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公开(公告)号：CN103891139B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280051904.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/64 , H03H9/0042 , H03H9/02535 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/02834 , H03H9/02866 , H03H9/0585 , H03H9/14594 , H03H9/175 , H03H9/6433 , H03H9/6483 , H03H9/725
Abstract: 获得即使不连接附加电容也能调整频带宽度且传播损失足够小的弹性表面波装置。弹性表面波装置（1），使用切割角相同的压电体（4）而形成了多个弹性表面波元件（2、3），在各弹性表面波元件（2、3）中，至少一个弹性表面波元件（2）中的弹性表面波的传播方位（X1）与其他的至少一个弹性表面波元件（3）中的弹性表面波的传播方位（X2）不同，且在弹性表面波元件（2、3）中，在与压电体（4）的电极形成面相反侧的面，形成有将弹性表面波限制在压电体（4）侧的限制层（12）。
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公开(公告)号：CN105474541A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046102.5
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 神藤始
CPC classification number: H03H9/54 , H03H9/02559 , H03H9/1452 , H03H9/25 , H03H9/545 , H03H9/6433 , H03H2210/025
Abstract: 本发明提供频率可变范围宽且滤波器特性的陡峭性优越的可调谐滤波器。利用了洛夫波的可调谐滤波器(1)，频带扩展用电感被连接至压电谐振器(RS1、RS2)，可变电容(CP1、CS1或CP2、CS2)被连接至压电谐振器(RS1或RS2)，压电谐振器(RS1、RS2)具有LiNbO3基板与IDT电极，通频带及衰减频带位于比在LiNbO3基板中传播慢的横波的声速除以由IDT电极的周期所决定的波长而得到的值更低的低频域。
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公开(公告)号：CN104205629A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380015669.1
申请日：2013-03-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 神藤始
CPC classification number: H03H9/25 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/1873 , H01L41/253 , H01L41/277 , H01L41/29 , H01L41/312 , H01L41/314 , H01L41/39 , H03H3/10 , H03H9/02559 , H03H9/02574
Abstract: 本发明提供一种不仅可以实现高声速化，还不容易受到由成为乱真的其他模式而引起的响应的影响的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其具有铌酸锂膜(5)，并利用SH型表面波，具备：支撑基板(2)；高声速膜(3)，其形成在所述支撑基板(2)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的弹性波声速更高速；低声速膜(4)，其层叠在所述高声速膜(3)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的体波声速更低速；所述铌酸锂膜(5)，其层叠在所述低声速膜(4)上；和IDT电极(6)，其形成在所述铌酸锂膜(5)的一面，在将铌酸锂膜(5)的欧拉角设为(0°±5°，θ，0°)时，θ处于0°～8°以及57°～180°的范围内。
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公开(公告)号：CN102569640B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210012692.2
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/27
CPC classification number: H01L41/27 , G02F1/035 , H01L41/187 , H01L41/25 , H01L41/257 , H01L41/312 , H01L41/335 , H01L41/337 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板和支撑基板；b)从压电体基板的表面注入离子，在压电体基板内在距离表面规定深度的区域中形成缺陷层；c)对形成了缺陷层的压电体基板的表面和支撑基板的表面中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板的表面上接合支撑基板，形成基板接合体；e)采用形成于压电体基板内的缺陷层来分离基板接合体，从压电体基板剥离压电体基板的表面和缺陷层之间的剥离层，形成与支撑基板相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板的剥离层的表面进行平滑化。
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公开(公告)号：CN103765771A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042031.2
申请日：2012-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 神藤始
CPC classification number: H01L41/1871 , H01L41/0477 , H01L41/29 , H03H3/02 , H03H9/02157 , H03H9/0595 , H03H9/173 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种利用LiTaO3的厚度滑动模式且由电极膜厚、LiTaO3的厚度的偏差引起的电特性偏差小的压电体波装置(1)及其制造方法。具备：压电薄板(5)，其由LiTaO3构成；和第1电极(6)、第2电极(7)，被设置成与压电薄板(5)接合，利用由LiTaO3构成的压电薄板(5)的厚度滑动模式，第1电极(6)、第2电极(7)由具有比在LiTaO3中传播的横波的固有声阻抗大的固有声阻抗的导体构成，在将第1电极(6)以及第2电极(7)的膜厚总和设为电极厚度，将由LiTaO3构成的压电薄板(5)的厚度设为LT厚度时，电极厚度／(电极厚度+LT厚度)为5％以上、40％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103765769A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041628.5
申请日：2012-08-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 神藤始
CPC classification number: H01L41/183 , H01L41/18 , H01L41/29 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/0595 , H03H9/173 , Y10T29/42
Abstract: 得到利用LiTaO3的厚度切变振动模式且机电耦合系数k2高的压电体波装置。压电体波装置(1)具备：由LiTaO3构成的压电薄板(5)、和设置成与压电薄板(5)相接的第1、第2电极(6、7)，利用了由LiTaO3构成的压电薄板(5)的厚度切变振动模式，在LiTaO3的欧拉角(θ，ψ)中，为0°，θ处于54°以上且107°以下的范围内。
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公开(公告)号：CN101595641B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200880003074.3
申请日：2008-03-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/02921 , H03H9/0071 , H03H9/02858 , H03H9/02881 , H03H9/14538 , H03H9/14594
Abstract: 本发明提供一种弹性波元件。其可改善谐振频率附近的谐振特性，难以产生指状电极间的短路故障或绝缘性的变差。该弹性波元件(1)以与压电体相接的方式形成IDT电极(3)，IDT电极(3)具有多个指状电极，该多个指状电极包括在弹性波传播方向上相邻并且连接于不同电位的第一、第二指状电极(31)、(32)和隔着配置于第一指状电极(31)的指状电极长度方向外侧的间隙(33)而对置的第一虚设指状电极(34)，在间隙附近，在第一指状电极(31)以及第一虚设指状电极(34)之中的至少一个，以从至少一个指状电极的侧缘向弹性波传播方向突出的方式形成了第一凸部(11)～(14)指状电极。
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公开(公告)号：CN1894850B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200480037310.5
申请日：2004-12-02
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 神藤始
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/14538 , H03H9/6483
Abstract: 一种使用边界声波的小尺寸、高性能声界面波装置。通过使滤波器波带锐化，并且在单个衬底上制造波段具有不同特定带宽的谐振器和滤波器，获得所述装置。在声界面波装置(1)中，在单晶衬底(4)上形成固态层(5)，并且在单晶衬底(4)与固态层(5)之间设置电极。所述装置(1)包括使用具有相同切割角的单晶衬底(4)形成的边界声波元件(2，3)。边界声波元件(2)的传播方向与边界声波元件(3)的传播方向不同。
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公开(公告)号：CN101714858A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910222851.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0222 , H03H3/04 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
Abstract: 本发明提供一种频率偏差较小的声界面波装置的制造方法。该声界面波装置，按顺序叠层第1～第3媒质(1～3)、并且第1媒质(1)与第2媒质(2)间的界面上设有电极(5)。该制造方法中，准备叠层第1媒质(1)与第2媒质(2)，并在第1、第2媒质(1、2)的界面中设有电极(5)的叠层体，在该叠层体阶段，通过调整第2媒质(2)的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速，实施该调整后，形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质(3)。
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公开(公告)号：CN100586011C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200380109318.3
申请日：2003-12-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 神藤始
Abstract: 提供了一种利用SH型边界声波的边界声波器件，所述边界声波器件具有较大的机电系数，较小的传播损失、功率流通角和适当范围内的频率温度系数TCF，以及通过简单方法能够制造的简单结构。将介电物质层压在压电物质的一个表面上，将用作电极的IDT和反射器设置在压电物质和介电物质之间的边界处，并且确定电极的厚度，以便与在介电物质中传播的慢速横波以及在压电物质中传播的慢速横波相比，SH型边界声波的声速较低，从而形成一种边界声波器件。
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