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公开(公告)号：CN108698933A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014108.8
申请日：2017-01-31
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/9661 , C23C14/34 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供能以比过去更低的温度的退火处理来制造具有高载流子迁移率的由铟及镓构成的非晶质或结晶质的氧化物半导体薄膜的溅射用靶、用于得到该钯的合适的由铟及镓构成的氧化物烧结体。该氧化物烧结体由铟及镓的氧化物构成，其特征在于，以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.10以上且0.49以下，CIE1976颜色体系中的L*值为50以上且68以下，由方铁锰矿型结构的In2O3相和In2O3相以外的生成相构成，所述In2O3相以外的生成相是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相，或者是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相。
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公开(公告)号：CN105009298B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201480012738.8
申请日：2014-03-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C01B21/0821 , C01P2006/40 , H01L21/02521 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN106029604A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009757.X
申请日：2015-02-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5806 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN103347836B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280007485.6
申请日：2012-01-19
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/01 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L51/442 , H01L2251/308
Abstract: 本发明提供一种离子镀用片体、以及用于获得该离子镀用片体的氧化物烧结体，该离子镀用片体可对适于太阳能电池的透明导电膜进行高速成膜，且可以在不引起裂纹、破裂或者喷溅的状态下继续成膜。本发明提供一种氧化物烧结体等，其含有氧化铟作为主要成分，并含有钨作为添加元素，钨的含量以W/(In＋W)的原子数比计为0.001～0.15，其特征在于，该氧化物烧结体主要由下述晶粒构成：由没有固溶钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(A)、以及由固溶有钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(B)，且该氧化物烧结体的密度为3.4～5.5g/cm3。
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公开(公告)号：CN102348827B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080011190.7
申请日：2010-03-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C23C14/0036 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时有用的、耐氢还原性优异、光封闭效果优异的透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体及其制造方法，将该透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体作为电极使用的硅系薄膜太阳能电池。本发明提供透明导电膜等，该透明导电膜的特征在于，以氧化锌为主成分，且含有选自铝和镓中的1种以上的添加金属元素，其含量在下述式(1)所示的范围内，并且表面粗糙度(Ra)为35.0nm以上，表面电阻为65Ω/□以下。-[Al]+0.30≤[Ga]≤-2.68×[Al]+1.74(1)(其中，[Al]是由Al/(Zn+Al)的原子数比(％)表示的铝含量，另一方面，[Ga]是由Ga/(Zn+Ga)的原子数比(％)表示的镓含量)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104507888A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040279.X
申请日：2013-07-31
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种离子镀用片体以及氧化物烧结体，该氧化物烧结体以用于获得该离子镀用片体的氧化铟为主要成分并且含有特定量的锡作为添加元素，该离子镀用片体可高速成膜适用于太阳能电池的透明导电膜并且可在不引起裂纹、破碎或者喷溅的状态下继续成膜。本发明提供一种氧化物烧结体等，该氧化物烧结体以氧化铟为主要成分，含有锡作为添加元素，并且锡的含量按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.001～0.15，其特征在于，该氧化物烧结体主要由晶粒(A)和晶粒(B)构成，该晶粒(A)中，锡的含量少于氧化物烧结体的平均锡含量，该晶粒(B)中，锡的含量在氧化物烧结体的平均锡含量以上，晶粒(B)与晶粒(A)的平均锡含量之差按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.015以上，且该氧化物烧结体的密度为3.4～5.5g/cm3。
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公开(公告)号：CN102482154B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080034731.8
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供离子镀用片料、为了获得离子镀用片料的最适合的氧化物烧结体和其制造方法，该离子镀用片料可以实现适用于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和不产生飞溅的结节少的成膜。一种离子镀用片料，该离子镀用片料通过将氧化物烧结体加工而得到，该氧化物烧结体含有作为氧化物形式的铟和铈，铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比计为0.3～9原子％，其特征在于，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒而进行微细地分散，氧化物烧结体通过下述方法制造：将含有氧化铟粉末和氧化铈粉末的平均粒径1.5μm以下的原料粉末混合后，对混合粉末进行成形，通过常压烧结法对成形物进行烧结，或者利用热压法对混合粉末进行成形并烧结。
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公开(公告)号：CN102482155B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080034732.2
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供能够实现适合于蓝色LED及太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和无结节成膜的溅射用靶、用于得到它的最佳氧化物烧结体及其制造方法。该氧化物烧结体是含有铟和铈作为氧化物，而且以氧化物的形式含有一种以上金属元素(M元素)，该金属元素从由钛、锆、铪、钼及钨组成的金属元素群组中选出，并且铈的含量以Ce/(In+Ce+M)原子数比计为0.3～9原子％、M元素的含量以M/(In+Ce+M)原子数比计为1原子％以下、铈和M元素的总含量以(Ce+M)/(In+Ce+M)原子数比计为9原子％以下，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒进行细微地分散。
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公开(公告)号：CN103641449A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310524759.5
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于35原子%。
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公开(公告)号：CN103347836A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007485.6
申请日：2012-01-19
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/01 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L51/442 , H01L2251/308
Abstract: 本发明提供一种离子镀用片体、以及用于获得该离子镀用片体的氧化物烧结体，该离子镀用片体可对适于太阳能电池的透明导电膜进行高速成膜，且可以在不引起裂纹、破裂或者喷溅的状态下继续成膜。本发明提供一种氧化物烧结体等，其含有氧化铟作为主要成分，并含有钨作为添加元素，钨的含量以W/(In＋W)的原子数比计为0.001～0.15，其特征在于，该氧化物烧结体主要由下述晶粒构成：由没有固溶钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(A)、以及由固溶有钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(B)，且该氧化物烧结体的密度为3.4～5.5g/cm3。
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