公开(公告)号：CN2741191Y

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200420093000.2

申请日：2004-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨敦年 ,  伍寿国 ,  钱河清 ,  曾建贤 ,  林政贤

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02161

Abstract: 本实用新型提供一种高量子效率的影像传感器，其感光二极管是设置于感光区，且设置于用以定义有源区的浅沟槽隔离结构的底部水平线下方，在感光二极管的表面上依序设置第一介电层和内层介电层，其中第一介电层与感光二极管接触，内层介电层的折射系数小于第一介电层的折射系数，第一介电层的折射系数小于感光二极管的折射系数。