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公开(公告)号：CN203787436U
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201420160476.7
申请日：2014-03-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种具有积累效应的场效应晶体管，其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，在承受反压时，利用沟槽间有效距离形成全部空乏区，实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度，同时可增加外延浓度，降低外延电阻率，保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压，并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域，加上沟槽底部的厚氧化层，既保证承担反压，又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应，在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷，形成一层高浓度的导电通道，电流经此通道导通，不须经过电阻较高的外延层，从而进一步降低了导通时的内阻。
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公开(公告)号：CN203179872U
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201320134900.6
申请日：2013-03-22
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开一种新型引线框架，主要由多个规整排列的引线框架单元以及将上述多个引线框架单元连接在一起的筋架构成；其中每个引线框架单元包括1个贴片区域和2个脚位区域，贴片区域和2个脚位区域三者相互区隔独立；所述贴片区域呈一个上宽下窄的类梯形，即贴片区域的上部具有2个向外张开的双翼；2个脚位区域在水平方向上分别处于贴片区域的左右两侧，2个脚位区域在垂直方向上则分别位于贴片区域的双翼的下方。本实用新型具有散热面积大、且能更好地满足大尺寸芯片产品的贴片和焊线要求的特点。
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公开(公告)号：CN205449888U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521130425.0
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G01N29/036
Abstract: 本实用新型公开了氢气检测系统，采用超声谐振腔传感器检测氢气浓度，利用氢气进入谐振腔，利用声波传导速度发生变化导致谐振频率的变化的特性，获取氢气浓度，灵敏度高；在各检测端和接收端设置无线传输模块，实现氢气的遥测，能实现多地点的氢气检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204984904U
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201520771374.3
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F04C29/00 , F04C18/344
Abstract: 本实用新型公开了一种油式旋片真空泵自动加油装置，该装置包括开设于真空吸气口下方外壁上的进油口、金属管、流量控制阀门、吸油管道，所述金属管的一端与进油口相连接，另一端连接流量控制阀门；所述吸油管道的一端连接流量控制阀门，另一端为自由端伸入真空泵油桶中。本实用新型可以达到在连续运转不停机的情况下给真空泵进行自动加油，利用运行时真空泵吸气口所产生的负压吸入真空泵油，并通过流量控制阀门进行调节流量大小，操作方便、简单、快速，进一步减少了对生产的影响，在一定程度上可有效的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN204720429U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520479116.8
申请日：2015-07-06
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/673
Abstract: 本实用新型公开了一种用于料盒封口的弹性卡扣，包括盒体，其中，在盒体内部设置有弹性锁紧装置，所述弹性锁紧装置包括底板、固设于底板上的侧板以及弹性组件，所述侧板上开有导向孔，所述弹性组件包括穿过导向孔的L型滑杆、套设于L型滑杆的弹簧和挡块、定位销以及固设于L型滑杆端部的支撑板，所述L型滑杆上开有定位孔，所述定位孔中插有定位销。本实用新型通过在盒体内部设置有弹性锁紧装置，该弹性锁紧装置可以在盒体内部任意高度位置处扣住盒体内壁，封住了料盒的盒口，防止了料盒在翻到的情况下料倒出料盒，大大降低了产品的成本。
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公开(公告)号：CN203386760U
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201320432785.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种掩埋式势垒分压场效应管，其主要由背金层、N+衬底、掩埋层、工作层和焊区组成；掩埋层设置在N+衬底的上方；第二N型外延层位于掩埋层的上方，焊区设置在第二N型外延层的上方；背金层（1）涂覆在N+衬底的下表面；在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度，提前掩埋分压势垒，并以与栅极相似的网格结构连接到源极，分两层制作高压功率场效应器件，当源极和漏极有电压（不导通）时，掩埋的势垒之间形成耗尽层，起到耐压的作用。同时，上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极形成耗尽层，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，可以大幅减少栅极开关时的充电时间，从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN202948935U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220475976.0
申请日：2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本实用新型公开一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其通过在原有硅外延层的上方增设一层附加硅外延层，这样有多个掩埋体掩埋在附加外延表面以下，形成多个隔离的PN结，在反向电压的情况下，这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响，因而减少反向电压增加对反向漏电变大的负面效应，并且肖特基势垒介面也保持其原先的面积，在正向电压情况下，可以保持其正向电流导通的功能及效率。
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公开(公告)号：CN202940228U
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201220580520.0
申请日：2012-11-06
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开一种半导体集成晶体管的封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，该塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔。上述塑封体的长度为2.9毫米，宽度为1.5毫米，高度为0.9毫米。本实用新型能够在保证引线框架的密度达到SOT-23型的前提下，功耗达到SOT-23-3L型的要求。
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