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公开(公告)号：CN110568636A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910816529.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的显示器件，包括从下至上依次设置的量子点发光组件、隔离层和滤波组件，量子点发光组件包括第一波长发光组件和量子点薄膜，第一波长发光组件发出的第一波长的光激励所述量子点薄膜发出与该第一波长不相等的波长的单色光；滤波组件包括从下至上依次设置的导电层、相变材料层和覆盖层，导电层和覆盖层分别作为相变材料层的上、下电极，以用于在相变材料层上施加电压，通过相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化时透射率变化来实现对量子点薄膜发出的单色光强度的调节，进而实现色彩的显示。本发明所提供的滤波组件至少能透过15％以上的一定波长的单色光，量子点发光组件的利用效率大大提升。
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公开(公告)号：CN119894332A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510028748.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法，包括以下步骤：在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜；并在NiO表面涂覆EDT溶液，形成EDT薄膜；将(S)‑(‑)‑1‑(2‑萘基)乙基溴化铅铵(S(1‑2)NPB)溶解于第一溶液中，然后加入至PbS溶液中，形成第一混合溶液；将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上，形成初始薄膜；使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换，形成PbS薄膜；在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层；使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒，形成强n型层；使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极，形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流，提高器件的光电响应性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN119486349A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411662166.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H10F77/14 , H10F77/30 , H10F30/222 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供一种量子点器件以及量子点器件的制备方法，所述量子点器件包括：电子运输层和强n型层；其中，所述电子运输层和强n型层之间还包括：粘附层，所述粘附层用于增强所述电子运输层和强n型层之间的粘附性。本申请的量子点器件的制备方法，通过旋涂一层粘附层能带来以下的有效效果：1.在电子运输层C60表面形成一层羟基(粘附层为聚乙氧基乙烯亚胺溶液)有利于氧化锡层的生长。由于粘附层本身的性质，可以提升整个薄膜的机械强度和拉伸性能，薄膜的黏附性也得到了增加。有利于器件后期的制备和生产。
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公开(公告)号：CN118738173A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410800929.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫汞族胶体量子点短中红外探测器，依次包括：衬底、底电极、共混型量子点层、硫汞族量子点层、薄膜层和顶电极；其中，所述共混型量子点层与硫汞族量子点层用于形成n‑on‑p型PN结；所述底电极、顶电极用于连接正、负电荷，使电流导通；所述薄膜层用于对所述硫汞族量子点层进行缓冲、保护。本公开实施例通过将共混型量子点层与硫汞族量子点层形成顶部透光的基于n‑on‑p型PN结的硫汞族量子点器件，在短中波红外具有光电探测性能好及应用成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117486255A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311346344.3
申请日：2023-10-17
Abstract: 本发明涉及一种硫化铅量子点制备方法，具体包括向氯化铅和油胺的混合液中快速注入ZnS量子点溶液使其成核，维持一定时间后，快速注入二硫代氨基甲酸锌的胺溶液，通过调控温度、硫源浓度等来调控合成PbS量子点的尺寸。本发明提供的一种单一前驱体二硫代氨基甲酸锌来替代ZnS量子点作为生长的硫源，不仅不需要滴加注射，节省了时间，也省去了合成ZnS量子点的复杂步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117470372A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311339022.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明涉及光谱分析技术领域，具体涉及一种基于光电二极管阵列的光谱仪及其制备和测试方法。所述一种基于光电二极管阵列的光谱仪，包括：阵列分布的光电二极管，不同光电二极管具有不同的光谱响应特征曲线。基于本发明提供一种基于光电二极管阵列的光谱仪，使光电二极管阵列中不同光电二极管具备不同的光谱响应特征曲线，实现对光谱较宽波段的全面响应，从而达成缩减光谱仪体积大小、扩展光谱仪的应用场景的目的。
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公开(公告)号：CN115141625A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210800555.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种分散剂、量子点分散液、薄膜制备方法，本发明的分散剂包括：混合的第一有机物、第二有机物和第三有机物；其中，所述第一有机物用于使量子点多聚体分离为单个量子点；所述第二有机物用于维持量子点胶粒的电学平衡；所述第三有机物用于阻止所述第一有机物与所述第二有机物反应。本发明通过第三有机物阻止第一有机物与第二有机物反应，利用第一有机物使量子点多聚体分离为单个量子点，保证了量子点分散液的单分散性；通过第二有机物维持量子点胶粒的电学平衡，保证了稳定性。
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公开(公告)号：CN108726485B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810715284.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔中空氧化物纳米微球及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。制备方法包括先制备胶体氧化物纳米晶溶液，将该胶体氧化物纳米晶溶液作为静电喷雾溶液，进行静电喷雾，得到多孔中空氧化物纳米微球。本发明以胶体氧化物纳米晶作为静电喷雾溶液，制备多孔中空微球，制备工艺简单，条件温和，在气体传感器，太阳能电池，催化剂和锂离子电池等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111348675A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010114200.5
申请日：2020-02-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于全无机金属卤化物纳米晶应用技术领域，公开了一种无自吸收纳米晶作为闪烁体的应用及其制备方法，该纳米晶的化学通式为Cs3Cu2X5，其中X选自Cl、Br、I。该闪烁体的制备方法是将Cs3Cu2X5纳米晶的有机溶液涂到玻璃片上，在空气中将有机溶剂自然挥发干形成的Cs3Cu2X5纳米晶薄膜即可用作闪烁体。本发明通过制备Cs3Cu2X5纳米晶薄膜作为闪烁体应用于X射线成像，展现出高效的闪烁性能，同时将Cs3Cu2I5纳米晶闪烁体用于X射线成像展现出很高的分辨率高达0.32mm。本发明制备过程简单，易于实现，成本低，在医疗诊断、国防工业和制造业中具有重要的应用价值和重大前景。同时还能够解决传统含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN119836030A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411798904.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种光电导器件的制备方法以及红外探测器，光电导器件的制备方法包括：将所述铅源前驱液和硒源前驱液进行混合的同时加入金属碘化物盐进行敏化，从而得到硒化铅溶液；利用所述硒化铅溶液在基底上生长硒化铅薄膜；在所述硒化铅薄膜上设置电极，从而制备得到光电导器件。该方法使用化学浴沉积技术制备硒化铅薄膜，在薄膜生长过程中原位加入金属碘化物盐的水溶液，延长了硒化铅薄膜生长的诱导期，使得硒化铅晶粒排布更加致密，减少了薄膜内部缺陷，使得掺杂浓度显著下降。原位敏化策略降低了晶界势垒，减少了晶界复合，使得暗电流下降，光响应显著提高。
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