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公开(公告)号：CN102723306B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210219229.5
申请日：2012-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L25/00 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
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公开(公告)号：CN103824787A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210465809.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/83005
Abstract: 本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪片，可有效改善异质晶圆材料键合因热膨胀系数差异所引起的翘曲问题，并能有效提高器件的可靠性，降低后续工艺难度。
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公开(公告)号：CN103241707A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026566.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构，该方法包括以下步骤：提供一预设若干焊盘(22)的基于砷化镓衬底材料的图像传感器晶圆(20)，与一透明载片(10)利用干膜(12)进行键合；直接在砷化镓图像传感器晶圆(20)的背面与焊盘对应的位置制作垂直互连通孔(21)至接触该焊盘；在步骤2)获得的结构上除焊盘以外的部分制作形成绝缘薄膜层(28)；通孔金属化工艺；依次制作RDL层(25)、钝化层(26)和电镀凸点(32)；最后划片形成独立的封装器件。该封装方法采用干膜键合技术和激光通孔制作技术，避免了对砷化镓图像传感器晶片的减薄，降低了工艺难度并提高成品率，为图像传感器提供可靠的保护。
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公开(公告)号：CN102779807A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210012852.3
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/552 , H01F27/36 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法，其特征在于在硅衬底上用薄膜金属淀积工艺同时形成第一层金属互连传输线及屏蔽层；旋涂光敏介质层，曝光显影，形成金属互连通孔，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属填满金属互连通孔；然后形成第二层金属互连传输线及电感线；形成最外层金属通孔；从而在不增加原有工艺步骤的情况下制作出有金属屏蔽层的电感。与主流的圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出带有屏蔽层的电感，对硅衬底有效的阻断衬底涡流，提高了电感的品质因子并降低电感的串联电阻，并且减小了涡旋电流对芯片的电磁干扰。
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公开(公告)号：CN102655125A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210012854.2
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/00
Abstract: 本发明涉及一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。其特征在于：溅射于硅圆片(1)正面的用于将来制作图形的金属层(2)、在硅圆片(1)的背面溅射用于减小硅圆片翘曲的金属层(3)；所溅射的背面金属的热膨胀系数大于正面溅射金属的热膨胀系数，则背面溅射的金属层的厚度小于正面溅射金属层的厚度，反之亦然；当正面和背面溅射的金属膨胀系数相同时则正面和反面溅射的金属层厚度相同。本发明的特点是通过在正面溅射金属层的硅圆片背面溅射金属层来减小圆片翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834159B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010156047.9
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through Silicon Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面DRIE刻蚀出TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆正面经对准后在键合机中进行BCB低温键合；将TSV晶圆减薄后制作TSV后续工艺。本发明提供的TSV封装制作工艺具有较高的可靠性，采用的设备和工艺均为半导体加工的常规工艺和设备。
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公开(公告)号：CN101704497B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910198656.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。所述的环状腐蚀槽的宽度为玻璃浆料密封环宽度的1.3-1.5倍。所述腐蚀槽的深度为8-12μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前，硅盖板上用刻蚀工艺刻蚀出环状的腐蚀槽阵列，然后丝网印刷机定位印刷到硅盖板的单腐蚀槽内，然后与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于单腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸，因而大大提高气密封装的成品率。
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公开(公告)号：CN102610539A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210015978.6
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用集成pn结测量多芯片埋置型高密度封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中分别掺杂磷和硼，利用pn结的导通电压随温度变化的特性来测量芯片接面温度。根据需要选择并控制掺杂剂量和结深。先在衬底上埋置槽内光刻出p型掺杂区并掺杂硼，然后再光刻形成n+掺杂区并掺杂磷，然后淀积金属，光刻腐蚀形成引线焊盘和金属布线。通过控制掺杂剂量和结深调节线性测温范围；通过pn结阵列可以实时获取芯片接面温度和热分布情况。本发明采用了喷胶光刻工艺来形成从埋置槽底部向硅圆片表面的爬坡引线。该工艺采用了光刻等于微电子工艺相兼容的工艺，工艺步骤简单，工艺周期较短。
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公开(公告)号：CN102570018A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110434081.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度，从而增加天线带宽；槽中填充的材料与传输线的介电材料相同，均为低介电常数的BCB。制作工艺为：首先在硅基上刻蚀一个深槽来增加介电材料的厚度，溅射一层种子层，电镀金，作为天线的地平面；在槽中填充介电材料，控制温度进行固化；然后打Au柱作为过孔引出地线；再涂覆一层BCB介电材料，固化后进行CMP减薄抛光，增加表面平整度，并使过孔露出；最后在BCB上光刻电镀出天线的图形。此种制作方法使天线和集成电路做在一起，减小了体积，提高了可靠性，同时减小了天线发射模块和天线之间的传输距离，减小了传输损耗。
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公开(公告)号：CN102569232A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210011301.5
申请日：2012-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/485
Abstract: 本发明涉及一种圆片级应力缓冲结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3)，在应力缓冲介质上制作焊球(4)。其特征在于：在凹槽(2)内填充应力缓冲介质(3)。本发明的特点是改变传统应力缓冲层的缓冲介质的位置，将缓冲介质制作到硅基芯片里面，从而能起到缓冲应力的作用，而不增加封装结构厚度。
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