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公开(公告)号：CN114107901B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202010892022.9
申请日：2020-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统，包括：S1，研磨Bi2O3、Fe2O3粉末，将研磨后的混合粉末压制成溅射靶；S2，洗涤衬底，衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001)；S3，采用射频溅射使溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在衬底上，得到四方相BiFeO3外延薄膜。本发明提供的方法首次实现了四方相BiFeO3与半导体ZnO的外延集成，对其在非易失信息存储等领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113035693B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110252819.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备HfO2基铁电薄膜的方法及其系统，其中，该方法包括：提供HfO2基陶瓷靶材，其中，HfO2基陶瓷靶材含有掺杂元素；提供半导体ZnO衬底；对半导体ZnO衬底进行加热至预设温度，以高能粒子或高能脉冲辐射冲击HfO2基陶瓷靶材，以便将HfO2基陶瓷靶材中的Hf、O及掺杂元素沉积在半导体ZnO衬底上，得到预设厚度的包含Hf、O及掺杂元素的HfO2基铁电薄膜。
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公开(公告)号：CN114824099A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210471109.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开了一种氯化铷掺杂的钙钛矿、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其中，该氯化铷掺杂的钙钛矿包括钙钛矿主体和(PbI2)2RbCl，其中(PbI2)2RbCl的XRD特征峰位于11.3°。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、空穴传输层和金属电极。
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公开(公告)号：CN111244222B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010063708.7
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法，该六方氮化硼紫外光探测器包括：衬底；绝缘层，形成于衬底的一表面上，并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口，露出衬底；第一石墨烯层，形成于绝缘层上，且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗口的外周区域；六方氮化硼层，原位形成于第一石墨烯层上；第二石墨烯层，原位形成于六方氮化硼层上；正面电极，形成于窗口之外的第二石墨烯层上；以及背面电极，形成于衬底的另一表面上。本发明采用离子束辅助设备原位生长石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结，可减小异质结界面污染和缺陷，可保证器件具有高的响应速度及响应度，同时采用纵向器件结构，提高器件的集成度。
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公开(公告)号：CN113707451A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110985312.2
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，包括：解理氟金云母，得到氟金云母衬底，其中，氟金云母衬底包括F‑Mica(001)，氟金云母衬底的新鲜解理面用于外延生长；将氟金云母衬底置于磁控溅射仪的沉积室内；采用射频磁控溅射方式将金属元素沉积到新鲜解理面上，其中，射频磁控溅射时沉积室内温度为600～700℃。本发明操作方法简单，易于实现大面积生长制备；将柔性自支撑铁磁性金属薄膜外延生长在氟金云母衬底上，衬底与薄膜之间只存在弱的范德瓦尔斯相互作用，晶格失配对单晶薄膜质量的影响大大降低，能得到高质量的单晶铁磁性金属薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370583A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010220841.9
申请日：2020-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种聚乙烯吡咯烷酮掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，该钙钛矿太阳能电池包括衬底，起支撑作用；氧化锡电子传输层，其制作在衬底上，该氧化锡电子传输层掺杂有聚乙烯吡咯烷酮；钙钛矿吸收层，其制作在氧化锡电子传输层上；钝化层，其制作在钙钛矿吸收层上；空穴传输层，其制作在钝化层上；以及金属电极，其制作在空穴传输层上。本发明通过在电子传输层SnO2中添加有机聚合物聚乙烯吡咯烷酮，能够有效改善SnO2薄膜的成膜质量，扩展其工艺处理窗口；同时，在处理过后的电子传输层上生长钙钛矿层制备钙钛矿太阳电池，获得了重复性非常好的钙钛矿太阳电池。
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公开(公告)号：CN110875170A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811012428.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法，涉及纳米材料制备技术领域。该方法包括：将h-BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；对所述h-BN进行厚度减薄处理；对所述h-BN进行退火处理；在所述h-BN衬底表面生长HfS2原子晶体，远程外延制备HfS2/h-BN异质结材料。本发明制备过程简单，制备成本低，且具有严格意义上的可控性。
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公开(公告)号：CN108198753A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711480048.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/027 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供了一种选择性图案化制备二硫化铪氮化硼HfS2/h-BN异质结材料的方法，其包括以下步骤：步骤1、将h-BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；步骤2、对转移至目标衬底上的h-BN进行目标图案化光刻；步骤3、在氧气气氛下对h-BN衬底进行退火处理，以去除h-BN表面残留的有机物；步骤4、退火完成后，在h-BN衬底表面生长HfS2原子晶体，选择性制备HfS2/h-BN异质结材料。本发明制备过程简单、成本低、可控性强，对基于HfS2/h-BN材料的光电子学器件的大规模集成化生产和应用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN106505150A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611136354.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/422
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。本发明提出利用氧化锡材料作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层，其因自身的优异特性能在与钙钛矿匹配时，更有利于电荷的转移，完全改善了钙钛矿太阳能电池中存在的滞后现象，获得准确真实、高效率的光电转换效率。另外，本发明还提出了基于氧化锡电子传输层的钙钛矿电池制备方法，可以有效制备得到具有滞后效应低、高效率的电池器件。
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公开(公告)号：CN103540904B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310481726.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备T相BiFeO3薄膜的方法。该方法包括：步骤A，制备BiFeO3材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的沉积腔的适当位置，对沉积腔抽本底真空；步骤C，向沉积腔内通入氧气和氩气，加热蓝宝石衬底至500～750℃；步骤D，调节溅射功率介于50～300W之间，以Ar+及O2+的混合离子束作为离子源轰击溅射靶，在蓝宝石衬底上沉积薄膜；以及步骤E，在溅射完成之后，将蓝宝石衬底的温度降到室温后从沉积腔内取出，在其上得到T相BiFeO3薄膜。本发明步骤简单，易于实现大面积生长制备，有利于促进T相BiFeO3在未来的大规模推广应用。
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