公开(公告)号：CN118486652A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410429266.1

申请日：2024-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑嵘健 ,  陈冠霖 ,  朱熙甯 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开的实施例提供半导体器件结构及其形成方法。该方法包括在相邻的鳍结构之间的隔离区域上方沉积间隔件层，并且间隔件层形成在鳍结构的侧壁和顶部上。该方法还包括在鳍结构之间的间隔件层上形成掩模，并且该掩模的高度基本上小于鳍结构的高度。该方法还包括去除间隔件层的部分并且使鳍结构凹进以形成间隔件并且暴露每个鳍结构的部分，间隔件包括设置在隔离区域上的具有“U”形的第一部分，并且每个鳍结构部分具有位于基本上低于隔离区域的顶面的水平处的顶面。该方法还包括去除掩模。

公开(公告)号：CN118039694A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410082957.9

申请日：2024-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  陈冠霖 ,  郑嵘健 ,  朱熙甯 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 器件包括：纳米结构的第一堆叠件，形成在衬底上方；纳米结构的第二堆叠件，形成为与第一堆叠件相邻；第一栅极结构，位于第一堆叠件的纳米结构上；第二栅极结构，位于第二堆叠件的纳米结构上；第一绝缘壁，将第一栅极结构和第二栅极结构分隔开；硬掩模层，位于第一栅极结构上和第二栅极结构上；以及栅极接触件，延伸穿过硬掩模层以物理和电接触第一栅极结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN116825715A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310684955.2

申请日：2023-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄一涵 ,  张复成 ,  蓝文廷 ,  朱熙甯 ,  黄麟淯 ,  江国诚

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开描述了一种在晶圆边缘上形成具有氧化物结构的半导体结构的方法。该方法包括在第一衬底上形成器件层，在器件层上形成互连层，在互连层的顶表面上并沿着互连层的侧壁表面形成氧化物结构，在氧化物结构和互连层上形成接合层，以及用接合层将器件层接合到第二衬底。本申请的实施例还公开了一种半导体结构。

公开(公告)号：CN116487434A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310174729.X

申请日：2023-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游家权 ,  张家豪 ,  江国诚 ,  王志豪 ,  许祝源 ,  陈冠霖 ,  朱熙甯 ,  郑嵘健

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 器件包括衬底上方的纳米结构的第一垂直堆叠件、衬底上方的纳米结构的第二垂直堆叠件、邻接纳米结构的第一垂直堆叠件的第一源极/漏极区域、邻接纳米结构的第二垂直堆叠件的第二源极/漏极区域、环绕第一垂直堆叠件的纳米结构的第一栅极结构、环绕第二垂直堆叠件的纳米结构的第二栅极结构、位于第一和第二源极/漏极区域上方的介电层，以及从介电层的上表面延伸至第一和第二源极/漏极区域的上表面下方的水平的隔离结构，该隔离结构位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110970506B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201910931780.4

申请日：2019-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  朱熙甯 ,  蔡庆威 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包括第一晶体管，形成在半导体装置的第一区。第一晶体管包括第一通道结构，在第一晶体管的源极端与漏极端之间延伸。第一晶体管包括第二通道结构，在半导体装置的基板上方的垂直方向，第二通道结构堆叠在第一通道结构上。第一晶体管还包括第一栅极结构，以位于第一通道结构与第二通道结构之间的第一金属盖，绕着第一通道结构与第二通道结构。第一金属盖的功函数异于第一栅极结构的其他部分的功函数。

公开(公告)号：CN115763347A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210935524.4

申请日：2022-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱熙甯 ,  蓝文廷 ,  黄一涵 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L21/683

Abstract: 制造半导体器件结构的方法包括将器件衬底接合至第一剥离层。第一剥离层设置在第一载体衬底上，并且器件衬底具有面向第一载体衬底的第一侧和与第一侧相对的第二侧。器件衬底具有第一宽度。对器件衬底执行前段制程(FEOL)工艺和后段制程(BEOL)工艺。将具有第二剥离层的第二载体衬底接合在器件衬底的第二侧上。通过去除第一剥离层来去除第一载体衬底。在去除第一载体衬底之后，器件衬底的宽度保持第一宽度。

公开(公告)号：CN115483264A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210935342.7

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游家权 ,  潘冠廷 ,  朱熙甯 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二鳍片区，相邻通道区，且具有第二鳍片宽度；以及第三鳍片区，相邻漏极区，且具有第一鳍片宽度，其中第一鳍片宽度大于第二鳍片宽度；以及栅极电极，在通道区中抵接栅极电介质。

公开(公告)号：CN108206217B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201710465608.5

申请日：2017-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾晋沅 ,  林纬良 ,  陈欣志 ,  朱熙甯 ,  谢艮轩 ,  严永松 ,  刘如淦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。

公开(公告)号：CN115084220A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210429826.4

申请日：2022-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄瑞乾 ,  江国诚 ,  王志豪 ,  朱熙甯 ,  陈冠霖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提出一种半导体装置结构。导体装置结构包括第一源极/漏极外延部件；第二源极/漏极外延部件，设置邻近于第一源极/漏极外延部件；第一介电层，设置于第一源极/漏极外延部件及第二源极/漏极外延部件之间；第一介电间隔物，设置于第一介电层下方；及第二介电层，设置于第一介电层下方且接触第一介电间隔物。第二介电层及第一介电间隔物包括不同材料。

公开(公告)号：CN114927466A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210186332.8

申请日：2022-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈冠霖 ,  江国诚 ,  朱熙甯 ,  郑嵘健 ,  王志豪 ,  程冠伦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/11

Abstract: 结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。此结构包含第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸。此结构包含接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一半导体层的一部分；层间介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分。此结构还包含第二介电部件，沿第一方向延伸，第二介电部件包括：第一介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分；及第二介电层，接触第一介电层和第一半导体层的一部分。