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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112234097B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN111413757A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010137109.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B5/18 , G02B27/10 , H01L31/105 , H01L31/107
Abstract: 本发明实施例提供一种柱状透镜、柱状分束透镜、光探测器及光探测器阵列，该柱状透镜包括：包括底层、氧化层和光栅层，所述柱状透镜为SOI结构，其中：所述氧化层设置在所述底层和所述光栅层之间；所述光栅层，用于对入射平行光进行相位调制，以使得透射光会聚成一条线状光斑；所述光栅层是由多种预设规格的方形光栅块按照预设排列顺序组成的，其中，每个方形光栅块的周期相同，相同预设规格的方形光栅块的长度和宽度相同，且每个方形光栅块的高度相同本发明实施例克服了传统柱状透镜体积大、不易制备及难于集成的缺点，具有易设计、体积小、易集成以及与CMOS工艺相兼容等优点，广泛应用于光显示和光通信系统，光探测器阵列实现大功率特性。
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公开(公告)号：CN112234097A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN114447138A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111539713.1
申请日：2021-12-15
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器，包括衬底以及在所述衬底的顶面沿中心轴向设置的多个外延层，多个所述外延层包括吸收层，并基于对所述吸收层设置径向掺杂模式，生成目标电场。本发明提供的单行载流子光探测器，基于对吸收层设置径向掺杂模式，获得径向部分耗尽的吸收层结构，将器件内部电场改善为目标电场。能够提升载流子的运输速率，可以在不牺牲器件响应度的前提下，有效提升器件的3dB带宽，从而提高器件响应能力。
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