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公开(公告)号：CN111722707B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010337982.9
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器，该传感器的制作方法包括以下步骤：通过将圆片级未释放传感芯片正面的第一导电件和圆片级待键合封装基板正面的第二导电件键合；利用封装基板的力学支撑作用，对上述封装后待释放触觉传感器进行释放，能够实现超薄传感芯片的转移，在上述释放过程后，超薄传感芯片背面能够自发形成连续的硅膜结构，再将上述触觉传感器经过临时键合工艺、基板背面减薄工艺和划片工艺，得到分立的封装后背接触式触觉传感器，从而使得到的传感器能够通过组装工艺设于柔性基板上。本发明提供的触觉传感器具有尺寸小、封装成本低和大面积可扩展的特点。
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公开(公告)号：CN108615704B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810261142.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
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公开(公告)号：CN108168580B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201711395423.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。
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公开(公告)号：CN106935526B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201511028246.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN109734046A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811597857.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。本发明提供的真空封装工艺，利用硅-玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108168580A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711395423.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。
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公开(公告)号：CN106935526A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511028246.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN106895777A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510954769.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供一种基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法，所述基于量程拓展的谐振式应变结构包括：双端固支音叉及量程拓展梁；所述量程拓展梁位于所述双端固支音叉的两端，且与所述双端固支音叉的两端相连接。本发明中，量程拓展梁可以降低双端固支音叉的应变量，从而实现谐振式应变传感器量程的拓展；通过设计量程拓展梁与双端固支音叉的尺寸，可以设定双端固支音叉上的应变与实际应变的比例；整个结构为一体化结构，制作工艺简单，便于实现工业化。
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公开(公告)号：CN103107129B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310064231.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及方法，该填充结构包括密封腔、三明治结构；密封腔包括进出气孔；密封腔围成有容纳液态金属槽的空间；三明治结构包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片；填充基片上设有填充微孔；喷嘴片上设有与填充微孔垂直对应的喷嘴孔；阻挡片与填充基片之间设有第一间隙；填充基片与喷嘴片之间设有第二间隙；喷嘴孔最窄处的半径小于填充微孔的半径的1/2以上；三明治结构的侧壁全部嵌入到密封腔内；喷嘴片的下表面在金属填充时紧贴液态金属槽的上表面。本发明利用压力差将液态金属槽中的金属吸入微米级别的填充微孔中，依据表面张力原理将已填充在微孔中的金属与金属槽在喷嘴孔中切断，填充速度快，时间短，准确度高。
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公开(公告)号：CN102376629B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010255550.X
申请日：2010-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为：首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔，再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口，溅射形成金属种子层后再去胶以形成通孔一端的悬架金属膜封口结构，之后进行铜电镀以填满通孔形成连通结构。该方法先刻蚀通孔后形成了平整的金属种子层表面结构，避免了表面平坦化后处理，工艺简单，成本低廉。
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