-
公开(公告)号：CN104390667B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410777315.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器，适用于环境参数测量领域。本发明的目的是要解决现有的环境参数传感器测量参数单一、受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，渗B半导体加热体焊盘、环境参数传感器单元焊盘、半导体加热电极、氧化铝绝缘层、环境参数传感器单元、环境温湿度传感器、加热体温度传感器单元、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高传感器的精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可将环境参数传感器单元、温湿度传感器单元和加热体温度传感器单元集成在一个传感器中，可使本传感
-
公开(公告)号：CN106053541A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610561951.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 一种环形加热器的Al2O3‑AlN陶瓷微热板气体传感器，包括：衬底、导热介质层、加热器电极、信号电极、焊盘、热隔离通孔、敏感膜。传感器中心加热区采用环形加热器设计，环形加热器周围采用环形热隔离通孔设计，从而减小热传导损耗。传感器衬底采用Al2O3陶瓷基片，通过磁控溅射在Al2O3陶瓷基片表面形成AlN导热介质膜，在AlN介质膜上通过柔性机械光刻剥离工艺实现Pt膜加热电极和信号电极制备，通过激光微加工工艺实现热隔离通孔的刻蚀。本发明通过环形加热器和半环形热隔离通孔设计，解决了微热板气体传感器热损耗高问题。同时，通过高热导率AlN导热介质膜设计，降低了微热板加热区热梯度效应，提高热平衡响应速率。本发明传感器可兼容多种半导体敏感膜，实现多种有毒有害气体检测功能，对现代传感器智能终端微型化、低功耗、智能化发展具有重要意义。
-
-
公开(公告)号：CN103018288A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210551816.4
申请日：2012-12-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种可控加热除霜电容式高空湿度传感器及其制备方法，涉及高空湿度传感器及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的湿度传感器由于高空环境下温度过低，使得传感器表面出现结霜现象，严重影响湿度数据采集的问题。一种可控加热除霜电容式高空湿度传感器，其特征在于：它是由基底、第一绝缘层、第一温度传感器焊盘、第二温度传感器焊盘、第一加热器焊盘、第二加热器焊盘、温度传感器电极、加热器电极、第二绝缘层、下电极、感湿层、多孔上电极和凹槽组成。制备方法：采用光刻剥离、磁控射频溅射、腐蚀镂空、匀胶处理和蒸发镀膜的方法制备可控加热除霜电容式高空湿度传感器。本发明适用于气候和气象领域。
-
公开(公告)号：CN102998479A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210593373.5
申请日：2012-12-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 氮化铝基集成阵列结构的二维风速风向传感器及其制造方法，涉及一种测量风速风向传感器及其制造方法。本发明解决了集成热温差原理的风速传感器采用硅基衬底工艺复杂、开发成本较高、传感器响应速率慢、机械性能差等缺点。本发明所述风速风向传感器由八边形氮化铝陶瓷基片、四个温度探测器、四个矩形热隔离槽、四对等腰直角三角形热隔离通孔、两个温度传感器、四个矩形热隔离通孔和一个中间蛇盘形加热器组成，制作该风速风向传感器的方法为先将氮化铝陶瓷基片用丙酮溶液和酒精溶液进行清洗，烘干后在进行涂胶，光刻，再进行镀膜，放入丙酮溶液中溶解光刻胶，激光刻蚀，再放入稀盐酸溶液中清洗，最后进行退火处理，获得传感器。本发明用于测量风速风向。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101769888B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010032466.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。
-
公开(公告)号：CN101767994B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032479.9
申请日：2010-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/626
Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法：一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌，得混合溶液；二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌，得悬浊液；三、向悬浊液中加入氨水，得氢氧化物胶体，离心后弃上清液，清洗沉淀，干燥后研磨，得微粉；四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制，反应在低温下进行，粉体活性高，粉体均匀性好。
-
公开(公告)号：CN101767992B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032467.6
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/624
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体的方法，它涉及一种制备无铅压电陶瓷纳米粉体的方法。本发明解决了传统固相烧结法制得的粉体粒径分布范围宽、纯度低、掺杂元素不均匀、活性低、性能不稳定的问题。方法：一、称取原料；二、制备混合溶液；三、制备凝胶；四、经真空干燥、烧结即得到Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体。本发明方法制作得到的Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体粒径分布范围小、纯度高、掺杂元素均匀、活性高、性能稳定。
-
公开(公告)号：CN101777884A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910312591.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03H9/25
Abstract: 叠片式微电子机械系统压电振子的制造方法，它涉及一种微电子机械系统压电振子的制造方法。它解决了现有的微电子机械系统压电振子无法解决其微驱动组装的多层片式结构和优化、以及无法满足微电子机械系统集成化、小型化要求的问题。它的步骤是：步骤一、对铍青铜基片进行热处理；步骤二、在陶瓷片的上下表面溅射铜膜并进行热处理；步骤三、对步骤二处理后的陶瓷片做极化处理；步骤四、将步骤三处理后的陶瓷片陈化放置后采用超声波清洗；步骤五、将清洗后的压电陶瓷片按照一定的结构设计固定在铍青铜基片的上、下表面上。本发明适用于主动振动控制、强振隔离体、航空航天、机器人、动力机械等多领域的驱动场合。
-
公开(公告)号：CN101070603B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710071907.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 电化学定向生长Al2O3超薄膜基板的制造方法，本发明涉及Al2O3膜基板的制造方法。它解决了采取陶瓷工艺制作的Al2O3基板无法满足超薄要求的问题。它通过下述步骤实现：取铝箔进行表面清洗，用丙酮或氢氧化钠来去油，然后用水煮，接着用硝酸抛光，然后用超声清洗，最后烘干；把铝箔置于电解槽中，电解液的温度控制在30～90℃，同时对电解液进行机械搅拌，分别给两个铝箔夹上相反极性的电极，两个铝箔一个为生长极，一个为牺牲极，二者之间施加直流电压，每隔20～30分钟短时间交换电压方向后返回，在生长极的表面上生成Al2O3膜；把作为生长极的铝箔浸入氯化铜溶液，剥离Al2O3膜；对Al2O3膜进行超声清洗和热处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.054 seconds)
