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公开(公告)号：CN101777388B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010022600.X
申请日：2010-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN102280994A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010198187.2
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M1/36
Abstract: 本发明公开了一种利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法，该电路包括脉宽调制电流源电路，脉频调制电流源电路，振荡器电路，时序控制电路，采样反馈电路；所述脉宽调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的占空比；所述脉频调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的频率；所述振荡器电路用以产生脉宽和频率都逐步扩大的脉冲，进而控制时序控制电路；所述时序控制电路用以分别调控所述脉宽调制电流源电路和脉频调制电流源电路；所述采样反馈电路用以采样系统的负载状况，进而使系统选择脉宽调制或脉频调制的工作方式。本发明既可以起到软启动的作用，又可以在系统运行中根据负载的轻重选择脉频调制或脉宽调制的工作方式。
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公开(公告)号：CN101770807A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910247484.9
申请日：2009-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果一方面控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；另一方面控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。本发明通过可变电流源电路调节存储器的电流，优化写Reset电流，在很大程度上减小系统的功耗。
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公开(公告)号：CN101661992A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810042218.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO 2 等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。
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公开(公告)号：CN101552603A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910050914.8
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C13/00 , G11C16/06
Abstract: 一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的脉冲信号的脉冲选择电路；用于根据所选择的脉冲信号选取所述镜像电路输出的一路镜像电流，并将其输出至待读写的相变存储单元的电流控制电路；与写信号输入端相连接且用于监视写入的数据是否正确的写监视电路；用于根据待读写的相变存储单元的电流确定所述待读写的相变存储单元的电压降，进而确定所述待读写的相变存储单元所存储的数据的读数据电路，由此实现对相变存储单元的读写驱动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101329909A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040952.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。
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公开(公告)号：CN101329907A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040950.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待写入数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待写入数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待写入数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。
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公开(公告)号：CN114361202B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111523997.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元及其制作方法，相变存储单元包括：衬底；至少一个下电极，所述下电极设置于衬底中，所述下电极的上接触面暴露于衬底外且与衬底上表面持平；相变材料层，所述相变材料层水平部分与下电极连接，所述相变材料层为L形；填充材料，所述填充材料设置于相变材料层竖直部分上方，并与相变材料层一同构成相变存储结构；上电极，所述上电极设置于相变材料层的上方。本发明能够有效缩小相变存储单元的的相变区域。
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公开(公告)号：CN113517015B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110471674.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作，并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够提高较多位多级存储的成功率，并且降低了功耗，提高了效率。
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公开(公告)号：CN114694712A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210167285.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多阻态非易失存储器件及其布尔逻辑实现方法，阻态非易失存储器件包括多阻态存储单元、选通单元、字线和位线，所述选通单元包括漏端、源端和栅端，所述选通单元的栅端和字线连接、源端接地，所述多阻态存储单元的一端和选通单元的漏端连接、另一端和位线连接；所述位线用于输入控制信号B来决定多阻态存储单元执行与、或、异或逻辑运算，所述字线用于输入二值信号W来控制选通单元的打开或关闭。本发明无需预先配置多阻态存储单元状态，具有多级输入、可并行以及可级联操作的特点，有望用于神经形态器件突触的权值更新和高通量存储器存内计算的实现。
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