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公开(公告)号：CN109402574B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811463202.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于功能纳米材料领域，具体涉及一种分散型自组装VO2纳米颗粒的制备方法。该方法将固态薄膜反湿润和热解法相结合，通过V2O5前驱薄膜制备和后热处理两个步骤即可制备出分散型自组装VO2纳米颗粒。该方法克服了传统模板法工艺复杂、成本高的缺点，不但具有工艺简单、成本低廉的优点，而且所制备出的分散型VO2纳米颗粒具有颗粒分布均匀、物相单一的特点；此外，通过调控V2O5前驱薄膜的厚度，能够制备出不同粒径的VO2纳米颗粒，从而实现了MIT温度及迟滞宽度随VO2纳米颗粒的粒径增大而减小的可控性，部分产品表现出41℃相变温度及零迟滞的优异相变行为，所得VO2纳米颗粒在智能窗领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN110455419A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910608854.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4-8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
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公开(公告)号：CN107663648B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710800117.1
申请日：2017-09-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580‑880℃，维持1小时以上，然后冷却至350‑550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；将SnCl2溶于去离子水中，加入氧化钼单晶片，将反应体系加热至30‑90℃反应10‑180min，产物洗涤后得到悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜。本发明利用离子插层的方法，将Sn4+金属离子插入到MoO3层间范德瓦尔斯间隙中，在避免氧空位产生的情况下，明显的扩展了带间态，明显提高MoO3的导电性，拓宽MoO3的光响应范围，使其对紫外、可见和近红外光均有响应。
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公开(公告)号：CN107663648A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710800117.1
申请日：2017-09-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种插层氧化钼单晶膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：将三氧化钼粉末在大气环境中加热到580-880℃，维持1小时以上，然后冷却至350-550℃，用衬底收集即可获得氧化钼单晶片；将SnCl2溶于去离子水中，加入氧化钼单晶片，将反应体系加热至30-90℃反应10-180min，产物洗涤后得到悬浮液；将悬浮液用抽滤的方法或者将其分散到所需衬底上即可获得插层氧化钼单晶膜。本发明利用离子插层的方法，将Sn4+金属离子插入到MoO3层间范德瓦尔斯间隙中，在避免氧空位产生的情况下，明显的扩展了带间态，明显提高MoO3的导电性，拓宽MoO3的光响应范围，使其对紫外、可见和近红外光均有响应。
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