公开(公告)号：CN101393860B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200810149494.4

申请日：2008-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  稻田工 ,  岩城裕司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于提供在绝缘膜上具有膜厚薄且其膜厚的均匀性高的单晶半导体层的SOI衬底的制造方法。另外，本发明的目的也在于缩短添加氢离子的时间，而缩短每一个SOI衬底的制造时间。在第一半导体片的表面上形成接合层，通过使用离子掺杂装置对第一半导体片照射H3+离子来在接合层的下方形成分离层。以高电压被加速的H3+离子在半导体片表面分离成三个H+离子，每个H+离子不能够侵入到半导体片的深处。因此，与已知的离子注入法相比，可以在半导体片的更浅的区域中以高浓度照射H+离子。

公开(公告)号：CN101393860A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810149494.4

申请日：2008-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  稻田工 ,  岩城裕司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于提供在绝缘膜上具有膜厚薄且其膜厚的均匀性高的单晶半导体层的SOI衬底的制造方法。另外，本发明的目的也在于缩短添加氢离子的时间，而缩短每一个SOI衬底的制造时间。在第一半导体片的表面上形成接合层，通过使用离子掺杂装置对第一半导体片照射H3+离子来在接合层的下方形成分离层。以高电压被加速的H3+离子在半导体片表面分离成三个H+离子，每个H+离子不能够侵入到半导体片的深处。因此，与已知的离子注入法相比，可以在半导体片的更浅的区域中以高浓度照射H+离子。