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公开(公告)号：CN104330430A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410446840.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面镜，聚焦面镜的焦点位于光阴极材料的表面，通过调节激光束的入射位置，实现激光入射角度的连续变化，并且可以改变激光的波长和偏振态，可原位测量得到光电子发射特性的全部参数。本发明的方法省去分立角度入射激光激发模式中频繁在真空腔室外部调节激光光路的一系列繁琐步骤，仅需要改变激光束的入射位置便可改变入射角度，且克服了分立角度入射带来的角度不连续问题。
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公开(公告)号：CN103956312A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410158109.8
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体表面涂层处理装置及其处理方法。本发明的处理装置包括：反应室、真空抽气系统、真空度测量系统、供氧系统、电子源电源、加热带、观察窗和比色测温仪。本发明采用反应室连接真空抽气系统、真空度测量系统和供氧系统，能够对氧化环境、真空度、温度和处理时间的精密控制；实现在单晶钨丝的表面形成均匀的氧化锆涂层，显著的降低了单晶钨丝作为发射体的攻函数，从约4.7eV降低到约2.8eV，有利于发射体中电子的场致发射，也降低了发射体尖端需加载的电场强度的要求，减少了发射体尖端放电的危险，通过这种方法制备的场发射电子源的工作时间超过2000小时，有效地延长了场发射电子源的工作寿命。
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公开(公告)号：CN102496541B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110406532.1
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发叉钨丝成型装置。本发明的焊接装置包括：刀片；底座；控制刀片向下挤压深度的刀片架组；包括一对间距可调的左固定托和右固定托的间距调节组；以及一对用于放置钨丝的钨丝定位片。本发明的成型装置，可以在5°-95°角度范围内的任意角度对钨丝进行精确的弯曲，既能精确保证弯曲角度也能精确保证V型叉具有相同的长度；并且可多根钨丝一次同时成型，极大的提高了发叉钨丝成型的精度和一致性，同时也大大的提高了V型发叉钨丝制作效率，为确保后续焊接和安装精度提供了保证。
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公开(公告)号：CN103943437B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410158154.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体尖端塑形装置及其塑形方法。本发明的塑形装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统和电子束成像系统。本发明在场发射电子源发射体尖端加热发生钝化，并在阳极上加载临界电场形成场致发射，发射体尖端的表面张力和附加电场产生的电场力在表面达到平衡，实现塑形；经过场发射电子源发射体尖端塑形后，其发射体尖端形成稳定的发射面，稳定的发射面能使场发射电子源发射的电子束束流具有发射电流大，发射方向集中，角电流密度高，单色性好和稳定的束流发射等特点。
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公开(公告)号：CN102496541A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110406532.1
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发叉钨丝成型装置。本发明的焊接装置包括：刀片；底座；控制刀片向下挤压深度的刀片架组；包括一对间距可调的左固定托和右固定托的间距调节组；以及一对用于放置钨丝的钨丝定位片。本发明的成型装置，可以在5°-95°角度范围内的任意角度对钨丝进行精确的弯曲，既能精确保证弯曲角度也能精确保证V型叉具有相同的长度；并且可多根钨丝一次同时成型，极大的提高了发叉钨丝成型的精度和一致性，同时也大大的提高了V型发叉钨丝制作效率，为确保后续焊接和安装精度提供了保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102489858A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110406462.X
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体焊接装置。本发明的焊接装置包括用于调整焊接件位置的位移架和在位移架上固定点焊平台板，在固定点焊平台板的一端设置有陶瓷座安装架，用于安装灯丝陶瓷座；在点焊平台板的一端设置有钨丝安装平台，用于放置钨丝。本发明的焊接装置，通过调整焊接件位置，能够确保焊接精度，用于专门焊接场发射电子源。本发明的场发射电子源发射体焊接装置，焊接件安装简单，焊接定位容易，焊接强度高，氧化问题不明显，焊接成本低，成功率高。
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公开(公告)号：CN104330430B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410446840.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面镜，聚焦面镜的焦点位于光阴极材料的表面，通过调节激光束的入射位置，实现激光入射角度的连续变化，并且可以改变激光的波长和偏振态，可原位测量得到光电子发射特性的全部参数。本发明的方法省去分立角度入射激光激发模式中频繁在真空腔室外部调节激光光路的一系列繁琐步骤，仅需要改变激光束的入射位置便可改变入射角度，且克服了分立角度入射带来的角度不连续问题。
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公开(公告)号：CN104134604B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410158183.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场，控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔，从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数，获得上述电子源电子发射的定量化参数，为评价场发射电子源性能，优化场发射电子源制备工艺，完善场发射电子源制备平台提供定量依据。
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公开(公告)号：CN104134604A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410158183.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场，控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔，从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数，获得上述电子源电子发射的定量化参数，为评价场发射电子源性能，优化场发射电子源制备工艺，完善场发射电子源制备平台提供定量依据。
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公开(公告)号：CN103943437A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410158154.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体尖端塑形装置及其塑形方法。本发明的塑形装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统和电子束成像系统。本发明在场发射电子源发射体尖端加热发生钝化，并在阳极上加载临界电场形成场致发射，发射体尖端的表面张力和附加电场产生的电场力在表面达到平衡，实现塑形；经过场发射电子源发射体尖端塑形后，其发射体尖端形成稳定的发射面，稳定的发射面能使场发射电子源发射的电子束束流具有发射电流大，发射方向集中，角电流密度高，单色性好和稳定的束流发射等特点。
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