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公开(公告)号：CN101969073A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010265903.4
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：元胞区，设在芯片最外围的终端区及位于元胞区与终端区之间的过渡区，在元胞区、过渡区和终端区(III)的底部设有漏极金属，在漏极金属上设有重掺杂n型硅衬底，作为该芯片的漏区，在重掺杂n型硅衬底上设有n型掺杂外延层，在n型掺杂外延层中设有间断不连续的p型掺杂柱状半导体区。其特征在于，在过渡区中的第二p型掺杂半导体区内设有n型重掺杂半导体区，且在n型重掺杂半导体区表面设有接触孔与金属层相连，形成芯片的地接触电极。改发明在不增加工艺成本、不改变器件主要参数的条件下，可以有效地减小器件反向恢复电荷，改善其反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN101969064A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010267153.4
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/12 , H01L27/102 , H01L27/105
Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设N型外延层且N型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：P型三极管漂移区、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区，其特征在于II区中的P型基区包在P型缓冲区内部，且I区中N型漏区上的第一漏极金属与II区中P型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本发明在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。
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公开(公告)号：CN101969062A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010265794.6
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设P型外延层且P型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：N型三极管漂移区、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区，其特征在于II区中的N型基区包在N型缓冲区内部，且I区中P型漏区上的第一漏极金属与II区中N型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本发明在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。
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公开(公告)号：CN101872786A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010198507.4
申请日：2010-06-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设有漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的表面以及P型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设N型浮置埋层，且所述N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。其制备方法是选择P型碳化硅衬底后，采用注入磷离子的方法制备N型浮置埋层，再进行其它常规操作。
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公开(公告)号：CN101510560B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910030060.7
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面设置有N型阱区，在N型阱区上设置有P型阱区和P型掺杂半导体区，在P型阱区上设有P型源区和N型接触区，在P型掺杂半导体区上设有P型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N型阱区内设有轻掺杂浅P型区，所述的轻掺杂浅P型区位于P型阱区与P型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅P型区覆盖栅氧化层与P型掺杂半导体区形成的拐角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101552291A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910030064.5
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域和设在原胞区域周围的终端区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括P型柱和N型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有N型重掺杂半导体区，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层，在N型重掺杂半导体区上连接有金属层，其特征在于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层。
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公开(公告)号：CN101488525A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910024962.X
申请日：2009-02-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是P型的掺杂半导体漂移区，N阱区设置在P型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，P型源区和N型接触区设置在N阱中，其特征是：该器件还包括至少一层浮置氧化层结构，它位于漏区与埋置氧化层结构之间的P型掺杂半导体漂移区内，而且，允许有多层浮置氧化层结构，以进一步优化漏区纵向电场的分布，从而提高器件整体的击穿电压。
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公开(公告)号：CN119906252A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510177971.1
申请日：2025-02-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种非连续电流型可变占空比输出的谐振栅极驱动电路，属于电力电子领域。谐振栅极驱动电路包括：一个PMOS管、两个NMOS管、一个电感器L和一个稳压电容，通过控制PMOS管和NMOS管的栅极驱动信号的时序来控制PMOS管和NMOS管的开关状态以及电感器流过电感电流为非连续状态，进而控制电感器与被驱动电路的栅极电容的谐振状态和驱动输出电压的占空比。本发明的电路电感电流非连续，大大降低电路的导通损耗，提高栅极驱动能量回收比例，能通过控制驱动信号占空比，实现驱动信号的占空比变换。由此，解决了驱动技术的能量回收率低，控制信号数目多，信号匹配困难，占用面积大，不利于小型化，占空比不可调等技术问题。
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公开(公告)号：CN117254672A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311175567.8
申请日：2023-09-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出可增强瞬态响应的低纹波四管升降压开关电源控制电路，包括采样保持电路、误差放大器EA、定时电路、伏秒平衡电路、高电平采样电路、逻辑控制电路和驱动电路；本发明采用电感前端采样，具有电压双环采样模式，相较于传统四管升降压电路具有更好的线性调整率。本发明采用了DCM导通，重载时CCM导通，通过添加复位信号实现定时器的重启，避免了两个定时信号因为环路负载等原因发生变化导致定时信号产生错乱。
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公开(公告)号：CN115144642A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210804497.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开一种应用于隔离变换器的励磁电流无损采样电路，属于基本电子电路的技术领域。该励磁电流无损采样电路包括第一电压采样电路、第二电压采样电路和一个由运算放大器构成的减法电路。第一、二电压采样电路分别采样隔离变压器原边绕组的两端电压，两电压采样电路的输出分别接至减法器的两输入端，减法器的输出为励磁电流采样电路输出。该采样电路与保持电路和比较器实现伏秒平衡，比较器通过比较采样保持结果和电流采样结果输出控制信号。本发明通过将大时间常数RC低通滤波器作为原边电压采样电路，实现对励磁电感两端电压压差的积分，进而实现不需要串联采样电阻或电流互感器的励磁电流无损采样，并将其应用至伏秒平衡控制中。
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