记录层、光信息记录介质、溅射靶

    公开(公告)号:CN109493887A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811043504.6

    申请日:2018-09-07

    Inventor: 田内裕基

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种可抑制层数的增加且满足各种要求特性的记录层及光信息记录介质与形成它们的溅射靶。本发明的记录层为通过激光光的照射来进行记录的光信息记录介质用记录层,且含有钨氧化物及钴氧化物,相对于全部金属原子而言的钴原子的含量为超过10原子%且70原子%以下。本发明的光信息记录介质包括所述记录层。

    记录膜、光学信息记录介质以及溅射靶

    公开(公告)号:CN101260484A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810083440.2

    申请日:2006-02-07

    Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质,所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性),本发明包括如下:(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜,其热导率为0.8W/Kcm或更小,对波长为0.3μm~1.0μm的光的光吸收率为15%或更高,熔融温度为300~800℃,(2)光学信息记录介质,其中记录膜包括如上所述的记录膜,以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。

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