公开(公告)号：CN116997688A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280019664.5

申请日：2022-02-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，所述单晶金刚石的每单位厚度的相位差的平均为10nm/mm以下，所述相位差的标准偏差为5nm/mm以下。

公开(公告)号：CN114729469A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081826.9

申请日：2020-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  寺本三记 ,  小林豊 ,  角谷均 ,  佐藤一成 ,  豊岛辽

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种包含氮的合成单晶金刚石，在X射线吸收精细结构光谱中，3/4值全宽为3eV以上的能量405±1eV处的峰的强度I405与能量412±2eV处的峰的强度I412的比I405/I412低于1.5。

公开(公告)号：CN107112205B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201680005889.X

申请日：2016-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  仲前一男

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265

Abstract: 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

公开(公告)号：CN101400833B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200780008725.3

申请日：2007-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 植田晓彦 ,  目黑贵一 ,  山本喜之 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。

公开(公告)号：CN101375363A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003705.7

申请日：2007-06-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本喜之 ,  植田晓彦 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/073 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/073 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。

公开(公告)号：CN1331180C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN03158649.X

申请日：2003-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人精细陶瓷中心

Inventor： 西林良树 ,  安藤丰 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J2201/30457

Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面，而且所述阴极薄膜平行于柱形部分的侧面延伸。

公开(公告)号：CN116997689A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280020013.8

申请日：2022-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 左亦康 ,  李真和 ,  西林良树 ,  小林丰 ,  寺本三记 ,  角谷均

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率小于0.01％。

公开(公告)号：CN116964258A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280020017.6

申请日：2022-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 左亦康 ,  李真和 ,  西林良树 ,  寺本三记 ,  小林丰 ,  角谷均

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率为0.01％以上且1.0％以下。

公开(公告)号：CN116848422A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280011208.6

申请日：2022-01-26

Applicant: 日新电机株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  中西裕美 ,  出口洋成 ,  林司 ,  辰巳夏生

IPC: G01R33/02

Abstract: 一种金刚石传感器单元，包括：传感器部，包括具有色心的金刚石，所述色心带有电子自旋；照射部，向金刚石照射激发光；检测部，检测来自金刚石的色心的放射光；以及光波导，传输激发光及放射光。

公开(公告)号：CN114655953A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210130434.8

申请日：2015-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  辰巳夏生 ,  角谷均 ,  仲前一男

IPC: C01B32/26 ,  C01B32/28

Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层；通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。