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公开(公告)号：CN102424577A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110278893.2
申请日：2011-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：（1）Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；（2）V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；（3）预烧能增强粉体活性；（4）分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。
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公开(公告)号：CN119320273A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411474160.X
申请日：2024-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸钡的高储能高熵陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：Ba0.2[(K0.5Na0.5)Bi]x(SrCaMg)(2/3)(0.4‑x)TiO3；x＝0.16‑0.20。本发明通过将在BaTiO3中引入六种A位阳离子(K、Na、Bi、Sr、Ca和Mg)来构建高熵陶瓷，以优化其结构从而提高其储能性能。根据离子特性将引入的离子分为铁电相和非铁电相两组，并使铁电相和非铁电相达到相对平衡。材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。
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公开(公告)号：CN116751053B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310799881.7
申请日：2023-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种高储能陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑Al3+；或者(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30。本发明通过优化陶瓷材料的组成，使材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。
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公开(公告)号：CN115028856A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210686215.8
申请日：2022-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种PVA‑PU基自修复凝胶，所述PVA‑PU基自修复凝胶由以下制备方法获得：（1）分别配制20‑30wt%浓度的聚乙烯醇溶液和10‑15wt%浓度的四硼酸钠溶液；（2）将所述聚乙烯醇溶液与聚氨酯水溶液混合，体积混合比10:（1‑10），搅拌并超声震荡20‑30s；（3）然后外加5‑40wt％的钛酸钡粉末或者0.1‑1wt％的MXene纳米片；（4）最后加入3‑8ml配制好的四硼酸钠溶液，静置30min以上形成凝胶。本发明具有强自修复能力外同时具有超强的拉伸性以及较强的可塑性，凝胶的导电及压电性能取决于凝胶中半导体和具有压电性能的填充材料，这种导电凝胶极强的修复性，使其在智能材料、可穿戴衣物和传感领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113121226B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110481507.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G7/06
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。
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公开(公告)号：CN113173786B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110526648.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种透明荧光铁电陶瓷材料，所述透明荧光铁电陶瓷材料的化学式为：[0.95K0.5Na0.5NbO3‑0.05Sr(Bi0.5Nb0.5)O3]‑0.1％Ho‑x％Yb，x＝0.5～2。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3，提高了陶瓷材料的透光性能；在此基础上掺杂稀土元素Ho和Yb使陶瓷材料具有发光性能；并通过控制陶瓷材料中各种成分的含量，使得陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，同时兼具一定的铁电性。实验结果表明，本发明提供的陶瓷材料在保持一定透光性能的同时具备良好光致发光性能，且具有一定的铁电特性。
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公开(公告)号：CN111153698B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010046966.4
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明铁电陶瓷材料所述透明铁电陶瓷材料具有式I所示的化学组成：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Yb0.5Ta0.5)O3式I，其中，x＝0.01～0.06。本发明提供的透明铁电陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；同时通过调控第二组元的固溶比例，使透明铁电陶瓷材料的结构致密，有效提升了透明铁电陶瓷材料的透光性。本发明提供的透明铁电陶瓷材料具有优异的透光性能和铁电性能。
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公开(公告)号：CN109449313B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811241689.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶胶‑凝胶法制备有机发光二极管中空穴注入层的方法及构建的有机发光二极管，属于基本电气元件技术领域，该方法主要包括VOx前驱液的制备和空穴注入层的制备两个工艺环节，该方法中所使用的设备简单，合成工艺简单，易操作，且重复性好，由该方法获得的VOx前驱液具有水溶性、宽浓度耐受性、稳定性及优异的薄膜形态等优点，能够用于构建高性能的可见光或紫外有机发光二极管。
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公开(公告)号：CN112904089A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110060080.X
申请日：2021-01-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光介电材料的光介电响应测试仪及测试方法，所述测试仪包括计算机和可变波长光源、可多向平移的样品台、遮光板、LCR表，遮光板固定在旋转轴上，旋转轴带动遮光板旋转，遮光板上分布有透光部位与遮光部位，遮光板的透光部位布置有滤光片，样品台平移控制器、遮光板旋转轴控制器、可变波长光源和LCR表统一受计算机控制。本发明不仅能测试单光源下的不同测试频率的光介电响应，还可以测试不同波长以及不同光强下的光介电响应，同时可以利用遮光板实现开关特性的测试，是一套完备的光介电测试系统，它包含了不同光波长，不同光强度，不同信号频率等多种变化因素，节约了测试时间，降低了测试的劳动强度。
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