基于神经常微分方程的不稳定周期轨道检测方法

    公开(公告)号:CN117828245A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311859800.4

    申请日:2023-12-30

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: G06F17/13 G06N3/084

    摘要: 本发明属于复杂系统调控技术领域,具体为基于神经常微分方程的不稳定周期轨道检测方法。本发明从给定系统方程出发,利用神经常微分方程(NODE)在训练过程中通过调整初始时刻的状态和T的值,使得从初始状态出发能找到一个周期T,在T时刻的状态与初始时刻的状态接近,以此为判据检测出嵌入在相空间中的不稳定周期轨道(UPOs)。此外,通过描述物理中大气对流的简化模型Lorenz系统、描述混沌行为和振荡现象的Rossler系统和描述神经元膜电位的动态演化的Hindmarsh‑Rose系统为代表性实例来验证本发明方法的优势和有效性。本发明方法合理、有效,可检测不稳定周期轨道。

    访问内存的方法、存储级内存及计算机系统

    公开(公告)号:CN105808455B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201410856607.X

    申请日:2014-12-31

    IPC分类号: G06F12/10 G06F13/16

    摘要: 本发明实施例提供了一种访问内存的方法、存储级内存及计算机系统。所述计算机系统包括内存控制器和混合内存,所述混合内存包括动态随机存取存储器DRAM和存储级内存SCM。所述内存控制器用于向所述DRAM和所述SCM发送第一访问指令。所述SCM在确定接收的所述第一访问指令中的第一地址指向的所述DRAM的第一存储单元集合中包括保持时间比所述DRAM的刷新周期短的存储单元时,可以获得与所述第一地址具有映射关系的第二地址。进一步的,所述SCM根据所述第二地址将所述第一访问指令转换为访问SCM的第二访问指令,以实现对SCM的访问。本发明实施例提供的计算机系统能够在降低DRAM刷新功耗的基础上保证数据的正确性。

    磁性存储装置及方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105097007B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201410172835.5

    申请日:2014-04-25

    IPC分类号: G11C11/02

    摘要: 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法,磁性存储装置包括:包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储,提高磁性存储装置的存储量。

    一种驱动脉冲的确定方法、控制器及磁性存储设备

    公开(公告)号:CN105097008A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410175612.4

    申请日:2014-04-28

    IPC分类号: G11C11/02

    CPC分类号: G11C19/08

    摘要: 本发明实施例提供了一种驱动脉冲的确定方法,包括向磁性存储轨道和读取装置发送第i个驱动脉冲,其中,i是不为0的自然数;确定读取装置在第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到一个磁畴的数据;在确定未读取到一个磁畴的数据时,向磁性存储轨道和读取装置发送第i+1个驱动脉冲,第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值;确定在第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到一个磁畴的数据;确定第i+1个驱动脉冲的驱动强度为磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。本发明实施例还提供了一种控制器及磁性存储设备。

    磁性存储装置及方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105097007A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410172835.5

    申请日:2014-04-25

    IPC分类号: G11C11/02

    摘要: 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法,磁性存储装置包括:包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储,提高磁性存储装置的存储量。