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公开(公告)号：CN109734046A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811597857.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。本发明提供的真空封装工艺，利用硅-玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。
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公开(公告)号：CN108168580A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711395423.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。
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公开(公告)号：CN106935526A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511028246.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN106895777A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510954769.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供一种基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法，所述基于量程拓展的谐振式应变结构包括：双端固支音叉及量程拓展梁；所述量程拓展梁位于所述双端固支音叉的两端，且与所述双端固支音叉的两端相连接。本发明中，量程拓展梁可以降低双端固支音叉的应变量，从而实现谐振式应变传感器量程的拓展；通过设计量程拓展梁与双端固支音叉的尺寸，可以设定双端固支音叉上的应变与实际应变的比例；整个结构为一体化结构，制作工艺简单，便于实现工业化。
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公开(公告)号：CN103107129B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310064231.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及方法，该填充结构包括密封腔、三明治结构；密封腔包括进出气孔；密封腔围成有容纳液态金属槽的空间；三明治结构包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片；填充基片上设有填充微孔；喷嘴片上设有与填充微孔垂直对应的喷嘴孔；阻挡片与填充基片之间设有第一间隙；填充基片与喷嘴片之间设有第二间隙；喷嘴孔最窄处的半径小于填充微孔的半径的1/2以上；三明治结构的侧壁全部嵌入到密封腔内；喷嘴片的下表面在金属填充时紧贴液态金属槽的上表面。本发明利用压力差将液态金属槽中的金属吸入微米级别的填充微孔中，依据表面张力原理将已填充在微孔中的金属与金属槽在喷嘴孔中切断，填充速度快，时间短，准确度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376629B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010255550.X
申请日：2010-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为：首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔，再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口，溅射形成金属种子层后再去胶以形成通孔一端的悬架金属膜封口结构，之后进行铜电镀以填满通孔形成连通结构。该方法先刻蚀通孔后形成了平整的金属种子层表面结构，避免了表面平坦化后处理，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102134052B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010023095.0
申请日：2010-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米梁形成MIS电容结构。在衬底栅极上施加电压使纳米梁下表面形成强反型层，利用反型层与空间电荷区上方的硅作为力敏电阻实现纳米梁振动的压阻检测。通过复合掩模结合各向异性湿法腐蚀可以实现梁上轻掺杂区与衬底栅极的自对准。
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公开(公告)号：CN102800606A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210288541.X
申请日：2012-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，包括以下步骤：SOI硅片的顶层硅上制作应力传感器；利用有机胶膜将应力传感器面对面地贴装到与待封装圆片相同尺寸的测试圆片上；腐蚀去除应力传感器衬底硅，将应力传感器芯片单元转移到测试圆片上。本发明将应力传感器在小尺寸硅圆片上制作，小尺寸硅圆片的加工成本显著低于大尺寸硅圆片，并且一片传感器圆片上切割出的芯片可以满足多个测试圆片的用量，使用成本远低于直接制作大尺寸测试圆片。
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公开(公告)号：CN102142362A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010104413.6
申请日：2010-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法，首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜，然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中，并将两者分别连接到电源的正负两极，以使所述金属化合物胶粒在所述半导体材料结构上发生单层电泳沉积，进而形成纳米沉积胶粒图案，再将该半导体材料结构自金属化合物胶粒溶液中取出去除水分后，进行干法刻蚀以在半导体材料结构表面形成纳米颗粒图形，最后将刻蚀后的半导体材料结构湿法化学腐蚀以去除沉积胶粒以及其下的各无需材料层，以形成纳米岛图形，此工艺过程简单，成本低廉、参数可控、环境友好、且去除方便。
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公开(公告)号：CN102134052A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010023095.0
申请日：2010-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米梁形成MIS电容结构。在衬底栅极上施加电压使纳米梁下表面形成强反型层，利用反型层与空间电荷区上方的硅作为力敏电阻实现纳米梁振动的压阻检测。通过复合掩模结合各向异性湿法腐蚀可以实现梁上轻掺杂区与衬底栅极的自对准。
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