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公开(公告)号：CN102564650A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110430329.8
申请日：2011-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量相变存储器应力的MEMS传感器及其制备工艺，该结构包括固定锚，支撑梁，电极及指示梁。结构配置于相变存储器芯片表面上，结构主体由一对相对放置并悬空的弯梁结构构成，通过放大结构在应力作用下在平行于衬底方向的位移来计算出所测应力，也可以通过测量结构在垂直于衬底方向的位移来计算出所测应力。在相变存储器相变材料反复擦写过程中，仍然能完成测量应力的工作，并且可以得到不同区域的应力分布情况。该结构解决了悬空结构易与衬底发生黏附的技术问题，提高了测试结构的可靠性同时也提高了测试的精度。
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公开(公告)号：CN102447061A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110410678.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种高速低功耗相变存储器的制备方法，该方法采用具有相变速度快和热导率低的超晶格薄膜材料作为相变材料，利用电感耦合等离子干法刻蚀该材料，形成形貌优良、侧壁陡直、一致性好的相变存储器单元。步骤为：①清洗衬底；②依次沉积金属薄膜和绝缘层薄膜；③沉积超晶格薄膜相变材料；④涂胶、光刻形成光刻胶作为刻蚀掩膜；⑤用电感耦合等离子刻蚀设备刻蚀超晶格薄膜材料；⑥去除光刻胶掩膜；⑦依次沉积绝缘层薄膜和金属薄膜。本工艺充分利用电感耦合等离子干法刻蚀对超晶格相变薄膜材料刻蚀的各向异性、一致性等特点，使制备的相变存储器具有高速低功耗的性能，并能很好地应用到高密度集成和大规模产业化生产中。
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公开(公告)号：CN101436532A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810236930.1
申请日：2008-12-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101429642A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810236683.5
申请日：2008-12-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种BiFeO3靶材的制备方法，对氧化铋Bi2O3和氧化铁Fe2O3的混合料依次进行研磨、球磨、预烧、再次球磨、造粒、筛选得到靶材，再对靶材进行排胶、烘烤、带压升温、保温和冷却。本发明还提供采用上述BiFeO3靶材制备薄膜的方法，选择Pt/TiO2/SiO2/p－Si衬底，使用射频磁控溅射法制备BiFeO3薄膜，最后对制得的BiFeO3薄膜作退火处理。本发明制备的靶材具有无杂相、平整致密的优点，采用该靶材制备的薄膜表面致密均匀，结晶性能较好，无杂相，漏电流小，电滞回线饱和，疲劳特性好，重复性好。
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公开(公告)号：CN100424878C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610125087.0
申请日：2006-11-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/04 , H01L21/8247 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法，本发明铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为10～30nm；下电极金属层的厚度为100nm～200nm；下缓冲层的厚度为5～20nm；铁电薄膜层的厚度为200nm～500nm；上缓冲层的厚度为100nm～200nm；上电极金属层的厚度为80nm～150nm。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小，漏电流较小。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容采用磁控溅射的方法逐层溅射制备，制备的薄膜结晶性能较好，可获得单一取向的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101168488A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710168369.3
申请日：2007-11-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B41/50 , C04B35/462 , G11B9/02
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，属于微电子新材料与器件范围。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜使用溶胶凝胶方法制备，前躯体溶液浓度为0.04～0.05摩尔/升，在每次旋转涂覆后，都对经过烘烤、热解的薄膜进行退火处理，退火时，把薄膜样品从室温、大气环境中直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下，退火5～10分钟。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜为择优取向的多晶薄膜，晶粒呈柱状且尺寸较大，具有疲劳特性较好和结晶温度较低的优点，可与现有CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN1538614A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200310111271.6
申请日：2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压控恒温晶体振荡器，特点是采用了新的控温方式和恒温槽结构。采用集成芯片ADN8830控温，它以PWM脉宽调制方式输出一定占空比的方波到开关驱动电路，该占空比由PID补偿电路加以控制，从而控制加热电阻丝的加热功率，以达到控温的目的。恒温槽由槽体及槽盖构成，电阻丝缠绕在恒温槽上，在槽体内开有腔，腔内放置谐振器Y1，在槽体中部一侧面开有槽，其内放置热敏电阻RT，振荡电路的电路板在槽体上，然后用槽盖加以密封。本发明不仅体积小，而且频率稳定度高。
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公开(公告)号：CN1160806C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN01138333.X
申请日：2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L41/24
Abstract: 本发明公开的Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备方法，采用钛酸丁酯，冰醋酸，硝酸铋，乙酰丙酮配制Bi4Ti3O12溶胶，其配比为：(a)钛酸丁酯与硝酸铋的摩尔比为3.00∶4.20-4.40；(b)冰醋酸、乙酰丙酮和钛酸丁酯的体积百分比分别为10-80%∶10-80%∶10%；选用(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底，将溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，形成湿薄膜，再进行烘干处理后进行退火处理；重复进行匀胶、烘干处理和退火热处理，直至形成所需厚度的BIT铁电薄膜。本发明方法制备的铁电薄膜可用于存储器制作。该铁电薄膜在结构、铁电与介电等方面具有较好的综合性能。在具体实施方式部分将从几个方面对本发明的技术效果作具体分析。
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公开(公告)号：CN1442612A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03118917.2
申请日：2003-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: F04B43/04
Abstract: 本发明公开了一种无阀薄膜驱动型微泵，该微泵是一种单膜双腔结构，双腔中间由基底膜与功能膜构成的驱动膜完全隔离，每个泵腔通过各自的锥形扩散管与进水孔相连，通过各自的锥形收缩管与出水孔相连。本发明采用单膜双腔结构，利用信号控制两个腔体容积的变化，使两个腔体容积变化得到实时互补，输出流量稳定，且具有结构及制备工艺简单、响应快、驱动频率宽、可控性强、能耗低、寿命长等特点。此外，本发明可采用微细加工和微机械技术相兼容的材料和工艺制造，具有体积小、成本低、容易和其它微检测和微控制元件集成等特点，适应于大批量生产，具有可观的应用前景。
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公开(公告)号：CN2664287Y
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200320115575.5
申请日：2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种恒温晶体振荡器，特点是采用了新的控温方式和恒温槽结构。采用集成芯片ADN8830控温，它以PWM脉宽调制方式输出一定占空比的方波到开关驱动电路，该占空比由PID补偿电路加以控制，从而控制加热电阻丝的加热功率，以达到控温的目的。恒温槽由槽体及槽盖构成，电阻丝缠绕在恒温槽上，在槽体内开有腔，腔内放置谐振器Y1，在槽体中部一侧面开有槽，其内放置热敏电阻RT，振荡电路的电路板在槽体上，然后用槽盖加以密封。本实用新型不仅体积小，而且频率稳定度高。
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