-
公开(公告)号：CN104330430A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410446840.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面镜，聚焦面镜的焦点位于光阴极材料的表面，通过调节激光束的入射位置，实现激光入射角度的连续变化，并且可以改变激光的波长和偏振态，可原位测量得到光电子发射特性的全部参数。本发明的方法省去分立角度入射激光激发模式中频繁在真空腔室外部调节激光光路的一系列繁琐步骤，仅需要改变激光束的入射位置便可改变入射角度，且克服了分立角度入射带来的角度不连续问题。
-
公开(公告)号：CN103663354A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210334872.2
申请日：2012-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微/纳米阵列及其在微/纳米材料标准弯曲应变加载中的应用。该微/纳米支撑阵列，由衬底和垂直位于所述衬底上的若干个间隔排布的作为支撑点的柱形结构组成。微/纳米支撑点阵图案可自由定义，该发明可针对不同长度和粗细的准一维微/纳米材料对进行标准弯曲应变的加载。在研制微力和位移传感器，柔性微/纳米生物、光、电探测等众多方面有着巨大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102621214A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210065833.7
申请日：2012-03-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/48
CPC classification number: G01N27/44765 , B01L3/502707 , B01L3/50273 , B01L3/502761 , B01L2200/0663 , B01L2300/0896 , B01L2400/0415 , B01L2400/0487 , C12Q1/6869 , G01N27/44791 , G01N27/453 , G01N33/48721 , C12Q2523/303 , C12Q2527/109 , C12Q2563/116 , C12Q2565/631
Abstract: 本发明公开了一种基于固态纳米孔对核酸分子进行减速及单分子捕获的方法。该包括下述步骤：将待测的核酸分子加入到盛有电解液的纳米孔测序装置中，所述纳米孔测序装置包括：设有正极和负极的电解池、以及分隔所述电解池正极和负极的固态纳米孔薄膜；将核酸分子置于所述电解池的正极腔室，测定时，向所述正极腔室引入压强外场，作为核酸分子穿孔的驱动外场；并在正极和负极间施加电压，作为与压强外场反向的电场外场；测定过程中根据其要实现的减速或捕获的目的，使核酸分子在纳米孔中受到的压强外场的作用力大于或近似等于电场力。该方法在不降低测量信号信噪比的前提下，可有效降低DNA分子穿过纳米孔器件的速度，可以将穿孔速度减慢一个数量级以上。
-
公开(公告)号：CN101734619A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910241970.X
申请日：2009-12-16
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种制备具有高度渐变表面微纳米结构的材料的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上涂覆电子抗蚀剂得到电子抗蚀剂层，并烤胶；2)电子束曝光，显影，定影；3)涂覆苯甲醚得到苯甲醚层，并烤胶；4)将目标材料沉积到苯甲醚层之上，得到目标材料层；5)将目标材料层粘附在另一块衬底上；6)将目标材料层与所述电子抗蚀剂层进行剥离。该方法操作方式简便，材料适用范围广，图案形状、位置可定义，结构表面光滑，具有很高的可控性及可重复性，在表面等离激元研究、纳米颗粒的自组装、太阳能利用、微流研究等方面都能发挥巨大作用。
-
公开(公告)号：CN101357749A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810119931.8
申请日：2008-09-10
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种规模化制备超精细纳米结构的方法与应用。该方法包括：1)将待加工物放入加速电压大于200kV的场发射透射电镜中，将该场发射透射电镜的放大倍数调至100KX，将透射电镜电子束会聚成1－10nm的束斑；2)将束斑移动至待加工物表面需制备超精细纳米结构的位置进行曝光，得到该位置的超精细纳米结构；3)移动步骤2)的束斑至下一需制备超精细纳米结构的位置；重复上述步骤得到超精细纳米结构，包括纳米孔和纳米光栅狭缝。该方法的加工精度为1nm，穿透深度可达300纳米，可控性及可重复性很高，可排列出任意二维阵列，在制备DNA测序器件、原子波衍射器件和单粒子探测器件中具有广泛应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1291920C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310113384.X
申请日：2003-11-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用，目的是提供一种ZnO纳米线及其制备方法与ZnO纳米线阵列。本发明所提供的ZnO纳米线，它的直径为20-60nm，尖端曲率半径3-10nm。本发明所提供的ZnO纳米线阵列，是在金属网格均匀生长的ZnO纳米线，所述ZnO纳米线的直径为20-60nm，尖端曲率半径3-10nm。本发明的方法可以在厘米量级上的大面积生长高取向(垂直于金属网格)、高纯度、高密度且直径均一的ZnO纳米线。
-
公开(公告)号：CN111621846B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910144704.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。
-
公开(公告)号：CN109837523B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810493954.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。
-
公开(公告)号：CN110085660A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910299136.X
申请日：2019-04-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种拓扑场效应晶体管及其实现方法。本发明利用拓扑半金属表面态电子的自旋-动量锁定特性，在源极与漏极之间施加直流偏置电流，产生表面态的自旋极化，通过改变偏置电流方向的方式，或者调控栅极电压诱发拓扑相变的方式，实现0和1的转换；相比传统晶体管及自旋场效应晶体管，此拓扑场效应晶体管由于自身的拓扑保护特性，其中电子的传输不受背散射影响，从而能大大减少热量的产生，极大降低功耗；同时打破了自旋场效应晶体管中最小沟道长度的限制，并实现了自旋信号开关比达300。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.018 seconds)
