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公开(公告)号：CN118972263A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410974848.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 上海市刑事科学技术研究院 , 复旦大学
IPC: H04L41/16 , H04L41/12 , H04L9/40 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/241 , G06F18/243 , G06N20/20 , G06F40/216
Abstract: 一种基于多途径分类识别和网络拓扑结构的关键节点检测方法，从多种数据源中提取APP行为的关键特征，并构建矩阵特征数据库的同时，针对不同类型的特征设计多个分类器，从多个维度进行精准分类识别。为了进一步提升分类性能，将通过采用集成学习方法，将不同的分类器的输出结果进行有效融合，以此增强整体的分类准确性和鲁棒性。此外，针对特征数据构建网络图结构，深入分析网络中的节点和边之间的关系。
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公开(公告)号：CN113724507B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110955481.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于深度强化学习的交通控制与车辆诱导协同方法和系统，方法包括：构建交通灯Agent和车辆Agent；根据交通灯Agent和车辆Agent，设定并初始化DQN算法模型，该DQN算法模型中的动作集包括车辆动作和交通灯动作；根据Q值表选取并执行各车辆Agent的动作，并在各车辆Agent的动作执行结束后，根据执行完毕的车辆Agent的反馈信息更新对应的Q值表；根据各车辆Agent的动作，对交通灯进行动态配时，以削减车辆平均等待时间为目标选择交通灯最优动作；判断各交通灯Agent所选动作是否结束，对所选动作执行完毕的交通灯Agent根据实时反馈信息来更新对应的Q值表；重复更新，直至满足预设的停止条件。与现有技术相比，本发明具有较好的感知和决策能力并且具有很好的适应性。
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公开(公告)号：CN116050269A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310065331.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/27 , G06N7/01 , G06F17/18 , G06F119/14 , G06F119/12 , G06F111/10 , G06F111/08
Abstract: 本发明涉及一种基于动力学理论的复杂系统变点检测方法，方法包括：对时间序列进行相空间重构；根据随机选取的重构吸引子对系统状态进行预测；使用滑动时间窗口对系统连续预测并构建预测准确度序列；对预测准确度序列应用贝叶斯在线变点检测算法，计算运行时长分布；根据运行时长分布推断变点位置。与现有技术相比，本发明具有较好的灵敏度、鲁棒性和对不同复杂系统的泛用性。
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公开(公告)号：CN106406492B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510460606.8
申请日：2015-07-30
IPC: G06F1/3287 , G06F9/48
Abstract: 本发明实施例提供一种混合存储设备混合存储设备、计算机、控制设备、及降低功耗的方法。所述混合存储设备包括控制器、易失性存储单元及非易失性存储单元。所述混合存储设备在第一工作模式下时，所述易失性存储单元为开启态，所述非易失性存储单元为关闭态，在第二工作模式下，所述非易失性存储单元为开启态，所述易失性存储单元为关闭态；在所述混合存储设备运行在所述第一工作模式时，当所述控制器侦测到所述计算机的运行指标满足第一切换条件时，开启所述非易失性存储单元，拷贝所述易失性存储单元中的数据至所述非易失性存储单元中，并将所述混合存储设备切换到第二工作模式。使用本发明可以有效减少所述易失性存储单元产生的背景功耗。
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公开(公告)号：CN105097008B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410175612.4
申请日：2014-04-28
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/08
Abstract: 本发明实施例提供了一种驱动脉冲的确定方法，包括向磁性存储轨道和读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，i是不为0的自然数；确定读取装置在第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到一个磁畴的数据；在确定未读取到一个磁畴的数据时，向磁性存储轨道和读取装置发送第i+1个驱动脉冲，第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；确定在第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到一个磁畴的数据；确定第i+1个驱动脉冲的驱动强度为磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。本发明实施例还提供了一种控制器及磁性存储设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104425707B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201310382143.9
申请日：2013-08-28
Abstract: 本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法，包括：通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。相应地，本发明实施例还提供磁性存储轨道的制备设备和磁性存储轨道。本发明实施例可以提高制造磁性存储轨道的效率。
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公开(公告)号：CN106406493A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510460607.2
申请日：2015-07-30
IPC: G06F1/32
Abstract: 一种能降低功耗的电子装置及降低电子装置功耗的方法，所述电子装置包括处理器、易失性内存、及非易失性内存，所述非易失性内存存储第一操作系统，所述电子装置在第一工作模式和第二工作模式下工作；当所述电子装置处于所述第一工作模式时，第二操作系统在所述易失性内存中运行，在所述处理器侦测到所述电子装置达到预设的进入所述第二工作模式的条件时，开启所述非易失性内存，移动所述易失性内存中的非系统数据至所述非易失性内存中，所述非系统数据不包括所述第二操作系统，在所述非系统数据移动完成后，关闭所述易失性内存，在所述非易失性内存中运行所述第一操作系统，使所述电子装置进入所述第二工作模式。从而降低电子装置的功耗。
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公开(公告)号：CN105523546A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610042947.8
申请日：2016-01-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B2204/20 , C01B2204/22 , C01B2204/32 , C01P2004/03
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体公开了一种三维石墨烯的制备方法。本发明方法包括以下步骤：将氧化石墨烯分散获得氧化石墨烯水溶液；将三维金属泡沫浸入氧化石墨烯溶液，通过物理或化学方法获得孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫；以孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫为模板，利用化学气相沉积法，得到含基底的三维石墨烯；通过刻蚀清洗得到三维石墨烯。本发明工艺简单，能实现高质量、高密度三维石墨烯，为其在催化、储能、导热、吸附等领域的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN105469821A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410255252.9
申请日：2014-06-10
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明公开了隧道磁电阻效应存储装置，包括依次层叠的第一磁头单元、磁化方向可变的轨道自由层和第二磁头单元；第一磁头单元包括依次层叠的第一电极层、磁化方向固定的第一固定层和第一绝缘层；第二磁头单元包括第二电极层；轨道自由层设于第一绝缘层和第二电极层之间，且轨道自由层呈U型，轨道自由层包括多个依次排列的磁畴和位于相邻的两个磁畴之间的磁畴壁；第一磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内，或第二磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内；第一电极层和第二电极层分别对应连接于外界电压的两端。该存储装置采用三维U型轨道自由层，增加了存储容量，简化了外围电路结构，降低了生产成本和工艺难度。还公开了制备方法，和存储器。
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公开(公告)号：CN104575581A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310496697.1
申请日：2013-10-21
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0676 , G11C8/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明实施例提供一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度和降低功耗。其中，一种存储单元包括：U型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；U型磁性轨道包括第一端口，第二端口，第一存储区域和第二存储区域；第一驱动电路用于驱动第一存储区域，第二驱动电路用于驱动第二存储区域；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域内产生电流脉冲，并驱动第一存储区域内的磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域内产生电流脉冲，并驱动第二存储区域内的磁畴移动。
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