结构及制备方法，所述氮化镓基晶体管的外延结构包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、改善层及半导体层；所述改善层包括依次沉积在所述缓冲层上的第一子层、第二子层及第三子层；所述第一子层包括元素掺杂GaN层及沉积在所述元素掺杂GaN层上的Ga2O3层，所述第二子层包括周期性交替生长的P‑AlGaN层和AlGaO3层，所述第三子层为n‑AlGaN层，其中，所述元素掺杂GaN层为碳掺杂GaN层、铁掺杂GaN层及锌掺杂GaN层中的任意一种，提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN116581018A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310850811.X
申请日：2023-07-12
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种复合缓冲层及其制备方法、外延片、高电子迁移率晶体管，复合缓冲层包括依次层叠的第一缓冲第一子层以及第一缓冲第二子层组成的第一缓冲层，第二缓冲第一子层以及第二缓冲第二子层周期性交替组成的第二缓冲层，第三缓冲第一子层以及第三缓冲第二子层周期性交替组成的第三缓冲层；其中，第一缓冲第一子层为AlN层、第一缓冲第二子层为SiN层、第二缓冲第一子层为ScxAl1‑xN层、第二缓冲第二子层为AlGaN层、第三缓冲第一子层为ScyAl1‑yN子层、第三缓冲第二子层为碳掺杂的GaN层，ScxAl1‑xN层中的Sc组分低于ScyAl1‑yN子层的Sc组分。
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公开(公告)号：CN115799427A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211455159.3
申请日：2022-11-21
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片，包括GaAs衬底和依次层叠于所述GaAs衬底上的缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、N型粗化层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层和P型欧姆接触层；其中，所述截止层为GaInP层，其掺杂浓度为4×1018‑6×1018cm‑3，厚度为150‑200nm；所述N型欧姆接触层为N型GaP层，其掺杂浓度为4×1018‑6×1018cm‑3，厚度为60‑120nm。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN114823999B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210720480.3
申请日：2022-06-24
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种具有氮极性接触层的LED外延结构及其制备方法，结构包括依次层叠的衬底、缓冲层、三维成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层，LED外延结构还包括层叠于P型GaN层上的氮极性P型欧姆接触层，氮极性P型欧姆接触层包括至少一氮极性P型InxGa1‑xN层。上述具有氮极性接触层的LED外延结构及其制备方法，通过设置氮极性P型InxGa1‑xN层用于形成氮极性P型欧姆接触，解决了现有技术中难以形成P型欧姆接触的缺陷。
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公开(公告)号：CN115295693A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210946829.5
申请日：2022-08-09
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括复合电子阻挡层，复合电子阻挡层为超晶格结构，复合电子阻挡层包括M个周期交替层叠的第一子层以及第二子层；第一子层为p型掺杂EraAlbGa1‑a‑bN层，第二子层为p型掺杂GaN层。通过将现有的p型AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层转变成周期性依次层叠的p型掺杂EraAlbGa1‑a‑bN层和p型掺杂GaN层，可以实现异质结界面上的晶格匹配，消除界面应力，避免EraAlbGa1‑a‑bN势垒高度下降，保持良好的电子阻挡能力，有效提高LED的光电效率。
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公开(公告)号：CN114975704B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210918847.2
申请日：2022-08-02
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延片及制备方法，LED外延片包括多量子阱层，多量子阱层包括交替排布的InGaN量子阱层及含Sc组分量子垒层，含Sc组分量子垒层包括交替排布的第一子层和第二子层，第一子层为GaN层，第二子层为ScAlGaN层。通过依次层叠的GaN层和ScAlGaN层，采用GaN/ScAlGaN的超晶格结构，提高了多量子阱层中对电子的势垒高度，减少了电子的泄漏。ScAlGaN层和GaN层依次层叠，可实现面内晶格常数匹配和无应变材料生长，从而降低器件有源区位错密度，减小位错散射和漏电通道，提升器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN114864762B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210807191.7
申请日：2022-07-11
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L21/02 , H01L21/335 , H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/52
摘要： 本发明提供一种低缺陷密度硅基氮化镓半导体外延片及其制作方法，包括：硅衬底、复合缺陷过滤层和氮化物功能层；复合缺陷过滤层包括第一缺陷过滤层、第二缺陷过滤层及第三缺陷过滤层；第一缺陷过滤层、第二缺陷过滤层及第三缺陷过滤层生长过程中的生长压力逐次增加，通入氢气流量及均值生长温度均逐次减小；第一缺陷过滤层包括M层生长温度逐层增加，V/III比逐层减少的AlN层；第二缺陷过滤层包括N层Al组分逐层减少，V/III比逐层增加的AlaGa1‑aN层；第三缺陷过滤层包括L层生长压力逐层增加的GaN层。本发明解决了现有AlN和AlGaN材料层侧向生长不强烈，位错密度高的问题。
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公开(公告)号：CN114824004B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210745525.2
申请日：2022-06-29
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，外延片包括：衬底、第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；多量子阱层包括量子阱层以及复合量子垒层；复合量子垒层包括掺Be的AlzGa1‑zN层，沿N型GaN到P型GaN层的方向，AlzGa1‑zN层中Be的掺杂浓度以及Al组分均逐渐增大，本发明解决了现有技术中有效电子空穴复合大部分发生在多量子阱的最后几个量子阱中，使得有效的辐射复合发光面积较小，影响发光效率，同时Mg掺杂电离能较高，限制了P型GaN中空穴的浓度，进而影响辐射复合效率的技术问题。
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公开(公告)号：CN115036206A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210605460.1
申请日：2022-05-31
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种图形化蓝宝石衬底的回收再利用方法，应用于外延片上，外延片包括衬底和具有第二子层和第一子层的GaN外延层，该方法包括：通过测量装置分别测量第一子层的厚度和第二子层的厚度，将外延片置入反应腔体中，在反应腔体中通入蚀刻气体，根据蚀刻气体的刻蚀速率和第一子层的厚度，控制蚀刻气体对第一子层的刻蚀时间，以去除第一子层，将去除第一子层后的外延片置于烤炉中，设定烤炉的烘烤温度至第一预定温度，以对层进行第一次裂解，将烤炉的烘烤温度调整至第二预定温度，以对第二子层进行第二次裂解，通过本发明的方法，解决了现有技术中因容易损伤到衬底的表面，导致外延片的回收率较低的问题。
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