公开(公告)号：CN106339122B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201610533726.0

申请日：2016-07-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉住健辅 ,  宍户英明 ,  渡边一德

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明题为触摸传感器及触摸面板。提供一种厚度薄的触摸面板。提供一种结构得到简化的触摸面板。减少触摸面板的构件个数。触摸传感器的一对布线分别比上述公共电极更接近于支撑发光元件的衬底一侧，在平面视图中具有位于邻接的两个像素电极之间的部分。并且，在一对布线上分别重叠地设置具有反锥形状的岛状结构体。在该结构体上具有电浮动的导电层。该导电层中的一个具有与一对布线中的一个重叠的部分。该导电层与公共电极由同一导电膜形成。

公开(公告)号：CN112578933A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011023410.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 久保田大介 ,  初见亮 ,  镰田太介 ,  楠纮慈 ,  渡边一德 ,  川岛进 ,  吉住健辅

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G06K9/00 ,  G06K9/20 ,  H01L27/32

Abstract: 本公开涉及显示装置、识别方法及程序。提供一种具有触摸检测功能和指纹的摄像功能的显示装置。显示装置包括发光元件及受光元件。发光元件包括第一像素电极、发光层及公共电极，受光元件包括第二像素电极、活性层及公共电极。第一像素电极和第二像素电极设置在同一面上。公共电极隔着发光层与第一像素电极重叠，并隔着活性层与第二像素电极重叠。第一导电层、第二导电层及绝缘层设置在公共电极的上方，绝缘层设置在第一导电层的上方，第二导电层设置在绝缘层的上方。受光元件具有接收发光元件所发射的光的功能。

公开(公告)号：CN112136170A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980031381.0

申请日：2019-04-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠纮慈 ,  江口晋吾 ,  塚本洋介 ,  渡边一德 ,  丰高耕平

IPC: G09F9/33 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L33/62

Abstract: 提供一种分辨率高的显示装置。缩减将微型LED用于显示元件的显示装置的制造成本。该显示装置包括衬底、多个晶体管及多个发光二极管。在衬底上以矩阵状设置多个发光二极管。多个晶体管的每一个与多个发光二极管中的至少一个电连接。多个发光二极管位于与多个晶体管相比更靠近衬底一侧。多个发光二极管向与衬底相反一侧发光。

公开(公告)号：CN111566722A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980007073.4

申请日：2019-01-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  川岛进 ,  楠纮慈 ,  丰高耕平 ,  渡边一德

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20

Abstract: 提供一种能够将高电压供应给显示器件的显示装置，该显示装置包括图像数据生成电路、源极驱动器电路及像素的显示装置。源极驱动器电路通过被用作信号线的第一及第二布线与像素电连接。像素包括作为液晶器件的显示器件，显示器件中的一个电极的电位可以为第一布线的电位，显示器件中的另一个电极的电位可以为第二布线的电位。图像数据生成电路具有生成包括第一及第二数据的数字图像数据的功能。在将对应于该数字图像数据的图像数据供应给像素时，将第一和第二布线中的一个设定为对应于第一数据的电位，将第一和第二布线中的另一个设定为对应于第一数据的电位。通过调换第一布线的电位和第二布线的电位，可以进行帧反转驱动等。

公开(公告)号：CN111542780A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201880084907.7

申请日：2018-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丰高耕平 ,  渡边一德 ,  川岛进 ,  高桥圭 ,  楠纮慈 ,  中田昌孝 ,  佐藤亚美

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 提供一种开口率高的液晶显示装置。该显示装置在像素中包括晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一导电层、像素电极、公共电极以及液晶层。第一绝缘层位于晶体管的沟道形成区域上。第一导电层位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于晶体管、第一绝缘层及第一导电层上。像素电极位于第二绝缘层上，第三绝缘层位于像素电极上，公共电极位于第三绝缘层上，液晶层位于公共电极上。公共电极具有隔着像素电极与第一导电层重叠的区域。像素包括像素电极与晶体管电连接的第一连接部及第一导电层与公共电极电连接的第二连接部。第一导电层、像素电极及公共电极都具有使可见光透过的功能。

公开(公告)号：CN111417997A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077499.2

申请日：2018-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  楠纮慈 ,  渡边一德 ,  川岛进 ,  丰高耕平 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种显示器。本发明提供一种微型发光二极管的相对于电流密度的色度变化小的显示器。本发明提供一种在静态图像的显示中可以降低驱动电路的功耗的显示器。本发明的一个方式是一种显示器，该显示器包括多个像素，多个像素各自包括显示元件及微控制器，微控制器包括第一晶体管、三角波生成电路、比较器、开关以及恒流电路，第一晶体管在关闭状态时具有保持对应于写入到像素的数据的电位的功能，三角波生成电路具有生成三角波的信号的功能，比较器具有生成对应于电位、三角波的信号的输出信号的功能，开关具有根据输出信号控制是否使流过恒流电路的电流流过显示元件的功能。

公开(公告)号：CN111417895A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077376.9

申请日：2018-12-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠纮慈 ,  高桥圭 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  小野谷茂

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

Abstract: 本发明的目的是提供一种显示质量高的显示装置。本发明的显示装置包括像素及源极驱动电路。像素包括第一晶体管、第二晶体管(21、22)、电容元件(25)及显示器件(26)。源极驱动电路与第一布线及第二布线(31、32)电连接。第一布线(31)通过第一晶体管(21)与电容元件(25)中的一个电极及显示器件(26)中的一个电极电连接。第二布线(32)通过第二晶体管(22)与电容元件(25)中的另一个电极及显示器件(26)中的另一个电极电连接。

公开(公告)号：CN108121123A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711231700.1

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  中泽安孝 ,  渡边一德 ,  楠纮慈

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1229 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G02F2203/01 ,  G06F3/033 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  G02F1/136286

Abstract: 本发明提供一种开口率高的液晶显示装置。此外，本发明提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。

公开(公告)号：CN107204650A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710507793.X

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  渡边一德 ,  高桥实

IPC: H02J7/00

Abstract: 本发明获得不使用模拟/数字转换器并且耗电量小的充电装置。一种对蓄电池进行充电的充电装置，该充电装置包括：取出对应于蓄电池的充电电流的电流的电路；通过周期性地流过对应于充电电流的电流来积蓄电荷的电路；当电荷被积蓄的电路的电位为基准电位以上时输出指示结束该蓄电池的充电的信号的电路。通过周期性地流过充电电流的一部分来积蓄电荷的电路包括：根据向栅极输入的脉冲信号处于导通状态或截止状态且将氧化物半导体用于沟道形成区域的晶体管；与晶体管电连接且通过处于导通状态的晶体管流过充电电流的一部分来积蓄电荷的电容元件。

公开(公告)号：CN102668062A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080047983.4

申请日：2010-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  野田耕生 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  原田光

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06F15/76 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。