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公开(公告)号：CN115803910A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180048953.3
申请日：2021-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/38
Abstract: 提供一种劣化少的电极或劣化少的二次电池。本发明的一个方式是一种电极，包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括含有硅的粒子，第二区域包括含有硅的粒子及石墨烯化合物，并且，第二区域覆盖第一区域的至少一部分并与其接触。另外，该电极包括多个含有硅的粒子及石墨烯化合物，多个含有硅的粒子的每一个在表面的至少一部分具有含有氧及碳的官能团、含有氧的官能团或氟原子，石墨烯化合物在石墨烯化合物的面上包含被氢终结的碳和被氟终结的碳中的至少一个，石墨烯化合物以密切缠绕多个含有硅的粒子的方式接触于多个含有硅的粒子。含有硅的粒子优选包含非晶硅或多晶硅。
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公开(公告)号：CN115280555A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180022195.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种充放电容量大的正极活性物质。提供一种充放电电压高的正极活性物质。提供一种劣化少的蓄电装置。提供一种安全性高的蓄电装置。提供一种新颖的蓄电装置。正极活性物质包含锂、多个过渡金属、氧及杂质元素。正极活性物质包括具有表层部的第一区域及设置于内部的第二区域，第一区域的过渡金属的浓度比所述第二区域高。在第一区域与第二区域之间包含杂质区域。
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公开(公告)号：CN113711270A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080027274.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06T7/00 , G09F9/30 , G09F9/33 , H01L27/32 , G06T1/00 , A61B5/1171 , A61B5/1172 , A61B5/1455 , G06F3/01 , G06F3/041 , G06F3/042 , H01L51/50
Abstract: 提供一种具有光检测功能的显示装置。提供一种具有以指纹识别为代表的生物识别的功能的显示装置。提供一种具有触摸面板的功能及生物识别的功能的显示装置。显示装置包括第一衬底、导光板、第一发光元件、第二发光元件以及受光元件。第一衬底与导光板被设置为彼此相对。第一发光元件及受光元件设置在第一衬底与导光板之间。第一发光元件具有通过导光板发射第一光的功能。第二发光元件具有对导光板的侧面发射第二光的功能。受光元件具有接收第一光并将其转换为电信号的功能及接收第二光并将其转换为电信号的功能。并且，第一光包含可见光，第二光包含红外光。
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公开(公告)号：CN110537369A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880025822.1
申请日：2018-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种从低分辨率的图像数据生成高分辨率的图像数据的图像处理方法及一种通过该图像处理方法工作的图像接收装置。本发明的一个方式是一种从低分辨率的图像数据生成高分辨率的图像数据的图像处理方法，其中，通过分割低分辨率的图像数据来生成多个第一图像数据，将多个第一图像数据的相邻的两个中的一个作为第二图像数据，将另一个作为第三图像数据，通过由像素数据补充第二图像数据的周围来生成第四图像数据，像素数据包括第三图像数据的一部分，进行将第四图像数据作为输入的卷积神经网络，卷积神经网络输出第五图像数据，并且，通过结合多个第五图像数据来生成高分辨率的图像数据。此外，本发明的一个方式是一种通过该图像处理方法工作的图像接收装置。
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公开(公告)号：CN102569662B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210028237.1
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0081 , H01L51/5092
Abstract: 本发明的目标是提供功能层，当发光元件被制造或驱动时该功能层能够保护发光元件而不会遭受物理或化学影响而失效，并通过提供这种功能层，在不增加驱动电压和降低透光度和色纯度的情况下延长元件的寿命和提高元件特性。本发明的一个特征在于：在通过在一对电极间插入含发光物质层形成的发光元件中，在部分含发光物质层中提供由用于发光元件的复合材料(复合材料包括含有至少一个乙烯基骨架的芳香烃和金属氧化物)制成的缓冲层。用以形成本发明缓冲层的发光元件用复合材料具有高电导率和优异的透明度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393860B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200810149494.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/2658 , H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的在于提供在绝缘膜上具有膜厚薄且其膜厚的均匀性高的单晶半导体层的SOI衬底的制造方法。另外，本发明的目的也在于缩短添加氢离子的时间，而缩短每一个SOI衬底的制造时间。在第一半导体片的表面上形成接合层，通过使用离子掺杂装置对第一半导体片照射H3+离子来在接合层的下方形成分离层。以高电压被加速的H3+离子在半导体片表面分离成三个H+离子，每个H+离子不能够侵入到半导体片的深处。因此，与已知的离子注入法相比，可以在半导体片的更浅的区域中以高浓度照射H+离子。
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公开(公告)号：CN102593367A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210025886.6
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0052 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H05B33/22 , Y10S428/917
Abstract: 发光器件包括一对电极和在一对电极之间提供的混合层。混合层包含不含氮原子的有机化合物，即不含有芳胺骨架的有机化合物，和金属氧化物。作为有机化合物，优选使用含有蒽骨架的芳烃。作为这样的芳烃，列举t-BuDNA、DPAnth、DPPA、DNA、DMNA、t-BuDBA等。作为金属氧化物，优选使用氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等。此外，当测量吸收光谱时混合层优选显示每1μm的吸光度是1或更小或在450-650nm的光谱中不显示明显的吸收峰。
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公开(公告)号：CN101676931B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910173652.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号：CN101847690A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910171034.6
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0059 , H01L27/3244 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H01L51/0072 , H01L51/5052 , H01L51/5206 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种发光元件，其包含有机化合物和无机化合物，而且具有低驱动电压。本发明的发光元件包括位于一对电极之间的多个层，所述多个层中包括一个层，其包含通式(1)表示的咔唑衍生物以及相对于所述咔唑衍生物表现出电子接受性质的无机化合物。通过使用这种结构，电子在咔唑衍生物和无机化合物之间传输，载流子在内部产生，因此可以降低发光元件的驱动电压。
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公开(公告)号：CN101676931A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173652.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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