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公开(公告)号：CN103903987A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410113118.5
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L29/66015
Abstract: 本发明公开了一种基于自对准的悬浮石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。所述方法在于：在衬底上形成金属薄膜，在金属薄膜上形成石墨烯材料再在石墨烯材料上形成金属薄膜，利用光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的两层金属以及石墨烯层；形成设计的源、栅和漏的金属电极，并在源漏之间形成所需要的栅光刻胶图形，腐蚀掉暴漏出来的金属以及石墨烯材料下面的金属，形成器件沟道的悬浮，在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层，在种子层上形成栅介质，然后在栅介质上形成栅金属，最终形成悬浮石墨烯晶体管。所述方法简单易行，可有效的避免器件加工工艺对石墨烯的污染，避免衬底对沟道区石墨烯的散射，提高石墨烯晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN103540907A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310472153.1
申请日：2013-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ni金属膜覆盖Si3N4衬底生长浓度可控石墨烯材料的方法，涉及石墨烯的制造方法技术领域。在基板衬底表面外延生长Si3N4形成Si3N4/template复合结构，在Si3N4表面生长Ni金属膜，利用高温热退火，使得Ni原子与Si3N4中Si原子结合形成Ni2Si合金；去除Ni2Si合金，Si3N4表面剩余N原子出现不饱和键，N原子重构形成N-N键，在Si3N4表面形成富N结构；将Si3N4/template复合衬底放入CVD反应炉中，生长少层石墨烯，在石墨烯生长过程中，Si3N4表面N-N键断裂，N原子与C原子重构形成石墨烯，N原子进入石墨烯晶格，从而实现对石墨烯的掺杂。
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公开(公告)号：CN118957752A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411033252.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸单晶金刚石衬底及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：自支撑多晶金刚石衬底的制备；覆Ir金刚石复合衬底的制备；单晶金刚石的制备。在Si衬底覆盖金刚石籽晶后生长多晶金刚石；对多晶金刚石正面抛光；在抛光后的多晶金刚石正面固定临时载片；去除Si衬底并对多晶金刚石背面抛光；去除临时载片形成自支撑多晶金刚石衬底；在MgO衬底上沉积定晶向Ir膜得到Ir/MgO复合衬底；将自支撑多晶金刚石衬底正面与Ir/MgO复合衬底进行键合，形成多晶金刚石/定晶向Ir膜/MgO复合衬底；去除MgO衬底形成覆Ir金刚石复合衬底；在覆Ir金刚石复合衬底上生长单晶金刚石，制得大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN118888601A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411012293.5
申请日：2024-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上外延高掺杂浓度p型金刚石外延层；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层，去除高掺杂浓度p型金刚石外延层背部的金刚石衬底；在轻掺杂p型金刚石外延层上刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，阴极区在圆柱的顶部；在轻掺杂p型金刚石外延层上形成N型掺杂；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的背面淀积阳极金属；在光刻阴极区形成氧化铝，淀积阴极金属；在阴极金属上制作阴极电极。本发明制备的肖特基二极管，降低了正向导通电阻，提升了反向击穿电压，从而提升了器件的功率品质因子。
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公开(公告)号：CN118335761A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410421416.4
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请适用于半导体探测器技术领域，提供了一种阵列型光电探测器芯片的封装结构，包括：阵列型光电探测器芯片、封装底座和封装盖板；阵列型光电探测器芯片包括n个阵列型的探测器像元；封装底座的底面和四周围成一个腔体；阵列型光电探测器芯片置于封装底座的上表面，位于腔体的内部；封装盖板位于封装底座之上，封装盖板和封装底座将腔体密封；封装盖板包括不透光区域和n个透光区域；n个透光区域与n个探测器像元一一对应；其中，n≥2；封装盖板的n个透光区域以外区域为不透光区域。本申请的阵列型光电探测器芯片的封装结构能够减小信号串扰，同时提高探测器像元的响应灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114047555B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111315822.5
申请日：2021-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该基于金刚石NV色心的磁力探测头包括：具有两端开口的陶瓷套管、设置在陶瓷套管的腔体内的金刚石NV色心系综样品以及设置在陶瓷套管一端面上的微波天线；金刚石NV色心系综样品为毫米级的块状结构，其朝向微波天线的第一端面上设有用于接收激光入射的凹坑；微波天线设有中心通孔、且中心通孔与金刚石NV色心系综样品的凹坑同轴设置，微波天线用于连接微波源并向陶瓷套管的腔体发射微波；其中，金刚石NV色心系综样品在微波源和激光的激发下，在陶瓷套管的腔体内产生荧光。本发明提供的基于金刚石NV色心的磁力探测头灵敏度更高，且适用范围更广。
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公开(公告)号：CN107731916B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201710948671.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层，在所述金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气，利用二维电子气作为n型导电沟道。所述方法可使n型金刚石材料沟13 ‑2道内的载流子浓度和迁移率分别达到10 cm 和2000cm2/V s。
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公开(公告)号：CN107731915B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201710948663.X
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述金刚石与受主层的界面处形成一个异质结，在所述金刚石的一侧近结10nm‑20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在0℃‑1000℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN117097418A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310954014.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B17/10 , G01R33/032 , H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心微波探测器，包括：金刚石NV色心、磁场发生器、激光器、射频探头和控制装置；磁场发生器用于产生第一磁场，第一磁场用于使金刚石NV色心的微波粒子发生塞曼劈裂；激光器用于向金刚石NV色心发射激光，以使塞曼劈裂后的微波粒子极化到Ms＝|0>能级上；磁场发生器还用于先后产生多个不同磁场强度的第二磁场，第二磁场用于使极化到Ms＝|0>能级上的微波粒子发生塞曼劈裂，射频探头用于检测与第二磁场的磁场强度对应的受激辐射的微波粒子强度；控制装置用于将微波粒子强度大于零时第二磁场的磁场强度对应的塞曼劈裂能级确定为待探测的外界微波的频率。本发明能够解决金刚石NV色心在空间微弱微波探测上受限的问题。
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公开(公告)号：CN116110970A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310121971.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法，该金属氧化物终端金刚石场效应管晶体管包括：金刚石衬底；源极和漏极，分别设置于金刚石衬底上表面的两侧；金属氧化物终端，设置于金刚石衬底上表面，且位于源极和漏极之间；栅介质层，设置于金属氧化物终端上表面；栅极，设置于栅介质层上表面。本申请金属氧化物终端与栅介质之间晶格匹配，能够有效降低界面态密度，提高金属氧化物终端上表面沉积的栅介质的质量，进而使金属氧化物终端金刚石具备高载流子迁移率，使金属氧化物终端金刚石场效应晶体管具备良好的直流和射频性能。
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