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公开(公告)号：CN101295749B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810031498.2
申请日：2008-06-16
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
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公开(公告)号：CN101577294B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910303615.0
申请日：2009-06-25
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法，其特征在于，依次由疏松层TiO2薄膜、致密层TiO2薄膜和SiO2钝化层组成；所述的SiO2钝化层处于致密层TiO2薄膜和硅基衬底之间。制备方法包括以下步骤：在硅基衬底正表面上依次沉积一层致密层TiO2薄膜和一层疏松层TiO2薄膜；电极银浆印刷后，经400℃～900℃的常规烧结，在硅衬底与致密TiO2界面处生成SiO2钝化层。本发明中TiO2/TiO2准双层减反膜通过改变沉积条件一次完成，在工艺和设备上得到优化，且比单层减反射膜具有更好的减反射效果。
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公开(公告)号：CN214655366U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120574745.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 中南大学
Abstract: 本实用新型公开一种多晶硅铸锭炉用铸锭装置，包括石英坩埚，所述石英坩埚内部两侧可拆卸连接有石英板，所述石英坩埚顶部可拆卸连接有盖体，所述石英坩埚外部套设有石墨护板，所述石墨护板外部套设有加热器，所述石墨护板与所述加热器之间设有石墨炭毡套。本实用新型有效减少了硅晶体凝固膨胀时受到坩埚约束产生的热应力，缓解了硅锭四周位错的产生与增殖，并且，由于石英坩埚开口逐渐扩大，更利于硅锭脱模。在取出炉中硅锭，放置在环境中冷却时，热应力的减小使硅锭四周开裂的可能性减小。最终使得硅锭四周区域少子寿命提高，杂质含量降低，优化了太阳能电池的输出性能。
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公开(公告)号：CN203150576U
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201320121379.2
申请日：2013-03-18
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/048
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本实用新型公开了一种光伏电池组件，包括：基板、位于基板上的多片光伏电池片、以及设置于所述基板周边的边框；其中，所述多片光伏电池片阵列排布，且所述基板至少有一条边至所述多片光伏电池片的最短距离大于所述边框与所述基板高度差的两倍。该光伏电池组件摒弃了现有的对称性结构设计，利用对电池片布局的非对称性，从根本上去掉了电池组件表面下端的电池被灰尘遮挡的可能性，在实际安装条件下，大大提高了光伏电池组件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN214655369U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202121128352.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本实用新型属于半导体扩散工艺设备领域，公开一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，包括：炉门、炉体、进气管、出气管和隔热部，炉体一侧开口，炉门安装在炉体的开口处，炉门一端与炉体铰接，进气管和出气管分别与炉体连通，进气管至少为两个，炉体内靠近炉门一侧活动设置有隔热部。本方案可以使炉口气体浓度以及停留时间增加，并采用多路进气管，改善炉口处气体均匀性，提升了炉口附近硅片方阻扩散的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214327881U
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202120052323.0
申请日：2021-01-11
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型公开一种管式PECVD设备的腔室结构，包括石英炉管，前端法兰组件，尾端法兰组件和补气装置；石英炉管的两端分别与前端法兰组件和后端法兰组件固接；石英炉管内设置有石墨舟；前端固定法兰套接在石英炉管一端外壁；前端进气法兰为环状设置；前端进气法兰内开设有环形腔；前端进气法兰内壁周向等距开设有若干布气孔；布气孔与环形腔连通；前端进气法兰外壁底部连通有进气管；远离进气管的布气孔孔径逐渐增大；石英炉管另一端连通有补气装置；能够实现工艺气体可以快速且均匀的分布在石英炉管内，气流在管内分布的均匀性以及沉积膜的均匀性大幅度的提高。
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公开(公告)号：CN214193448U
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202120054133.2
申请日：2021-01-11
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L31/20
Abstract: 本实用新型公开一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室，其特征在于，包括：真空壳体，沉积装置和升降装置；沉积装置设置在真空壳体内腔；升降装置设置在真空壳体底部；沉积装置包括匀气挡板；真空壳体顶面和底面分别开设有进气口和出气口；匀气挡板的侧壁与真空壳体内壁顶部固接；真空壳体内腔中部固接有喷淋板；真空壳体内腔底部设置有承载机构；承载机构的底面与升降装置顶部固接；匀气挡板顶面中部开设有第一匀气孔；第一匀气孔两侧分别对称开设有第二匀气孔；匀气挡板顶面两最外侧分别对称开设有第三匀气孔。
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公开(公告)号：CN212293842U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021457197.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 中南大学
Abstract: 本实用新型公开一种多晶硅铸锭炉，包括炉体和设置在炉体内的保温罩，所述保温罩内设置有坩埚、底板、加热器、隔热块及热交换装置；所述底板安装在所述热交换装置上，所述坩埚放置在所述底板上，所述坩埚外壁上安装有坩埚护板，所述底板的侧壁上安装有角度调节机构，所述隔热块安装在所述角度调节机构上，所述隔热块末端与所述保温罩接触连接。本实用新型通过改变碳毡隔热块的放置方式，即调节其与底部石墨护板间所成夹角，可以有效控制热量散失途径与方式，实现对热场的调控，以满足铸锭各工艺的不同需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215209616U
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202121336868.0
申请日：2021-06-16
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/26
Abstract: 本实用新型公开一种用于制备大尺寸C/C复合材料的CVD沉积炉装置，包括炉体，炉体内部固定设置有分流板，分流板将炉体内部分为混气室和沉积室，沉积室设置在混气室上方；进气组件包括进气嘴，进气嘴包括固定板以及固定设置在固定板一侧的若干组螺旋片，相邻两组螺旋片之间设置有螺旋通道，固定板的中部开设有进气口，进气口连接有进气管，进气口与螺旋通道连通。本实用新型通过螺旋状结构的进气嘴对工艺气体进行气体扰动，提高扩散到混气室工艺气体的均匀性，提高后期扩散到沉积室的均匀性。
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公开(公告)号：CN212688178U
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202021456885.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/511
Abstract: 本实用新型涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本实用新型提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
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