公开(公告)号：CN110095703A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910294891.9

申请日：2019-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜刚 ,  陈汪勇 ,  赵松涵

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种自热效应测试结构，该结构包括：第一待测器件(1)、第二待测器件(2)、传感器(3)；所述第一待测器件(1)和第二待测器件(2)相对于传感器(3)呈镜像布置。本发明的优点在于：(1)支持多类器件的自热效应检测，不受器件制造工艺和器件种类的制约，适用范围广，实用性强，检测效率高。(2)相较于前述其他技术，该结构测试结果更为准确可信。(3)本结构极大地减少了自热器件和传感器件之间的热扩散，使得传感器件具备的温度条件更加接近于自加热器件。结构利用栅极隧穿电流对温度的敏感性，更快速和准确地获得被测器件的信息，降低了信息采集的时间和成本。

公开(公告)号：CN108666336A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810528240.7

申请日：2018-05-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜刚 ,  刘力桥 ,  沈磊 ,  刘晓彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种UTBB光电探测器阵列及其工作方法，其中，光电探测器的阵列包括：由栅极公共端组成的字线、由漏极公共端组成的位线、由公共源极组成的共源端以及由具有不同掺杂类型区域的衬底分别组成的势阱端。所述双工作模式包括：通过一个包含双阱结构的全像素单元进行光采集，使得光电探测器实现高灵敏度的工作模式；以及将一个像素单元拆分成两个半宽度像素，每个半宽度像素单独完成一个像素点光信号的采集，使得光电探测器实现高分辨率的工作模式。本发明的优点是，通过所述的UTBB光电探测器阵列及其工作方法，在不改变原有器件性能的基础上，使得具有UTBB结构的光电探测器同时具有高分辨率和高灵敏度两种工作模式。

公开(公告)号：CN102290983B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201110162462.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 丁健平 ,  王源 ,  杜刚 ,  康晋锋 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明公开了一种电荷泵，涉及集成电路技术领域。该电荷泵包括：第一电荷泵电路，以电源电压以及两相时钟信号为输入，用于将电源电压提升至第一设定电压值并输出；时钟信号电压转换电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压以及所述两相时钟信号为输入，用于将所述两相时钟信号的摆幅提升至所述输出电压，并输出提升后的两相时钟信号；第二电荷泵电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压、所述两相时钟信号以及所述提升后的两相时钟信号为输入，用于将所述输出电压提升至第二设定电压值并输出。本发明的电荷泵采用两级结构，提高后一级电荷泵电路的时钟幅度，从而提高了电荷泵整体输出电压上升速度，并能提供更高的输出电压。

公开(公告)号：CN102832256A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210330687.6

申请日：2012-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘飞 ,  刘晓彦 ,  康晋锋 ,  杜刚 ,  王漪

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述源区与沟道区的接触区域为非本征材料，且不同于源区的掺杂类型。本发明通过在源区和沟道区接触处进行不同于源区的掺杂，使器件在开态时具有较窄的源端到沟道的隧穿层厚度，从而提高开态电流。由于该方法并未改变关态时源端到漏端的隧穿层厚度，所以可以保持较低的关态电流，因此，利用该方法可以得到更高的开关比和较低的亚阈值斜率，从而可以得到较好的器件性能。

公开(公告)号：CN102831921A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210306027.4

申请日：2012-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋锋 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种Flash灵敏放大器，涉及集成电路技术领域。该放大器包括：参考电压发生电路，生成参考电压信号，并将所述参考电压信号发送至电流放大电路；电流放大电路，与参考电压发生电路相连，根据参考电压，放大流经Flash的存储单元阵列中的存储单元以及参考单元阵列中的参考单元的电流；比较器，分别与存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线相连，放大所述存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线上的电压信号；参考单元阵列位线，连接参考单元阵列以及所述电流放大电路；预充电电路，与存储单元阵列位线相连，对存储单元阵列位线上的电容负载进行预充电。本发明的Flash灵敏放大器的速度更快。

公开(公告)号：CN102082561B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201110050897.5

申请日：2011-03-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  宛星 ,  杜刚 ,  王源 ,  张钢刚

IPC: H03K3/012

Abstract: 本发明公开了一种SOI时钟双边沿静态D触发器，包括：上通道和下通道两条数据通道，所述上通道包括N型MOS管TN1、TN2，反相器INV1、INV2、INV3以及CMOS传输门TG1；所述下通道包括N型MOS管TN3、TN4，反相器INV2、INV3、INV4以及CMOS传输门TG2。本发明提出了一种基于SOI的时钟双边沿静态D触发器。实验数据显示，和体硅工艺实现的CMOS器件相比，SOI工艺实现的电路可以减小功耗达81.25％。与现有的三种触发器相比，能节省功耗达71.58％。而且相较于单边沿触发器，在同样的时钟频率下能够使得输入处理速率加快一倍。

公开(公告)号：CN102694030A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210180199.1

申请日：2012-06-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘飞 ,  刘晓彦 ,  杜刚 ,  王漪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及隧穿场效应晶体管技术领域，公开了一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯纳米带，所述漏区的材料为n型掺杂的石墨烯纳米带，且所述源区的石墨烯纳米带的宽度大于所述沟道区、漏区的石墨烯纳米带的宽度。本发明利用石墨烯纳米带形成的异质结构在保持隧穿场效应晶体管较小漏电流的同时增大开态电流，并进一步减小亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN102683350A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210117063.6

申请日：2012-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 叶锋 ,  刘晓彦 ,  杜刚 ,  康晋锋

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种电荷俘获存储器，包括：衬底、源极、漏极、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述衬底的两端形成源级和漏极，形成于所述衬底之上的隧穿层将所述源极和漏极隔开，在所述隧穿层上面依次为电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述包围沟道的多栅极依次包围隧穿层、电荷俘获层和阻挡层。。本发明的多栅电荷俘获存储可以使在存储器编程、擦除的时间缩短并且可以降低在编程时的电压，提高信息保持时间。