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公开(公告)号：CN114333943A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111370794.7
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 复旦大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明实施例提供一种阻变存储器的写操作方法及系统，属于存储技术领域。所述方法包括：获取待写入数据，并基于预设基准时间将所述待写入数据写入到存储器阵列各目标单元中；获取各目标单元的需求写入时间，将需求写入时间大于所述预设基准时间的目标单元确定为检测单元，并执行以下步骤：1)分别进行各检测单元自读取；2)根据自读取的结果确定各检测单元中是否存在存储错误的检测单元，并获取存储错误的检测单元的错误比特位；3)根据所述错误比特位对存储错误的检测单元进行数据重新写入；重复执行步骤1)‑3)，直至确定不存在存储错误的检测单元。本发明方案缩短了整个阻变存储器系统的写入时间，提高了写入效率。
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公开(公告)号：CN108345752B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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公开(公告)号：CN112834890B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN112649699B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011455709.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明涉及芯片测试领域，提供一种确定器件故障点的测试方法及装置。所述确定器件故障点的测试方法包括：按时间顺序对器件的介质层施加恒定电压和脉冲电压；监测所述脉冲电压的变化情况，根据所述脉冲电压的变化情况确定所述器件的介质层是否被击穿；在确定所述器件的介质层被击穿这一时刻停止施加所述脉冲电压，根据所述介质层的击穿情况确定所述器件最早发生故障的故障点。本发明在器件介质层被击穿的最早时期，能够立即感知到电压的变化，并立即停止施加电压。此时器件介质层击穿损坏不严重，可根据损坏情况精确定位器件最早发生故障的故障点的位置，从而分析出导致失效的具体原因，促进设计改进和制造工艺改进。
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公开(公告)号：CN112834890A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112231695B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011484779.0
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F21/52
Abstract: 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种基于分支预测机制的攻击方法及系统、存储介质。所述方法包括：基于分支预测机制构建针对目标程序的分支预测信息矩阵；对符合所述目标程序的输入数据规则的明文数据进行选择；将选择后的明文数据作为所述目标程序的输入数据或部分输入数据，采集所述目标程序运行的时间样本数据；根据所述分支预测信息矩阵确定与所述时间样本数据相对应的秘密信息。本发明在攻击过程中利用了目标程序运行的整体时间数据，对采集时间点位要求低，能够对泄露信息（秘密信息）进行整体刻画，减少对目标程序的控制要求，并且通过统计分析的方式进行攻击，对泄露的刻画更精确，提升时间攻击检测的精准性。
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公开(公告)号：CN112000584B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011160052.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明涉及程序调试技术领域，提供一种基于IDE调试框架的用于CPU程序的调试方法、调试系统以及存储介质。所述调试方法包括：根据CPU程序的调试状态创建与所述调试状态相对应的启动程序；判断所述启动程序的类型，根据所述启动程序的类型确定是否创建调试程序。本发明基于IDE调试框架改进用于CPU程序的调试方法，对调试的启动程序进行分类，根据启动程序的类型确定是否创建调试程序。在CPU程序处于调试状态时，在用户错误操作或多次点击Debug按钮情况下能够对已创建的调试程序进行保护，使IDE开发环境容错性更好，保证IDE开发环境处于健康状态，大大提升研发效率。
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公开(公告)号：CN109444547B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201811400959.9
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法及装置，RFID芯片阻抗测量方法包括如下步骤：制作二端口微带线电路板，其中，二端口微带线电路板包括直通微带线电路板以及与直通微带线电路板等长度的带被测物的微带线电路板；校准矢量网络分析仪；测试直通微带线电路板的S参数；测试带被测物的微带线电路板的S参数；基于直通微带线电路板的S参数得到针对直通微带线电路板的第一传输矩阵；基于带被测物的微带线电路板的S参数得到针对带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵；基于第一传输矩阵以及第二传输矩阵，计算T矩阵；以及基于T矩阵，计算RFID芯片阻抗。本发明的RFID芯片阻抗测量方法的测量结果更精准，且算法相对简单。
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公开(公告)号：CN112000584A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202011160052.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明涉及程序调试技术领域，提供一种基于IDE调试框架的用于CPU程序的调试方法、调试系统以及存储介质。所述调试方法包括：根据CPU程序的调试状态创建与所述调试状态相对应的启动程序；判断所述启动程序的类型，根据所述启动程序的类型确定是否创建调试程序。本发明基于IDE调试框架改进用于CPU程序的调试方法，对调试的启动程序进行分类，根据启动程序的类型确定是否创建调试程序。在CPU程序处于调试状态时，在用户错误操作或多次点击Debug按钮情况下能够对已创建的调试程序进行保护，使IDE开发环境容错性更好，保证IDE开发环境处于健康状态，大大提升研发效率。
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公开(公告)号：CN111355225A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010244294.8
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种电源钳位电路，属于集成电路芯片静电释放保护技术领域。所述电源钳位电路包括检测模块、启动模块以及泄放模块，还包括：反馈模块；所述检测模块包括电阻以及电容；所述反馈模块串联于所述电阻与所述电容之间；所述反馈模块包括第一二极管以及第二PMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的源极与所述电阻的第一端以及所述第一二极管的正极相连，所述第二PMOS晶体管的漏极与所述第一二极管的负极相连，所述第二PMOS晶体管的栅极与所述启动模块以及所述泄放模块相连。本发明通过增加反馈模块，在电源钳位电路导通时增加检测模块的阻抗，增大RC时间常数，延长泄放模块的导通时间，将静电荷彻底释放；在电源钳位电路不导通时，降低漏电流。
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