公开(公告)号：CN102422416B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980159246.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 永冈达司 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种具备半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管区和IGBT区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区。在二极管漂移区内，形成有二极管寿命控制区。二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命。二极管寿命控制区的IGBT区侧的端部位于分离区的下方。

公开(公告)号：CN102318072B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201080008205.4

申请日：2010-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 本发明提供了一种具有在同一个半导体衬底中的IGBT元件区和二极管元件区的反向导电型半导体器件。电流检测区与所述IGBT元件区相邻布置，并且所述IGBT元件区的集电极区延伸以与电流检测区的集电极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的IGBT检测电流中的不稳定性。以相同的方式，电流检测区与所述二极管元件区相邻布置，并且二极管元件区的阴极区延伸以与所述电流检测区的阴极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的二极管检测电流中的不稳定性。

公开(公告)号：CN102017140B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980116449.1

申请日：2009-04-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/34 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种半导体装置，具有：第1层叠体，其依次包括第1散热板(110)、第1绝缘层(112)、第1导电层(113)以及第1半导体元件(10)；第2层叠体，其依次包括第2散热板(121)、第2绝缘层(122)、第2导电层(123)以及由不同于所述第1半导体的半导体材料形成的第2半导体元件(20)；连接部(130)，其对所述第1导电层和所述第2导电层进行电连接，其中，所述第1层叠体和所述第2层叠体之间处于热绝缘状态。

公开(公告)号：CN102804359A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980159805.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其在同一半导体基板内形成有IGBT元件区、二极管元件区、被设置于IGBT元件区与二极管元件区之间的边界区，在IGBT元件区中的第一导电型的第一体区内设置有第二导电型的载流子累积区。在边界区中，于第一导电型的第二扩散区内，设置有延伸至与载流子累积区相接为止的第二导电型的第三扩散区。由此，能够在IGBT工作时，对载流子穿过边界区而向二极管元件区移动的情况进行抑制，从而降低通态电压。而且，能够在二极管反向恢复时，对载流子在边界区的漂移区中累积的情况进行抑制，从而降低反向恢复电流。

公开(公告)号：CN102414817A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980159079.X

申请日：2009-09-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管漂移区内形成有寿命控制区。二极管漂移区和IGBT漂移区在二极管区和IGBT区之间的边界区内连续。边界区内形成有第1分离区和第2分离区。第1分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与阳极区相接。第2分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与体区相接，且与第1分离区分离。

公开(公告)号：CN102318072A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008205.4

申请日：2010-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 本发明提供了一种具有在同一个半导体衬底中的IGBT元件区和二极管元件区的反向导电型半导体器件。电流检测区与所述IGBT元件区相邻布置，并且所述IGBT元件区的集电极区延伸以与电流检测区的集电极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的IGBT检测电流中的不稳定性。以相同的方式，电流检测区与所述二极管元件区相邻布置，并且二极管元件区的阴极区延伸以与所述电流检测区的阴极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的二极管检测电流中的不稳定性。

公开(公告)号：CN102017140A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980116449.1

申请日：2009-04-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/34 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种半导体装置，具有：第1层叠体，其依次包括第1散热板(110)、第1绝缘层(112)、第1导电层(113)以及第1半导体元件(10)；第2层叠体，其依次包括第2散热板(121)、第2绝缘层(122)、第2导电层(123)以及由不同于所述第1半导体的半导体材料形成的第2半导体元件(20)；连接部(130)，其对所述第1导电层和所述第2导电层进行电连接，其中，所述第1层叠体和所述第2层叠体之间处于热绝缘状态。

公开(公告)号：CN101897027A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120102.X

申请日：2008-12-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 青井佐智子 ,  杉山隆英 ,  铃木隆司 ,  添野明高 ,  西脇刚

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种IGBT(10)，具有n+型的发射区(34)、n-型的漂移区(26)、被设置在发射区(34)和漂移区(26)之间的p型的体区(28)、在体区(28)内从发射区(34)朝向漂移区(26)延伸的沟槽栅(40)、和与沟槽栅(40)的表面接触的绝缘体的突出部(60)。突出部(60)的至少一部分突出至漂移区(26)内。突出部(60)对从表面部半导体区供给的电子移动至沟槽栅(40)的下方的情况进行物理性抑制，由此，能够抑制空穴被该电子吸引而在沟槽栅(40)的下方集中的情况。其结果为，能够对栅电容由于载流子的集中而随时间变动的情况进行抑制，从而能够提供高耐压量的IGBT(10)。

公开(公告)号：CN115735264A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180045017.7

申请日：2021-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 野间诚二 ,  志贺智英 ,  千田厚慈 ,  西胁刚 ,  古村雄太 ,  添野明高

IPC: H01L21/28

Abstract: 具备：半导体衬底(10)；以及金属膜(22)，形成在半导体衬底(10)上，具有与半导体衬底(10)进行肖特基接合的部分，由对铝添加了元素的铝合金构成。金属膜(22)是将配置在半导体衬底(10)侧的下层金属层(22a)与配置在下层金属层(22a)上的上层金属层(22b)层叠而构成的。并且，下层金属层(22a)的沿着下层金属层(22a)与上层金属层(22b)的层叠方向的厚度为2.6μm以下。

公开(公告)号：CN107180862B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201710137727.8

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 添野明高 ,  久野敬史

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，其抑制第一金属层的裂纹，并确保开关元件的耐压，且降低开关元件导通时的电阻。在所述开关元件中，半导体基板具有第一元件范围和无效范围。第一沟槽跨及第一元件范围和无效范围而在第一方向上延伸。在第一元件范围内，于各个沟槽间区域内设置有多个第二沟槽。在无效范围内，于各个沟槽间区域内未设置有第二沟槽。在沟槽内配置有栅电极。在无效范围内，于层间绝缘膜上未设置有接触孔。第一金属层对层间绝缘膜进行覆盖。绝缘保护膜对无效范围内的第一金属层的外周侧的部分进行覆盖。第二金属层在绝缘保护膜的开口内与第一金属层相接并且与开口的侧面相接。