公开(公告)号：CN101295749B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810031498.2

申请日：2008-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  赵保星 ,  李幼真 ,  陈勇民 ,  李莉 ,  荣林艳

IPC: H01L31/18 ,  B22F3/16

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。

公开(公告)号：CN101577294B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200910303615.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  赵保星 ,  荣林艳 ,  黄迪辉

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法，其特征在于，依次由疏松层TiO2薄膜、致密层TiO2薄膜和SiO2钝化层组成；所述的SiO2钝化层处于致密层TiO2薄膜和硅基衬底之间。制备方法包括以下步骤：在硅基衬底正表面上依次沉积一层致密层TiO2薄膜和一层疏松层TiO2薄膜；电极银浆印刷后，经400℃～900℃的常规烧结，在硅衬底与致密TiO2界面处生成SiO2钝化层。本发明中TiO2/TiO2准双层减反膜通过改变沉积条件一次完成，在工艺和设备上得到优化，且比单层减反射膜具有更好的减反射效果。

公开(公告)号：CN101577294A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910303615.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  赵保星 ,  荣林艳 ,  黄迪辉

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法，其特征在于，依次由疏松层TiO2薄膜、致密层TiO2薄膜和SiO2钝化层组成；所述的SiO2钝化层处于致密层TiO2薄膜和硅基衬底之间。制备方法包括以下步骤：在硅基衬底正表面上依次沉积一层致密层TiO2薄膜和一层疏松层TiO2薄膜；电极银浆印刷后，经400℃～900℃的常规烧结，在硅衬底与致密TiO2界面处生成SiO2钝化层。本发明中TiO2/TiO2准双层减反膜通过改变沉积条件一次完成，在工艺和设备上得到优化，且比单层减反射膜具有更好的减反射效果。

公开(公告)号：CN101295750A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810031499.7

申请日：2008-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  赵保星 ,  李幼真 ,  陈勇民 ,  李莉 ,  荣林艳

IPC: H01L31/18 ,  C30B28/04

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺。将3N及以下的金属硅粉在1600℃温度下通过高温熔铸方法制成硅棒，而后将硅棒切割成薄膜太阳能电池用薄片衬底。该工艺制备之衬底经特殊杂质外扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落，更重要的是原料成本低、工艺简单并便于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。

公开(公告)号：CN101295749A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810031498.2

申请日：2008-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  赵保星 ,  李幼真 ,  陈勇民 ,  李莉 ,  荣林艳

IPC: H01L31/18 ,  B22F3/16

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。