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公开(公告)号：CN108919398A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810548515.3
申请日：2018-05-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种二维原子光刻栅格结构制备方法，包括以下步骤：基于原子光刻技术在基板上进行第一次原子光刻，得到一维原子光刻沉积光栅样板；利用光阑的限位作用，保持会聚光指向与光栅样板的平面法向量指向不变，将光栅样板旋转角度θ；调整会聚光形成的驻波场空间高度使其与金属原子束待沉积区域存在重叠部分，在沉积光栅样板上进行第二次原子光刻，形成二维原子光栅菱形栅格结构，且菱形的其中一个内角与旋转角度相等。与现有单次沉积方法相比，本发明克服了二维激光冷却和二维光学势阱效果难以保证的问题，化繁为简，具备操作方便，栅格角度可控等优点。
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公开(公告)号：CN106862114B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710070731.7
申请日：2017-02-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种LBO晶体表面镀膜前的清洗方法，将LBO晶体依次执行下述步骤：采用无水乙醇和乙醚混合液擦拭LBO晶体表面；采用弱碱性溶液对LBO晶体进行超声波清洗，所述弱碱性溶液包括NH4OH和H2O2，体积比为NH4OH：H2O2：H2O＝1:8:50；采用无水乙醇对LBO晶体进行漂洗；将LBO晶体放置于装有无水乙醇的密闭容器内，对LBO晶体进行超声加热清洗；取出LBO晶体，再次漂洗；在正压容器环境中利用干燥氮气风刀对LBO晶体进行干燥。与现有技术相比，本发明具有清洗效果好，既可以提升LBO晶体镀膜后的抗激光损伤特性，又可以提升其镀膜后的薄膜附着力及抗裂纹特性等优点。
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公开(公告)号：CN108515743A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810466339.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种金属/介质超宽带吸收薄膜及其制备方法，所述金属/介质超宽带吸收薄膜包括由下而上依次设置的基板、第一薄膜和第二薄膜，所述第一薄膜(2)为由低折射率介质膜层L和高吸收金属薄层H交替设置构成的金属/介质膜堆，且第一薄膜与基板接触的一侧为低折射率介质膜层L，所述第二薄膜为一单层低折射率介质减反膜AR。与现有技术相比，本发明省略了传统厚层贵金属衬底，增加了薄膜与基板间的附着力和牢固度，选材方法新颖，实现了400nm-7000nm约7μm的吸收带宽，薄膜平均吸收率大于92％。
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公开(公告)号：CN106925565B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201710070815.0
申请日：2017-02-09
Applicant: 同济大学 , 上海天粹自动化设备有限公司
Abstract: 本发明涉及一种LBO晶体的刻蚀清洗方法，属于激光技术领域，该方法包括抛光、化学刻蚀、清洗干燥、离子束刻蚀、二次抛光和二次化学刻蚀的多次迭代方法。本发明针对LBO晶体的各向异性和材料表面微潮解特性，采用特定的抛光、刻蚀和后处理工艺，并通过不同步骤间的迭代技术有效去除了上一工序引入的新缺陷和工序残留物，最终获得低亚表面损伤层、低表面粗糙度的高质量LBO晶体表面。与现有技术相比，该方法具有工艺针对性强、效果明显等优点，适用于低潮解晶体材料的抗激光损伤性能提升。
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公开(公告)号：CN104296969B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410534973.3
申请日：2014-10-13
Applicant: 同济大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种激光损伤阈值标定方法，包括：在三波长高反射薄膜镀制中，由三种尺寸SiO2颗粒结合吸收性金属Hf膜层制备均匀分布的混合型节瘤缺陷；利用此类节瘤缺陷尺寸大、粒径和空间分布均匀、激光损伤特性一致性好的优点，在光栅扫描激光损伤阈值测试中以此类节瘤缺陷为标准样品，统计性测量一定面积内90%节瘤缺陷喷溅时的损伤阈值；对不同激光损伤阈值测试系统的测量结果进行最小二乘法拟合，拟合直线的斜率和截距为激光损伤阈值标定参数。与现有技术相比，本发明具有判定简单准确等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105276934A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510764278.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 同济大学 , 上海天粹自动化设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光学元件化学湿法清洗后的干燥装置和工艺，该装置由干燥槽、鼓风机、空气加热器、空气高效过滤器和洁净气体屏蔽静电消除器等部分组成，通过加热高效过滤的超洁净循环空气，对湿法清洗后的光学元件进行干燥，利用洁净气体屏蔽静电消除器产生的离子消除元件表面静电，保持元件表面在干燥的过程中不吸附微粒，有效避免干燥过程中的二次污染，克服了以往装置的不足。基于此装置，开发了一套完整的光学元件清洗后的干燥工艺，经试验证明，该基于此装置的干燥工艺干燥效果好，有效防止了表面残留液体自行干燥的印迹，能够实现光学元件的超洁净清洗干燥。
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公开(公告)号：CN105021631A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510344597.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/896
Abstract: 本发明涉及一种透射型光学基板中结构性缺陷初始损伤特征判定方法，包括：基于泵浦探测技术，建立亚微米空间分辨和纳秒时间分辨的双光束成像系统；制备出具有不同尺寸结构性缺陷的透射型光学基板；获得透射型光学基板同一位置在不同时间的两张图像，比较两张图像上初始损伤的尺寸和轮廓特征的差异，建立不同尺寸结构性缺陷的初始损伤特征；对实际光学基板进行缺陷检测，采用所述双光束成像系统拍摄其损伤行为，并与建立的不同尺寸结构性缺陷初始损伤特征进行比对，实现对透射型光学基板损伤的结构性缺陷的诊断和判定。与现有技术相比，本发明具有对结构性缺陷初始损伤尺寸、生长速率、扩展方向和损伤阈值等信息进行分析的优点。
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公开(公告)号：CN104977303A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510344616.5
申请日：2015-06-19
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种面向透射型光学基板中吸收性缺陷深度位置的检测方法，包括：建立微米空间分辨和纳秒时间分辨的成像系统；将金属颗粒旋涂在光学基板表面，再镀制与光学基板质地类似的不同厚度的薄膜，等效将吸收性缺陷植入在光学基板的不同深度位置；利用所述成像系统拍摄相同深度位置缺陷在不同时间阶段、不同深度位置缺陷在同一时间阶段的损伤行为，建立不同深度位置缺陷的损伤行为判定标准；对实际光学基板进行缺陷深度检测，并与建立的不同深度位置缺陷损伤行为判定标准进行比对，实现吸收性缺陷的深度位置检测。与现有技术相比，本发明能对缺陷损伤特征、所在深度位置和损伤阈值等信息进行分析，具有识别精度高、实现简单的优点。
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公开(公告)号：CN103018213B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110288811.2
申请日：2011-09-26
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明涉及一种光学薄膜0-70°入射的宽光谱透射率测量方法及装置，其方法具体包括以下步骤：1)测量基板在入射角为0°时的透射率T0°；2)根据1)中测得的透射率T0°计算基板在入射角为α时的S光和P光透射率的理论值和；3)测量基板在入射角为α时的S光和P光透射率的测量值和；4)计算偏振特性因子p；5)用测试样品替换基板，分别测量测试样品在入射角为α时的S光和P光透射率的测量值和；6)计算测试样品S光和P光的透射率TS和TP。与现有技术相比，本发明在理论上消除偏振因素对测量结果的影响，提高了测量精度，而且测量中通过旋转测试样品的入射面来实现在S光和P光之间的切换，降低了对偏振器的精度要求，从而降低了测量成本。
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公开(公告)号：CN104296969A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410534973.3
申请日：2014-10-13
Applicant: 同济大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种激光损伤阈值标定方法，包括：在三波长高反射薄膜镀制中，由三种尺寸SiO2颗粒结合吸收性金属Hf膜层制备均匀分布的混合型节瘤缺陷；利用此类节瘤缺陷尺寸大、粒径和空间分布均匀、激光损伤特性一致性好的优点，在光栅扫描激光损伤阈值测试中以此类节瘤缺陷为标准样品，统计性测量一定面积内90%节瘤缺陷喷溅时的损伤阈值；对不同激光损伤阈值测试系统的测量结果进行最小二乘法拟合，拟合直线的斜率和截距为激光损伤阈值标定参数。与现有技术相比，本发明具有判定简单准确等优点。
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