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公开(公告)号：CN112491741A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011119739.6
申请日：2020-10-19
Applicant: 国网上海市电力公司 , 北京中电飞华通信有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京邮电大学 , 国网陕西省电力公司 , 中国信息通信研究院 , 国家电网有限公司
Inventor： 陈毅龙 , 孙德栋 , 肖飞 , 欧清海 , 姚贤炯 , 张宁池 , 王艳茹 , 李温静 , 丰雷 , 马文洁 , 刘卉 , 刘唐 , 游兆阳 , 陈志杰 , 贺军 , 王晨 , 杜加懂 , 王琦
IPC: H04L12/927 , H04L12/853 , H04L12/851 , H04L12/24
Abstract: 本说明书一个或多个实施例提供一种虚拟网资源分配方法、装置和电子设备；所述方法包括：建立5G网络切片的映射模型，包括5G底层网络与虚拟网之间资源的映射关系；对其中请求资源的每个虚拟网根据其优先级进行降序排列，得到代表所述虚拟网优先级顺序的，降序虚拟网集合对每个虚拟网内的虚拟节点根据其优先级进行降序排列，分别得到代表虚拟网各虚拟节点优先级顺序的，降序虚拟节点集合对映射模型中的底层节点根据其可靠性进行降序排列，得到代表底层节点可靠性顺序的，降序底层节点集合按照可靠性降序对应优先级降序的原则，分别为虚拟节点分配底层节点；以及分别为每两个相连的虚拟节点分配最短底层路径。
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公开(公告)号：CN112234097A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN109873296B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910234625.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN111223955A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN108535801A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810240360.7
申请日：2018-03-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B5/28
Abstract: 本发明实施例提供了一种光学滤波器，包括：第一反射镜，以及至少包含一第二反射镜的法布里-珀罗谐振腔，第一反射镜的反射率大于第一预设值；第二反射镜的中心波长位于第一反射镜的反射谱中以预设波长为中心的第一预设波长范围内；第一反射镜设置在法布里-珀罗谐振腔内，在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层，光学优化层用于使光学滤波器在反射光谱区内包含预设波长的第二预设波长范围内的反射率小于第二预设值。本发明实施例提供的一种光学滤波器，通过在第一反射镜外嵌套一低Q值法布里-珀罗谐振腔，在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层，可以将一定波长范围内的光通过反射镜的反射和透射分为两部分，实现不同波长的光的分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107992659A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711189391.6
申请日：2017-11-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种超辐射发光二极管的优化方法，包括：S1，基于分数维度电子态系理论，根据超辐射发光二极管有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取其有源区载流子联系分谱密度CSD曲线、载流子联系浓度和载流子联系谱效因子；载流子联系谱效因子为CSD曲线峰值平方与载流子联系浓度之比；S2，调节有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取有源区优化厚度，即CSD曲线呈单峰状时载流子联系谱效因子和CSD曲线的-3dB带宽的乘积的最大值对应的有源区厚度；S3，基于有源区优化厚度设计超辐射发光二极管。本发明提供的方法，通过优化有源区厚度增大了功率带宽乘积，有效地提高了超辐射发光二极管的综合性能。
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公开(公告)号：CN107313046A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710334855.1
申请日：2017-05-12
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种SERS基底及其制备方法，涉及拉曼光谱技术领域。所述方法包括：S0，对衬底依次进行清洗和亲水性处理；S1，采用单分散的纳米小球、纳米晶或量子点，在所述衬底表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构；S2，在所述自组装阵列结构的顶部沉积金属活性层；S3，在所述金属活性层上覆盖碳基纳米材料层得到所述SERS基底。本发明在大面积规则排布的自组装阵列结构上沉积金属活性层，无需退火就可以形成周期性的金属纳米结构，接着覆盖碳基纳米材料层使得金属纳米结构与空气隔绝而避免或减缓其氧化过程，进而使得SERS基底不仅具有非常高的灵敏度，还能维持长久的活性。
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公开(公告)号：CN106876418A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号：CN104569064B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510062429.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种石墨烯气体传感器及其制备方法。该方法首先在衬底上依次沉积牺牲层和应变薄膜，接着，直接在应变薄膜上制备石墨烯层或将已制备好的石墨烯层转移至应变薄膜上，通过光刻和腐蚀形成台面，同时将牺牲层暴露出来；然后在石墨烯层上继续沉积金属电极；最后，侧向腐蚀掉牺牲层，使得应变薄膜与衬底脱离自卷曲成管，从而得到附着在管内壁上的卷曲石墨烯气体传感器。该石墨烯气体传感器对多种气体分子都具有较高的灵敏度且为三维结构，器件尺寸小，制备方法简单，适于大批量、低成本制备。此外，直径可调控的管状结构不仅提供了待测气体的天然输运通道，还可与其它片上微纳功能单元集成构筑芯片实验室。
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公开(公告)号：CN104016294B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310066230.3
申请日：2013-03-01
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。
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