公开(公告)号：CN103280534A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310186916.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  许积文 ,  王华 ,  陈国华

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂型双空穴传输层的高效率低电压有机电致发光器件，包括顺序叠接的衬底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极、阳极由正向负连接反射金属阴极的外电路及从衬底射出的出射发光线，其特征是：空穴传输层为掺杂型双空穴传输层。该器件与传统空穴传输层构建的器件相比，其发光效率可以提高1.5-2倍，而驱动电压降低1V-1.5V。

公开(公告)号：CN102285792B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110162433.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  单旭 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y-u)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3+zMeaOb或(1-x-y-u-v)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3-v(Bi1/2Li1/2)TiO3+zMeaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102320828A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110162421.0

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周沁 ,  杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285794A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162422.5

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合钙钛矿结构化合物组成的无铅压电陶瓷，成分以通式(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3+zMaOb；(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)i(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示的无铅压陶瓷，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285793A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162423.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 成钧 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Ba(Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3–xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y-u)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3-v(Li1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102249659A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110162432.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  岑侦勇 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，它的组成通式为：（1-x-y）(BizM1-z)t(FeuM′1-u)O3–xBaTiO3–yBiMnO3，式中M为大离子半径的三价金属元素，M′为小离子半径的三价金属元素，x、y、u、t、z表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.1，0

公开(公告)号：CN101423391B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200810073906.0

申请日：2008-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  江民红 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，其主要特征是：以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiFeO3，其中0≤x≤0.1，0≤y≤0.05进行配料，用传统制陶工艺制成的陶瓷新产品。通过选择适当的x、y值及工艺参数，可使该体系的压电常数d33达250pC/N以上，平面机电耦合系数kp可达0.51以上，居里温度在365℃以上，200℃以下介电损耗(tanθ)低于3％，400℃以下介电损耗(tanθ)低于7％，烧结温度在1130℃以下。

公开(公告)号：CN101423391A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810073906.0

申请日：2008-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  江民红 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种新型铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，其主要特征是：以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1－x－y)(K0.5Na0.5)NbO3－x LiSbO3－yBiFeO3，其中0≤x≤0.1， 0≤y≤0.05进行配料，用传统制陶工艺制成的陶瓷新产品。通过选择适当的x、y值及工艺参数，可使该体系的压电常数d33达250pC/N以上，平面机电耦合系数kp可达0.51以上，居里温度在365℃以上，200℃以下介电损耗(tanθ)低于3％，400℃以下介电损耗(tanθ)低于7％，烧结温度在1130℃以下。

公开(公告)号：CN114933415B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202110687186.2

申请日：2021-06-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚飞 ,  陈国华 ,  许积文

IPC: C03C10/02 ,  C03C4/16 ,  C03B5/16 ,  C03B25/00 ,  C03B32/02 ,  C03C17/10

Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高储能高温稳定性的微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(A4X2Z4Nb10O30)‑y(aP2O5‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；所得的微晶玻璃材料的实测放电储能密度可达7.36J/cm3@1100kV/cm，峰值功率密度可达2282MW/cm3；在400kV/cm的场强下，其场致应变为0，实测放电储能密度1.00‑1.50J/cm3，在25‑100℃的温度区间内实现至少300圈充放电循环，而性能没有劣化；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。

公开(公告)号：CN114890676B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202110685704.7

申请日：2021-06-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚飞 ,  陈国华 ,  许积文

IPC: C03C10/02 ,  C03C4/16 ,  C03C17/10 ,  C03B5/16 ,  C03B25/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(AXO3)‑y(aSiO2‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；介电常数可在200‑1500范围内调节，直流耐击穿强度范围为0.9‑2.0MV/cm，最高理论储能密度达71.6J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制备；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。