公开(公告)号：CN104241499A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410292980.7

申请日：2014-06-25

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧 ,  郭学平

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/486 ,  H01L2933/0033

摘要： 本发明公开了一种倒装芯片塑封结构及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明通过在所述基板的第一面上设置所述芯片，其中所述芯片距离所述基板具有第一距离；限高块，所述限高块设置于所述基板的第一面上，其中所述限高块距离基板具有第二距离，其中，所述第一距离小于第二距离；所述塑封结构中填充的树脂的高度与限高块相同。本发明通过使用不同高度的限高块即可制作不同封装高度的封装结构，具有无须制造不同的高精度模具，成本低的技术效果。

公开(公告)号：CN104241218A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410293022.1

申请日：2014-06-25

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧 ,  郭学平

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明公开了一种带有散热结构的倒装芯片塑封结构及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明通过在基板的第一面上设置芯片和限高块，在芯片和限高块上设置散热板，在散热板、芯片、限高块、基板形成的第一空间中填充塑封树脂。也就是说，本发明通过使用限高块和芯片上的散热板而不必使用模具即可达成该塑封结构的制作，具有成本低的技术效果。

公开(公告)号：CN103646880A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310457012.2

申请日：2013-09-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧 ,  谢慧琴

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/15311 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种基于板级功能基板的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，形成次级封装组件；自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处；在所述次级封装组件上开设通孔，所述通孔贯穿所述次级封装组件；在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层，然后进行填孔电镀；进行第一外层线路层的制作。本发明在一定程度上解决了该封装技术在后期量产中所预期遇到的问题，进一步推进了该技术产业化。

公开(公告)号：CN106783796B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201611116597.1

申请日：2016-12-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  郝虎 ,  于中尧

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，其中，所述芯片封装结构包括：第一芯片，第一芯片的有源面设置有粘结层，所述粘结层对应第一芯片的焊盘设置有粘结层盲孔，第一芯片非有源面的其他侧面有包覆材料包封，介质层，设置在粘结层上方，介质层上设置有与粘结层盲孔对应设置的介质层盲孔，粘结层盲孔和介质层盲孔中填充有导电材料，第一重布线层，与粘结层盲孔和介质层盲孔中填充的导电材料电连接，焊球，与第一重布线层电连接。采用上述技术方案，第一芯片与第一重布线层通过介质层盲孔和粘结层盲孔中的导电材料电连接，设置两阶盲孔，有效提高了封装精度，避免贴片过程中对芯片造成损伤。

公开(公告)号：CN105140189B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510398269.4

申请日：2015-07-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68

摘要： 本发明的实施方式涉及板级扇出型芯片封装器件及其制备方法。在用于承载芯片的承载板的一面设置凹进，该凹进的尺寸与芯片背面的尺寸相配，然后将芯片贴装在该凹进的位置。在将芯片贴装到承载板时，承载板上的凹进恰容纳芯片的背面，从而使得保持待封装的芯片就位更加容易和便利。根据本发明，摒除了扇出型封装对贴片机的幅面以及贴片精度的依赖，使得有可能进行大幅面的扇出型芯片封装工艺开展。

公开(公告)号：CN105161474B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510397494.6

申请日：2015-07-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种扇出型封装结构及其生产工艺，其特征是：包括芯板，芯板上的槽体中设置芯片，芯片的正面具有焊盘，焊盘上设置凸点；所述芯板、芯片以及位于芯片正面和背面的介质材料压合在一起，芯片正面的焊盘和凸点嵌入介质材料中，芯片与槽体之间的空隙中填充介质材料；所述芯片背面的介质材料外表面设有金属层，在芯片正面的介质材料外表面设有阻焊层，在阻焊层中布置RDL线路层，RDL线路层的焊盘上设有BGA球；在所述芯片正面的介质材料上设有激光盲孔，激光盲孔中填充电镀金属，RDL线路层通过激光盲孔中的电镀金属与芯片正面的凸点互连。本发明排除了有机基板埋置有源芯片对芯片的限制条件，提高器件封装的良率，降低了扇出型封装成本。

公开(公告)号：CN104966677B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510398850.6

申请日：2015-07-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267

摘要： 本发明的实施方式提供扇出型芯片封装器件及其制备方法。该封装器件包括：芯板、嵌置在芯板的开窗中的芯片以及在该嵌置结构的正面和背面的电介质层。通过挤压芯片和芯板的嵌置结构以及电介质层，使得所述电介质层的材料填充到芯片与芯板之间的间隙中，并且通过在芯片的背面区域处进行控深划切，而去除与芯片的背面的大部分区域对应的电介质层以及贴装在芯片的背面的可剥离材料层，而使所述芯片的背面至少部分地裸露。该封装器件具有改进的散热性能并且进一步克服了制作工艺过程中的可能的翘曲。

公开(公告)号：CN107123601A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710390118.3

申请日：2017-05-27

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧 ,  郭学平 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

摘要： 本发明的实施例提供一种封装结构，包括：基板，所述基板上具有芯片槽；芯片，所述芯片置于所述芯片槽中，所述芯片的正面上设置有芯片电极；第一散热结构，所述第一散热结构设置在所述芯片的背面和所述基板的第一面上；第二散热结构，所述第二散热结构设置在所述基板的与所述第一面相对的第二面上；以及第三散热结构，所述第三散热结构设置在所述芯片槽的侧壁上，并且与所述第一散热结构和所述第二散热结构热连通。

公开(公告)号：CN104465584B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410755470.9

申请日：2014-12-10

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  刘丰满

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/20 ,  H01L21/54 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

摘要： 本发明涉及一种微波射频基板结构及其制备方法，尤其是一种基于有源埋入的微波射频基板结构及其制备方法，属于微电子先进封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于有源埋入的微波射频基板结构，包括下芯板以及位于所述下芯板上的微波射频芯片，所述下芯板上层压有用于包覆微波射频芯片的介质层，在介质层内设有空气腔，所述空气腔位于所述微波射频芯片射频区域的正上方；在下芯板的下方设有焊球，所述焊球与所述微波射频芯片电连接。本发明结构简单，制备工艺简单，与基板的制作工艺兼容，提高微波射频芯片的高频信号性能，降低封装成本，安全可靠。

公开(公告)号：CN103985695B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201410211122.5

申请日：2014-05-19

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/92144

摘要： 本发明提供了一种扇出型封装结构，包括设置芯片的芯片层、设置在所述芯片正面和背面的有机基板，设置在所述芯片背面基板上与所述芯片连接作为热沉的金属背板、设置在所述芯片正面和背面基板上的盲孔、及固定在与所述芯片连接的焊盘上的焊球。本发明还提供了一种扇出型封装结构的制作工艺，包括制作厚铜基板、制作辅助图形、贴装芯片、压合、制作盲孔、减铜、化铜电镀、制作阻焊层以及表面涂覆、植球等步骤。本发明提供的一种扇出型封装结构及其制作工艺，封装的散热性能好、生产成本低。