一种制备高熵合金涂层的方法
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    发明公开

    公开(公告)号:CN114752910A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210439957.0

    申请日:2022-04-25

    IPC分类号: C23C14/48 C22C30/00

    摘要: 为解决现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在缺陷的技术问题,本发明实施例提供一种制备高熵合金涂层的方法,包括:将含有用于制备高熵合金涂层所需金属元素的金属材料作为离子注入MEVVA源的阴极材料;通过离子注入的方式在金属基体表面上注入金属材料含有的金属的金属离子,以在基体表面形成合金相涂层。本发明实施例解决了现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在的金属基体和高熵合金涂层结合力较差的缺陷,制备出了与基体附着力牢固的高熵合金涂层。

    一种使聚四氟乙烯表面具备超疏水性的制备方法

    公开(公告)号:CN113913770A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111151441.8

    申请日:2021-09-29

    IPC分类号: C23C14/48

    摘要: 本发明属于材料制备技术,具体涉及一种使聚四氟乙烯表面具备超疏水性的制备方法,清洗聚四氟乙烯材料表面,材料表面吹干,材料浸入无水乙醇超声清洗,聚四氟乙烯材料表面注入Ti离子。其接触角显著提升,并且防止长时间之后接触角不发生明显变化,表明疏水性能较好,性能稳定。不改变有机材料自身的性能,也没有改变弹性模量、屈服强度、耐疲劳强度等力学性能、电导率、电阻率、介电性能等电学性能,在这个过程中不产生废水废气,因此极大的简化了超疏水性材料表面的制备工艺,操作简便,同时能够解决目前制备超疏水性材料表面的其它方法的不足之处,诸如水热法污染环境的问题。

    一种双环电极共面放电等离子体发生装置

    公开(公告)号:CN109831866A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201711180889.6

    申请日:2017-11-23

    IPC分类号: H05H1/24

    摘要: 本发明属于低温等离子体技术领域,具体涉及一种双环电极共面放电等离子体发生装置。本装置由电源和埋藏在介质层内的双环形电极单元紧密排列而成;所述双环形电极单元包括内环电极和外环电极,内环电极和外环电极均埋藏在介质层内一定深度,内环电极接地,外环电极连接高压电源的高频、高电压电极,多个双环形电极单元组合后可以产生大面积均匀等离子体,在所述的内环电极和外环电极之间的介质层表面,在高电压作用下产生共面放电等离子体,等离子体分布均匀。

    具有缝隙电绝缘结构的辉光放电电极

    公开(公告)号:CN103903930A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201210574543.5

    申请日:2012-12-26

    IPC分类号: H01J1/02

    摘要: 本发明一种辉光放电电极,具体公开一种具有缝隙电绝缘结构的辉光放电电极,该电极包括真空引线、设置在真空引线一端的电极、套在真空引线和电极外的和屏蔽罩其中,所述的屏蔽罩与真空引线之间设有绝缘子,电极、真空引线与屏蔽罩之间均形成缝隙;所述的缝隙的间距为5~20mm,绝缘子远离电极的头部,绝缘子为纯度大于等于的Al2O3陶瓷材料。本发明的电极结构简单;具有良好的电绝缘性能和耐中子辐照性能;同时能够避免对周围系统产生寄生放电和射频干扰;无需定期维修,或延长定期维修间隔时间,满足聚变实验堆对回光放电电极的安全性和可靠性要求;该电极既适用于聚变实验堆,也适用于有特殊要求的超高真空装置的辉光放电电极。

    一种双环电极共面放电等离子体发生装置

    公开(公告)号:CN207531152U

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201721581779.6

    申请日:2017-11-23

    IPC分类号: H05H1/24

    摘要: 本实用新型属于低温等离子体技术领域,具体涉及一种双环电极共面放电等离子体发生装置。本装置由电源和埋藏在介质层内的双环形电极单元紧密排列而成;所述双环形电极单元包括内环电极和外环电极,内环电极和外环电极均埋藏在介质层内一定深度,内环电极接地,外环电极连接高压电源的高频、高电压电极,多个双环形电极单元组合后可以产生大面积均匀等离子体,在所述的内环电极和外环电极之间的介质层表面,在高电压作用下产生共面放电等离子体,等离子体分布均匀。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种光诱导场致发射阴极电子发射装置

    公开(公告)号:CN209912832U

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201821895948.8

    申请日:2018-11-16

    IPC分类号: H01J1/304 H01J1/34

    摘要: 本实用新型涉及电子发射装置领域,具体涉及一种光诱导场致发射阴极电子发射装置。本装置包括阴极、阳极、发光器件、光学组件、直流高压电源,阴极与阳极连接到高压直流电源;阴极与阳极平行,都垂直于水平线,阴极表面为的薄膜材料覆盖,在单色光作用下,阴极上的薄膜材料表面内电子获得光子的能量而产生自由载流子吸收、晶格吸收或激子吸收产生较高能量电子。本装置在不影响阴极电子发射装置微型化的基础上,有效地提高场致发射阴极电子源的发射电子的电流密度,同时有效降低场致电子发射对电源的要求,并且可实现表面优异的电子发射特性和优异的导电性能的结合,进而获得优异的场致发射特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种制备大面积镓离子源的装置

    公开(公告)号:CN221827827U

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202323402058.2

    申请日:2023-12-13

    IPC分类号: H01J37/08 C23C14/34 H01J37/32

    摘要: 本实用新型公开了一种制备大面积镓离子源的装置,涉及离子源技术领域。该装置包括外壳,外壳的侧壁上具有多个气孔;冷却底座,安装在外壳内,冷却底座的顶端开设有放置槽;安装壳,安装在放置槽的槽底;内磁钢,放置在安装壳内;外磁钢,数量为两个,两个外磁钢分别安装在冷却底座相对的两侧壁上;电源,与冷却底座、内磁钢以及两个外磁钢电连接。通过内磁钢与外磁钢的配合,产生平行于架金属块表面的磁场,然后通电加速电子,在通过气孔输入工作气体,产生等离子体,等离子体中离子和电子进一步溅射电离镓金属块产生纳米级镓金属离子,因此产生电等离子体速度非常快,使得本实用新型提供的制备大面积镓离子源的装置更便于制备大面积氮化镓薄膜。