一种适用于CPGA封装高密度集成电路的引线键合装置

    公开(公告)号:CN204011365U

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201420282746.1

    申请日:2014-05-29

    Abstract: 一种适用于CPGA封装高密度集成电路的引线键合装置,包括两个功能模块、共三部分。一个功能模块为键合夹具,包括基座和上板两部分,基座通过螺栓组固定在键合机工作台面上,上板可根据不同产品特点设计和选用,使用螺钉固定在基座上。另一功能模块为真空模块,将设备真空吸孔由单孔分为多孔,实现多通道单独控制,保证机台真空吸力,提高键合定位精度。对于CPGA类插装式电路,为适应其结构,提高键合精度,在夹具上板设计和加工中加入两个位置可变的多孔对称固定插槽,插槽位置可在上板滑轨内调节。该装置的设计使用,显著提升了设备键合精度,充分保证了高密度多引线集成电路键合工艺质量,提高了设备完成多品种、小批量封装任务的效率。

    一种带腔体器件焊膏印刷的方法

    公开(公告)号:CN102700275B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201210171255.5

    申请日:2012-05-25

    Abstract: 本发明涉及一种带腔体器件焊膏印刷的方法,通过制作与器件腔体相配合的网板凸台进行焊膏印刷,并配合升降基台采用大尺寸刮刀在网板凸台上表面移动的方式实现腔体底部图形焊膏的印刷,其中网板凸台是由带凸台的薄钢板与印刷网板拼接而成,对于带腔体器件的焊膏印刷,本发明方法可以有效避免刮刀在凸台底部直接进行焊膏印刷时印刷质量难以保证的问题,实现了带腔体器件底部金属图形精确印刷焊膏,操作简便,焊膏印刷质量高、印刷效率高,适用于批量带腔体器件的焊膏印刷。

    基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法

    公开(公告)号:CN102157405A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201010617973.1

    申请日:2010-12-22

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法,通过陶瓷外壳、圆片镀金、切片、真空共晶焊接、引线键合和金锡合金熔封封帽等步骤解决了现有真空共晶焊接不能采用熔封封帽工艺的技术难题。本发明焊接温度采用340℃,保温6分钟,时间和温度均高于传统焊接条件,使陶瓷外壳装片区表面和芯片表面金层渗入焊料,导致焊料中Au/Sn的成份发生改变,避免了熔封封帽时芯片焊接区域的二次熔化问题;本发明在焊料熔化后进行抽真空,抽除了芯片焊接时形成的大部分气泡,有效减少了焊接区域形成空洞的几率,使焊接空洞得到了有效的控制;本发明采用芯片键合方法是基于熔封封帽工艺,有利于整个封装生产的批量生产,提高产品的一致性水平。

    一种引线键合夹具
    58.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102446803B

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201110291342.X

    申请日:2011-09-29

    Abstract: 一种引线键合夹具,包括固定轴、齿轮箱、小齿轮、大齿轮、小轴和大轴;固定轴一端与设备工作台连接,另一端与齿轮箱连接,大齿轮和小齿轮啮合,小轴和大轴分别是小齿轮和大齿轮的中心轴,所述大齿轮和小齿轮镶嵌于齿轮箱内部,大齿轮的端面有大齿轮凸台,大齿轮凸台的端面有均匀分布的通孔,用于固定被夹器件。通过小齿轮的旋转,带动大齿轮转动,大齿轮同时带动固定于其上的器件转动,使器件切换到下一个工作面。本发明实现了器件的立体空间中多个侧面的连续切换,避免了器件的多次安装,大大节约了引线键合夹具暂停时间,提高了生产效率。所述夹具不仅操作简便,而且提高了加工精度,保证了良好的焊接质量。

    一种带腔体器件焊膏印刷的方法

    公开(公告)号:CN102700275A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210171255.5

    申请日:2012-05-25

    Abstract: 本发明涉及一种带腔体器件焊膏印刷的方法,通过制作与器件腔体相配合的网板凸台进行焊膏印刷,并配合升降基台采用大尺寸刮刀在网板凸台上表面移动的方式实现腔体底部图形焊膏的印刷,其中网板凸台是由带凸台的薄钢板与印刷网板拼接而成,对于带腔体器件的焊膏印刷,本发明方法可以有效避免刮刀在凸台底部直接进行焊膏印刷时印刷质量难以保证的问题,实现了带腔体器件底部金属图形精确印刷焊膏,操作简便,焊膏印刷质量高、印刷效率高,适用于批量带腔体器件的焊膏印刷。

    基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法

    公开(公告)号:CN102157405B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010617973.1

    申请日:2010-12-22

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法,通过陶瓷外壳、圆片镀金、切片、真空共晶焊接、引线键合和金锡合金熔封封帽等步骤解决了现有真空共晶焊接不能采用熔封封帽工艺的技术难题。本发明焊接温度采用340℃,保温6分钟,时间和温度均高于传统焊接条件,使陶瓷外壳装片区表面和芯片表面金层渗入焊料,导致焊料中Au/Sn的成份发生改变,避免了熔封封帽时芯片焊接区域的二次熔化问题;本发明在焊料熔化后进行抽真空,抽除了芯片焊接时形成的大部分气泡,有效减少了焊接区域形成空洞的几率,使焊接空洞得到了有效的控制;本发明采用芯片键合方法是基于熔封封帽工艺,有利于整个封装生产的批量生产,提高产品的一致性水平。

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