公开(公告)号：CN107500276A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710845504.7

申请日：2017-09-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  贾开诚 ,  张金灿 ,  林立 ,  孙禄钊

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN105386124A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510931329.4

申请日：2015-12-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  林立 ,  孙禄钊

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/64 ,  C25F3/22

CPC classification number: C30B29/02 ,  C25F3/22 ,  C30B25/186 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶及其快速生长方法。该方法包括：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。该方法工艺简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。

公开(公告)号：CN208440698U

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201820925014.8

申请日：2018-06-14

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  孙禄钊 ,  刘晓婷 ,  李杨立志 ,  林立 ,  张金灿 ,  贾开诚

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26

Abstract: 本实用新型提供了一种石墨烯的清洁装置，包括动力系统和滚轮；所述动力系统包括动力轴；所述滚轮表面设置有吸附剂；所述滚轮能够在所述动力轴的作用下对所述石墨烯的表面进行滚压吸附处理。本实用新型一实施方式的石墨烯的清洁装置，通过具有吸附性的滚轮对石墨烯表面进行滚压处理，可以获得超洁净石墨烯。