公开(公告)号：CN100411036C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510108548.9

申请日：2005-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中居司 ,  芦田纯生 ,  柚须圭一郎 ,  大间知笵威 ,  中村直正

IPC: G11B7/24 ,  B41M5/26

CPC classification number: G11B7/24038 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715

Abstract: 一种相变光学记录介质包括：一记录膜，其在光照射条件下引起晶相和非晶相两者间的可逆相变；以及一形成为与该记录膜其中至少一个表面接触的界面膜，其包含Hf(铪)、O(氧)、以及N(氮)。

公开(公告)号：CN101038765A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710087436.9

申请日：2007-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大间知范威 ,  中居司 ,  中村直正 ,  柚须圭一郎 ,  芦田纯生

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/007 ,  G11B7/085

CPC classification number: G11B7/24038 ,  G11B7/0053 ,  G11B7/24079 ,  G11B7/243 ,  G11B7/256

Abstract: 本发明提供了一种光盘，根据一个实施例，所述光盘包括：基片层(11)，其折射率从1.50到1.70，并且厚度X(μm)等于或大于f(n)－13μm；第一信息层(12)，形成于所述基片层上；粘合层(13)，形成于所述第一信息层上并且厚度Y(μm)等于或大于20μm；以及第二信息层(14)，形成于所述粘合层上，其中，满足X+Y≤f(n)+30μm并且f(n)＜X+Y/2，f(n)由下面公式给出：f(n)＝(A1×n3)(n2+A2)/(n2－1)(n2+A3)×1000(μm)，其中，“n”是所述基片层的折射率，A1是0.26200，A2是－0.32400，A3是0.00595。

公开(公告)号：CN100338660C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200410095853.4

申请日：2004-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小川昭人 ,  中村直正 ,  大间知范威 ,  柚须圭一郎

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/007 ,  G11B7/24 ,  G11B20/10 ,  G11B20/12

CPC classification number: G11B7/00736 ,  G11B7/268

Abstract: 一种盘(1)具有由结晶部分和非晶部分形成的突发切割区域(BCA)(10)，并且该盘(1)是结晶部分的反射率低于非晶部分的反射率的光盘(L-H介质)。BCA(10)中的结晶部分的宽度Wcry低于数据周期Wdat的一半。因此，不管光盘是H-L介质还是L-H介质，BCA再现信号的平均电平都不变，从而即使电路参数是缺省值，也可以执行聚焦控制和BCA码再现。

公开(公告)号：CN1627375A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410095853.4

申请日：2004-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小川昭人 ,  中村直正 ,  大间知范威 ,  柚须圭一郎

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/007 ,  G11B7/24 ,  G11B20/10 ,  G11B20/12

CPC classification number: G11B7/00736 ,  G11B7/268

Abstract: 一种盘(1)具有由结晶部分和非晶部分形成的突发切割区域(BCA)(10)，并且该盘(1)是结晶部分的反射率低于非晶部分的反射率的光盘(L－H介质)。BCA(10)中的结晶部分的宽度Wcry低于数据周期Wdat的一半。因此，不管光盘是H－L介质还是L－H介质，BCA再现信号的平均电平都不变，从而即使电路参数是缺省值，也可以执行聚焦控制和BCA码再现。

公开(公告)号：CN1494072A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03159492.1

申请日：2003-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大间知范威 ,  市原胜太郎 ,  柚须圭一郎 ,  芦田纯生 ,  中村直正 ,  塚本隆之

IPC: G11B7/24 ,  G11B11/00

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258

Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4)，该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化，位于衬底和反射层之间的第一介电层(2)，以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3)，该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。

公开(公告)号：CN1213867A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98114853.0

申请日：1998-05-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪俣浩一郎 ,  齐藤好昭 ,  柚须圭一郎 ,  市原胜太郎 ,  荻原英夫

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5615 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/12111

Abstract: 本发明提供了一种磁性元件,它包括有具有分散在电感应体基质中的强磁性微粒的、并且不显示超常磁性的、具有有限矫顽力的微粒磁性膜,以及强磁性膜。微粒磁性膜和强磁性膜以叠层或沿着基板表面并列设置的方式构成为强磁性隧道结合膜。强磁性隧道结合膜将微粒磁性膜作为屏障。通过使微粒磁性膜和强磁性膜中的一个磁性膜的自旋方向在外部磁场的作用下变化的方式,可以获得巨磁电阻效应。这种磁性元件特征在于磁电阻变化率大、饱和磁场小、并可以将元件电阻调节为所需要的值,因此具有可获得偏差小而稳定的特性。