-
公开(公告)号：CN107240627A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710342958.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/24 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、AlzGa1‑zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型欧姆电极。本发明的有益效果为：本发明可形成与极化电场方向相反的补偿电场，一方面有利于减缓甚至消除量子阱的能带倾斜，增加量子阱势垒层的有效高度，提高载流子，特别是电子在多量子阱结构中分布的均匀性；另一方面，增加了量子阱中的电子与空穴的波函数在空间上的重叠程度，提高了电子与空穴的辐射复合效率，从而能够显著提升UV‑LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN107240615A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710338137.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/035236
Abstract: 本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收、分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层，在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极，在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极，其中0
-
公开(公告)号：CN107170666A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710377918.1
申请日：2017-05-25
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种非极性Ⅲ族氮化物外延薄膜，该外延薄膜包括从下至上的衬底、第一层图形结构、第二层图形结构和在衬底上、并透过双重图形结构生长的非极性Ⅲ族氮化物外延薄膜。其中第一层图形结构为具有一定表面覆盖率的插入层或掩模结构；第二层图形结构为在第一层图形结构上制备的具有一定排列方向性和周期性的网状结构。在此结构上进行非极性氮化物的外延生长，将会触发平行于衬底表面的侧向外延生长，形成岛状氮化物结构；而当岛状氮化物合并时，沿某些方向的生长将会受到抑制，而沿某个特定方向的生长将会获得促进，因此可解决非极性Ⅲ族氮化物生长各向异性突出的难题，获得高质量的外延薄膜。
-
公开(公告)号：CN107146649A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710416321.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种操控低折射率介质纳米粒子的装置和方法，属于光学捕获和光学微操控技术领域。该装置由激光器、扩束镜组、偏振转换器、反射镜、分束器、空间光调制器、光阑、油浸物镜和位移台组成。该方法通过偏振转换器和空间光调制器生成空间位相复杂分布的径向偏振涡旋光场，在油浸透镜的聚焦下利用两列相向传输的光场干涉生成中空的球形焦斑，能够将处于焦场范围内的低折射率介质粒子稳定地三维捕获在焦场的中心。通过改变聚焦条件和空间光调制器的加载位相，能够实现多粒子操控和粒子运动轨迹的灵活调控。该方法克服了传统光镊技术中无法三维捕获低折射率介质粒子的难题，在一系列涉及光学操控的领域都有着重大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN104835893B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510287664.5
申请日：2015-05-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/36
Abstract: 本发明公开了一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，属于半导体器件技术领域。该发光二极管包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。相比现有技术，本发明以金属极性面n型半导体层作为氮极性面发光二极管中n型半导体层的欧姆接触层，可以避免氮极性面n型半导体层上不易制作良好欧姆电极的问题，且制备工艺简单，实现成本低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106645087A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611198339.2
申请日：2016-12-22
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G01N21/658 , B22F9/24
Abstract: 本发明公开了一种无需表面修饰的PDMS基单层SERS基底及其制备方法，上述无需表面修饰的PDMS基SERS基地制备方法，包括如下步骤：制备均匀金属溶胶颗粒；在水油界面自组装单层致密的金属纳米颗粒薄膜；将金属纳米颗粒薄膜转移至未经表面处理的PDMS表面并形成致密均匀的SERS基底。本方法省略了对PDMS进行亲水化处理以及后续的特定基团的修饰，极大地简化了制作流程，提高了制作的可靠性，并且无需在超净间实施，降低了对制作环境的要求；本方法制备的金属纳米颗粒薄膜系自发形成，金属纳米颗粒间距极小，因而SERS增强效果和均匀性极高。
-
公开(公告)号：CN104916713B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510284031.9
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0248 , H01L31/036 , H01L31/101 , H01L31/107
Abstract: 一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器，其特征在于，包括由下而上依次设置的阴极电极101、n型Alx1Ga1‑x1N层102、Aly1Ga1‑y1N/Aly2Ga1‑y2N多量子阱雪崩增益区103、Aly3Ga1‑y3N/Aly4Ga1‑y4N超晶格吸收区104、p型Alx2Ga1‑x2N层105、环形阳极电极107和制作于p型Alx2Ga1‑x2N层105表面、但局限于阳极电极环107内的光子禁带隙宽度可调的光子晶体入射窗106。本发明的有益效果为：极大程度地降低背景噪声，有效提高信噪比，通过设置光子晶体入射窗结构，可提高带通区光线在吸收区的进光量50％以上，而对波长位于带通区外但又落在光子禁带内的光线，则可滤掉其进光量80％以上。既保证了探测器具有高灵敏度和高增益，又有效地降低了探测器的背景噪声与暗电流，有益于提高探测器的可靠性与稳定性。
-
公开(公告)号：CN105977356A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610327711.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145
Abstract: 本发明公开了一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管，该发光二极管自下而上依次包括衬底(101)、低温AlN成核层(102)、高温AlN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区(105)、由p‑AlsIntGa1‑s‑tN层(1061)和p‑AlzGa1‑zN层(1062)组成的p‑AlsIntGa1‑s‑tN/p‑AlzGa1‑zN复合电子阻挡层(106)。本发明可解决传统的电子阻挡层结构在最后一个量子阱势垒和电子阻挡层之间会形成寄生电子反型层的问题。
-
公开(公告)号：CN105977349A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610328031.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0012
Abstract: 本发明公开了一种具有p‑i‑n隧道结的多有源区发光二极管，该二极管由下至上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、n型氮化物层、第一发光区、p‑i‑n隧道结、第二发光区、和氧化铟锡导电层；其中第一发光区由第一有源区、第一p型氮化物电子阻挡层和第一p型氮化物空穴注入层组成，第二发光区由第二有源区、第二p型氮化物电子阻挡层和第二p型氮化物空穴注入层组成。本发明实现了多有源区发光，不仅可以降低电极接触带来的电迁移问题，还能有效减小传统隧道结工作时内部耗尽区的宽度，从而减小电子隧穿的距离，增加电子隧穿的几率，并可有效缓解传统重掺杂隧道结引起的晶格失配，提高器件的晶体质量。
-
公开(公告)号：CN105572081A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510951769.6
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种表征饱和吸收材料的高灵敏度测量方法，激光器输出的激光束依次经过凹透镜和第一凸透镜后扩束成尺寸合适的高质量线偏振高斯光束，高斯光束入射至径向偏振光生成系统，生成径向偏振矢量光场，径向偏振矢量光场通过第四凸透镜聚焦，非线性饱和吸收样品由电位移平台控制沿着光轴方向移动，进而激发非线性饱和吸收效应，最后经过第五凸透镜后由能量探测器收集非线性饱和吸收样品在不同位置处的透过能量。本发明方法，光路简单，器件制作成本低，与现有的用高斯光束测量非线性饱和吸收材料的饱和光强相比，本发明的测量灵敏度提高30％左右，从而更灵敏而准确地获得非线性饱和吸收材料尤其是二维饱和吸收材料的饱和光强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
572
records
(took 0.033 seconds)
