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公开(公告)号：CN108706971B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810670093.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107151138B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710301046.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/88 , C04B41/80 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108558391A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/622 , C04B35/62842 , C04B35/62886 , C04B35/62894 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3241 , C04B2235/3293 , C04B2235/656 , C04B2235/667 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数 =2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107032786A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710330694.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑ xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104891821B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510220449.3
申请日：2015-05-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种应用不同浓度的前驱液制备多层BiFeO3薄膜的方法，所述方法包括：(1)将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·5H2O溶于乙二醇甲醚和乙酸酐混合而成的混合液中，分别配置出高浓度的A前驱液和低浓度的B前驱液。(2)在基片上旋涂A前驱液或B前驱液，并将其烘烤、冷却，得到单层BiFeO3薄膜。(3)在单层BiFeO3薄膜上再旋涂B前驱液或A前驱液，并将其烘烤、冷却，得到双层BiFeO3薄膜。(4)根据厚度需要交替旋涂A前驱液或B前驱液并烘烤、冷却，得到多层BiFeO3薄膜。本发明通过高、低浓度层交替搭配来提高薄膜的致密性进而降低薄膜的漏电流，提高薄膜的铁电性能，而且可以保证薄膜的制备效率。
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公开(公告)号：CN103187527B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310067831.6
申请日：2013-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。
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公开(公告)号：CN116751053A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310799881.7
申请日：2023-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种高储能陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：（1）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑Al3+；（2）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Ba5LaTi3Ta7O30‑Sb3+；（3）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑（Sr0.7Ba0.3）5LaNb7Ti3O30‑Ta5+；（4）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Ba5LaTi3Ta7O30‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30；（5）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30。本发明通过优化陶瓷材料的组成，使材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。
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公开(公告)号：CN114436641B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210197348.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN110483038B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201910863077.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域，特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷，其元素组成为(1‑x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3)‑xCs2Nb4O11，x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成，尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下，实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3组分结合，获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明，本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3，储能效率可达45％，具有优良的储能性能。
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