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公开(公告)号：CN109426076B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810985279.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN113805434A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110646782.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物；及(B)有机溶剂。式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1～10的整数。式中，虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。式中，虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。
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公开(公告)号：CN113050373A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011564357.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D307/88 , C07D493/10 , C07D311/82 , C07D233/74 , C07D239/62 , C07D251/30 , C07D487/04 , C07C69/736
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供用以形成兼顾高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良的密合力的有机膜的有机膜材料。提供含有下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。该通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示2～10的整数，R1为下式(2)～(4)中的至少一者以上；该通式(3)中，l1表示0或1；该通式(4)中，l2表示0或1。
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公开(公告)号：CN112987495A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011454750.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D303/30 , C07D405/14 , C07D209/48 , C07D403/14 , C07D487/04 , C07C53/126 , C07C65/28
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明的目的在于提供为了形成兼具高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良密合力的有机膜的有机膜材料。本发明提供包含下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。上述通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示1～10的整数，R1为下列通式(2)～(4)中的至少一者以上；
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公开(公告)号：CN112180686A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010637312.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F1/56 , G03F1/76
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN112034681A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010490327.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良，成为散逸气体的升华物成分少，并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。 该通式(1A)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环，W1为下列通式(1B)中的任意者，也可组合使用2种以上的W1；W2为碳数1～80的2价有机基团；该通式(1B)中的R1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，R2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN107589633B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710546915.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1]式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111825596A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，能够形成耐热性、或形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)通式(1A)或(1B)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN109960111A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811592270.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]
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公开(公告)号：CN109426077A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985309.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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