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公开(公告)号：CN117727777A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311744331.1
申请日：2023-12-18
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种肖特基结的特性调控方法、结构及其应用。所述特性调控方法包括：使金属电极与宽禁带半导体形成肖特基接触，该金属电极用于与宽禁带半导体接触的表面具有第一、第二区域，第一、第二区域分别由第一、第二金属形成，第二区域环绕第一区域设置，第二金属的功函数低于第一金属的功函数；以金属电极为掩膜对宽禁带半导体进行刻蚀形成台面结构；至少在台面结构的侧壁上制作场板结构；通过调整第一、第二金属中任一者的种类和/或任一者与宽禁带半导体的接触面积在金属电极与宽禁带半导体的接触面积中的占比，实现对肖特基结特性的调控。本申请可实现较大范围内的肖特基势垒高度的精细调控，同时提升关态特性，综合提高器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN116525725A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210066098.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用。所述的方法包括：在p型III族氮化物材料生长过程中和/或生长完成后，使所述p型III族氮化物材料与卤素基活性原子和/或卤素基活性基团接触反应，以移除所述p型III族氮化物材料中的部分III族原子，从而在所述p型III族氮化物材料中产生阳离子空位；以及激活包含有所述阳离子空位的p型III族氮化物材料中的受主杂质。本发明提供的一种提高AlGaN半导体材料空穴浓度的方法，突破了传统p型AlGaN材料面临的受主型Mg原子并入效率低、自补偿效应严重等局限，可利用III族阳离子空位来大幅增加处于III族原子晶格位点的Mg受主型杂质浓度、从而显著提高p型AlGaN材料中的空穴浓度。
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公开(公告)号：CN116435428A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210012371.6
申请日：2022-01-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体光电器件结构及其制备方法。所述光电器件结构包括沿指定方向依次设置的p型半导体层、有源区和n型半导体层所形成的外延结构以及与p型半导体层配合的p电极和与n型半导体层配合的n电极；所述外延结构中还形成有电流注入窗口；其中，所述p电极至少覆盖p型半导体层表面的第一区域且与p型半导体层形成欧姆接触，所述第一区域环绕第二区域设置，所述第二区域与所述电流注入窗口对应设置。本发明中提供的III族氮化物半导体光电器件结构具有串联电阻低、光损耗小和热阻小等优点，可大幅提升光电性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN116190516A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111427556.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层上还设置有n型布拉格反射镜层，且所述n型布拉格反射镜层内分布有多个纳米级孔洞。本发明中提供的III族氮化物紫外发光二极管结构取光效率高、漏电小、可靠性高，且工艺制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113471814B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010240434.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法及应用。所述氮化物半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括沿设定方向依次设置的n侧DBR结构、有源区和p侧DBR结构，所述激光器的n侧形成有电流限制结构。进一步的，所述激光器的p侧与支撑片键合。本发明提供的氮化物半导体垂直腔面发射激光器具有器件电阻低、工作电压小，热阻低、散热效果好、结温低，工艺简单等优点，可大幅增强氮化物半导体VCSEL的性能和寿命，提高激光器工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692491A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110826176.2
申请日：2021-07-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。所述III族氮化物增强型HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次叠设的沟道层、势垒层和p型半导体；所述外延结构还包括叠设在p型半导体上的AlyGa1‑yN层，所述栅极设置在AlyGa1‑yN层上；所述势垒层与p型半导体的接触界面处的Al含量低于所述势垒层中其余区域的Al含量，所述AlyGa1‑yN层所含掺杂元素的浓度低于所述p型半导体所含掺杂元素的浓度；其中，0＜x≦1，0≦y≦1，0≦m≦1。本发明提供的III族氮化物增强型HEMT器件具有更高的栅极工作寿命和更小的栅极动态阈值电压漂移，器件的可靠性可以得到大幅提升。
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公开(公告)号：CN114824040B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210764365.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装器件，涉及器件封装领域，所述半导体封装器件包括：基板，所述基板一侧上设置有结构槽，所述基板上设置有两个通孔；发光器件，包括器件本体和设置在器件本体上的两个电极，两个所述电极与两个所述通孔一一配合，且所述器件本体通过所述电极设置于所述基板上；封装层，所述封装层设置在所述基板具有所述结构槽的一侧，且所述封装层覆盖于所述发光器件和结构槽，所述封装层的材质为氟树脂材料或旋涂玻璃材料。结构槽能够很好的增强封装层与基板的结合力，由于氟树脂材料或旋涂玻璃材料具备高透光性以及内部键能高的特性，所以本方案的半导体封装器件可以适用的发光器件的种类非常广且透光性好。
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公开(公告)号：CN114188461A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111487880.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板，内壳的内表面贴合于基板的上表面，内壳于基板的上表面形成安装凹槽，外壳围设于基板与内壳外部，并贴合于内壳的上表面，外壳于内壳的上方设有镜片，镜片将安装槽密封，其中，紫外LED设于安装凹槽内，内壳与外壳的由紫外反射材料形成。通过内壳与外壳层层包覆于基板，于基板上形成狭小的安装凹槽，以将紫外LED设置于该安装凹槽内，降低深紫外光的吸收概率，减小光损失，从而提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN113889402A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010619149.3
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/265 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种用于制备GaN基电子器件的方法，包括：对高阻衬底表面进行掺杂处理，使所述高阻衬底表面的空位、间隙位、替代位中的任一者或多者为掺杂离子和/或掺杂原子所占据，从而能够阻止外部的Al原子和/或Ga原子向所述高阻衬底内扩散或利用补偿机制抑制寄生导电，之后在所述高阻衬底表面生长含Al原子和/或Ga原子的外延结构，并基于所述外延结构制作GaN基电子器件。本发明还公开了利用所述方法制备的GaN基电子器件。本发明的GaN基电子器件制作方法简单而有效，既可以保证外延层晶体质量，还避免了二次外延界面杂质沾污、生产效率低等问题，因此能够制造兼具低射频损耗、高性能的GaN基射频微波器件外延片。
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公开(公告)号：CN111668203A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010456522.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明涉及一种大功率LED器件的封装方法，包括以下步骤：A、将LED晶片设于基板上；B、将透镜环罩设于基板上；C、将晶片胶填充于所述透镜环的底部；D、将光学玻璃固定于所述透镜环的顶部；E、在所述光学玻璃的出光面上设置雾化层；F、在雾化层的表面设置荧光粉结构层。相应的，本发明还提供基于该封装方法的LED器件。本发明提供的大功率LED器件的封装方法，提高了基板底部的反射效率，减少基板对光的吸收，从而提高出光效率，提高了荧光粉结构层的附着力，防止荧光胶层出现脱落、荧光胶层和光学玻璃之间出现分层的现象发生。
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