公开(公告)号：CN103014686A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210518916.7

申请日：2012-12-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  高书明 ,  许积文 ,  周尚菊 ,  杨玲

IPC: C23C20/08 ,  H01G9/20

Abstract: 本发明公开了一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法，包括以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，采用化学溶液沉积(CSD)工艺方法制备Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的非对称透光阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次旋涂，分层预热的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的性能，特别是具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）所制备的薄膜为非对称结构电容，可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。

公开(公告)号：CN102255045A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110224038.3

申请日：2011-09-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  高书明 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种MgxZn1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，它是以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底；将配制好的MgxZn1-xO溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜，并进行低温烘干处理；将烘干处理过的薄膜进行预热处理；直至获得所需厚度的MgxZn1-xO薄膜；对上述MgxZn1-xO薄膜进行退火处理，使薄膜晶化；样品自然冷却后即可获得MgxZn1-xO电致阻变薄膜；再在薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxZn1-xO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。本发明的优点是：（1）能够大面积制膜，成本低；（2）具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。

公开(公告)号：CN112830781B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202110068249.6

申请日：2021-01-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供了一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的无铅透明铁电陶瓷材料的化学组成为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Bi0.5Nb0.5)O3，x＝0.02～0.07。本发明以KNN铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；通过控制第二组元的固溶比例，有效调控陶瓷的相结构，使陶瓷处在四方相和立方相两项共存的伪立方相结构，显著提高陶瓷的透过率，并使陶瓷材料具备较好的铁电性能。本发明提供的透明铁电陶瓷材料不含铅，且具有良好的透光性能和铁电性能，是一种光、电功能共存且可调控的多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN114560712A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210165519.X

申请日：2022-02-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  D01F9/08

Abstract: 本发明公开了一种热蒸发镀膜陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材包括与原料粉体共同构成异质结构的结构材料，所述结构材料为与原料粉体相同化学组份的陶瓷纤维和/或陶瓷片，所述陶瓷纤维的长度为5‑100μm，直径为0.2‑6μm；所述陶瓷片的厚度为2‑10μm、宽度为20‑60μm；结构材料在陶瓷靶材中的占比为10‑35wt%。本发明通过在靶材原料中添加同种材质的陶瓷纤维、陶瓷片或者两者组合，使陶瓷靶材坯体在烧结后形成一种异质结构，在不影响镀膜质量的前提下，解决陶瓷靶材热蒸发时热冲击应力过大易造成开裂的问题。

公开(公告)号：CN114436641A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210197348.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华 ,  周贤界

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN111484326B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202010271654.3

申请日：2020-04-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  胡岗斌 ,  王名昌 ,  汪江婷 ,  刘浩男 ,  杨玲

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Yb0.5Ta0.5)O3‑yM，M为Er或Ho，x＝0.01～0.06，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有较好的透光性能和上转换光致发光性能以及铁电性能，是一种多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN113429205A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110806711.8

申请日：2021-07-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/74

Abstract: 本发明提供了一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明下转换光致发光陶瓷材料，化学式为0.94K0.5Na0.5NbO3‑0.06Sr(Bi0.5Nb0.5)O3,x％Ce，x＝0.1～0.4。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；在此基础上掺杂稀土Ce，使陶瓷材料同时具有良好的透光性和下转换发光性能。本发明通过控制上述陶瓷材料中各种成分的含量，使所述陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，是一种多功能光电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN106747440B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201611201094.4

申请日：2016-12-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘国保 ,  王华 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  杨玲 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式用(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(Me0.5Nb0.5)O3所表示，其中A为Ca、Sr、Ba中的一种或两种，Me为Al、In、Yb或两种，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.6。所述制备方法采用固相法制备粉体，不添加任何粘结剂，低压成型。产品同时具有高的可见光透光率和优良的电储能性能，以及介电损耗低、制备成本低、无铅环保、实用性好。

公开(公告)号：CN111153698A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010046966.4

申请日：2020-01-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  胡岗斌 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  汪江婷 ,  曾卫东 ,  王名昌

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供了一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明铁电陶瓷材料所述透明铁电陶瓷材料具有式I所示的化学组成：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Ta0.5)O3式I，其中，x＝0.01～0.06。本发明提供的透明铁电陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；同时通过调控第二组元的固溶比例，使透明铁电陶瓷材料的结构致密，有效提升了透明铁电陶瓷材料的透光性。本发明提供的透明铁电陶瓷材料具有优异的透光性能和铁电性能。

公开(公告)号：CN110041074A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910478416.7

申请日：2019-06-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  孙亚兵 ,  王华 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Nb0.5)O3-yM，M为Er或Ho，x＝0.05～0.35，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有上转换光致发光性能。本发明提供的陶瓷材料同时具备较好的上转换发光性能和铁电性能，而且透光性较好，是一种多功能陶瓷材料。