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公开(公告)号：CN117199330A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311193838.2
申请日：2023-09-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 一种用于高首效长循环全固态电池的硅负极制备方法，包括以下步骤：1)Li21Si5合金粉末与硅粉在氩气气氛下混合均匀，然后在模具中利用冷压技术将Li21Si5‑Si粉末压制成片，得到Li21Si5‑Si负极片；其中，Li21Si5合金粉末在Li21Si5‑Si粉末中的质量占比为10％～75％。本发明利用Li21Si5合金富锂、高离子/电子电导率和低杨氏模量的特性，与硅颗粒混合冷压后提升硅颗粒的导电性，缓解其循环膨胀应力。同时采用硫化物和氯化物组合的双层固态电解质模型，以稳定正负极界面，减少副反应，从而实现固态电池～97％的超高首效和稳定的长循环性能。
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公开(公告)号：CN116779482A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310741286.8
申请日：2023-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种提高Si基Ge薄膜热稳定性的键合方法，首先采用超高真空CVD在Si衬底上低温外延单晶Ge缓冲层，其次通过原位高温退火释放Ge、Si之间的失配应力，之后与H+注入后的Ge片室温贴合并低温退火实现Ge薄膜的智能剥离，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基Ge薄膜制备。
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公开(公告)号：CN114725325A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210475233.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 厦门大学九江研究院
IPC: H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M10/0525
Abstract: 一种全固态锂离子电池硅基负极极片的补锂方法，涉及硅基负极材料。1)制备锂靶；2)安装锂靶，通过手套箱与磁控溅射一体设备直接装入锂靶，以保证锂靶不被氧化；3)采用磁控溅射在硅基负极表面沉积锂薄膜；4)将在硅基负极表面沉积锂薄膜的电极片在手套箱中适当温度下进行加热反应，形成锂硅合金。5)将预锂化的硅负极与聚合物电解质及正极电极片组装为全固态电池。在硅基负极表面溅射锂金属进行补锂，沉积的锂金属薄膜非常均匀，有效提升补锂的均匀性。沉积的锂金属薄膜形貌和厚度可以通过磁控溅射的溅射参数进行调控；锂金属薄膜与硅基负极界面接触良好，不存在安全风险，可以成功应用于硅基负极全固态电池。
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公开(公告)号：CN108731993B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201810347004.5
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。
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公开(公告)号：CN110690175A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910939228.X
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种提高Si基和SOI基剥离Ge薄膜质量的方法。该方法为将Si片、SOI片和Ge片经表面处理后，在Si片、SOI片上溅射a-Ge薄膜，然后将Ge片分别与溅射有a-Ge薄膜的Si片和SOI片贴合在一起；经低温短时间热压键合和分步骤短时间退火，实现Si基、SOI基Ge薄膜的剥离；将剥离后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用手动化学机械抛光对Ge薄膜的剥离表面进行抛光；抛光后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用小功率RIE刻蚀技术对Ge薄膜表面的离子注入损伤层进行刻蚀，以获得高质量的Si基和SOI基剥离Ge薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690108A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910942951.3
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a-Ge和a-Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火，实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。
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公开(公告)号：CN106868580B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710118094.6
申请日：2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。
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公开(公告)号：CN108666425A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810510458.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法，对n型Si片预处理，再进行金属辅助腐蚀处理，在n型Si片表面腐蚀出纳米线阵列；将处理后的n型Si片泡入甲醛溶液中浸泡，在Si纳米线表面引入Methacrylate基团；在处理后的Si纳米线表面滴涂液态单体，利用真空负压将单体灌入Si纳米线阵列中，并加热固化；将处理后的Si基片放入KOH溶液中浸泡；在处理后的Si基片与薄膜间施加一个切向力；对处理后获得的嵌套Si纳米线的聚合物薄膜进行等离子刻蚀；在处理后的薄膜一面旋涂上PEDOT:PSS，薄膜另一面蒸镀上铝作为背电极，最后利用掩膜版在PEDOT:PSS表面蒸镀上银栅电极，作表面电极。
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公开(公告)号：CN105118804A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510631195.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76251
Abstract: 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法，涉及一种GeOI的制备方法。1)将Ge片清洗，在Ge片上生长超薄硅钝化层，即得Si/Ge晶片；2)将Si片清洗，采用干氧氧化，在Si片上生长SiO2层，即得SiO2/Si晶片；3)将步骤1)得到的Si/Ge晶片和步骤2)得到的SiO2/Si晶片清洗后，进行氧等离子体处理，超薄硅钝化层被氧化、活化，得到SiO2/Ge，同时得到活化的SiO2/Si晶片；4)将步骤3)处理后的SiO2/Ge和SiO2/Si晶片用氨水浸泡，吹干后贴合，再升温加压处理，得键合片；5)将步骤4)得到的键合片进行湿法腐蚀，将Ge层减薄后抛光，得到表面平整的绝缘体上锗。
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公开(公告)号：CN103413787A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310383280.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
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